集成组合件及形成集成组合件的方法技术

本申请涉及集成组合件及形成集成组合件的方法。一些实施例包含具有第一连接区的集成组合件，所述第一连接区具有第一接触衬垫。第二连接区沿着第一方向从所述第一连接区偏移。第二接触衬垫在所述第二连接区内。存储器阵列区在所述第一及第二连接区之间。第一导线从所述第一连接区的所述第一接触衬垫跨越所述存储器阵列区延伸。第二导线从所述第二连接区的所述第二接触衬垫跨越所述存储器阵列区延伸。所述第一导线、第二导线、第一接触衬垫及第二接触衬垫具有彼此相同的导电组成物。一些实施例包含形成集成组合件的方法。例包含形成集成组合件的方法。例包含形成集成组合件的方法。

【技术实现步骤摘要】
集成组合件及形成集成组合件的方法


[0001]集成组合件(例如，集成存储器)。形成集成组合件的方法。

技术介绍

[0002]存储器是一种类型的集成电路且用于计算机系统中以存储数据。存储器可被制造成个别存储器单元的一或多个阵列。可使用数字线(其也可称为位线、数据线、感测线或数据/感测线)及存取线(其也可称为字线)对存储器单元进行写入或从存储器单元进行读取。数字线可沿着阵列的列延伸，且存取线可沿着阵列的行延伸。可通过数字线及存取线的组合对每一存储器单元进行唯一地寻址。
[0003]存储器单元可为易失性或非易失性的。非易失性存储器单元可将数据存储很长一段时间，包含当计算机关闭时。易失性存储器发生耗散，且因此快速刷新/重写，在许多情况下每秒进行多次。无论如何，存储器单元经配置以以至少两个不同可选状态保留或存储存储器。在二进制中，所述状态被视为“0”或“1”。在其它系统中，至少一些个别存储器单元可经配置以存储多于两个水平或状态的信息。
[0004]一种类型的存储器是动态随机存取存储器(DRAM)。个别DRAM单元可包含与电容器(或其它合适的电荷存储装置)组合的晶体管。晶体管用于选择性地存取电容器，且可称为存取装置。电容器可静电地将能量作为电场存储在两个电容器电极之间的电容器电介质内。电容器的电气状态可用于表示存储器状态。
[0005]字线可与字线驱动器电路系统耦合，且数字线可与感测放大器电路系统耦合。字线驱动器电路系统及感测放大器电路系统可在集成组合件的CMOS区内。
[0006]存储器为集成电路系统的一个实例，且许多其它类型的集成电路系统为已知的(例如，传感器电路系统、逻辑电路系统等)。在一些应用中，这些其它类型的集成电路系统可与集成存储器组合使用。
[0007]集成组合件制造的持续目标是增加集成的水平，或换句话说，将更多存储器封装到不断减小的空间中。需要开发用于集成组合件的新架构，且需要这类新架构适合于高度集成的应用。

技术实现思路

[0008]在一个方面中，本申请提供一种集成组合件，其包括：第一连接区，其包括第一接触衬垫；第二连接区，其沿着第一方向从所述第一连接区偏移且包括第二接触衬垫；所述第一接触衬垫沿着基本上正交于所述第一方向的第二方向彼此对准，并且所述第二接触衬垫沿着所述第二方向彼此对准；存储器阵列区，其在所述第一及第二连接区之间；第一导线，其从所述第一连接区的所述第一接触衬垫跨越所述存储器阵列区延伸；第二导线，其从所述第二连接区的所述第二接触衬垫跨越所述存储器阵列区延伸；及所述第一导线、第二导线、第一接触衬垫及第二接触衬垫包括彼此相同的导电组成物。
[0009]在另一方面中，本申请提供一种集成组合件，其包括：第一连接区，其包括第一接
触衬垫；第二连接区，其沿着第一方向从所述第一连接区偏移且包括第二接触衬垫；所述第一接触衬垫布置在第一组及第二组中，其中所述第一组的所述第一接触衬垫沿着基本上正交于所述第一方向的第二方向彼此对准，其中所述第二组的所述第一接触衬垫沿着所述第二方向彼此对准，并且其中所述第一组的所述第一接触衬垫沿着所述第一方向从所述第二组的所述第一接触衬垫偏移；所述第二接触衬垫布置在第三组及第四组中，其中所述第三组的所述第二接触衬垫沿着所述第二方向彼此对准，其中所述第四组的所述第二接触衬垫沿着所述第二方向彼此对准，并且其中所述第三组的所述第二接触衬垫沿着所述第一方向从所述第四组的所述第二接触衬垫偏移；存储器阵列区，其在所述第一及第二连接区之间；第一导线，其从所述第一连接区的所述第一接触衬垫跨越所述存储器阵列区延伸；第二导线，其从所述第二连接区的所述第二接触衬垫跨越所述存储器阵列区延伸；及所述第一导线、第二导线、第一接触衬垫及第二接触衬垫包括彼此相同的导电组成物。
[0010]在又一方面中，本申请提供一种形成集成组合件的方法，其包括：形成与绝缘结构相邻的含金属块；在所述含金属块上方形成模板结构；沿着所述模板结构的外边缘形成间隔件，且随后去除所述模板结构；在所述含金属块上方形成一或多个接触衬垫限定掩蔽结构；及将所述间隔件及所述一或多个接触衬垫限定掩蔽结构的图案传递到所述含金属块中，以从所述含金属块形成导线及接触衬垫；所述接触衬垫在连接区内，并且所述导线从所述连接区延伸到存储器阵列区。
附图说明
[0011]图1是在实例方法的实例过程阶段处的实例集成组合件的实例区的示意性俯视图。图1A是沿着图1的线A
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A截取的示意性截面侧视图。
[0012]图2到7是在图1的实例过程阶段之后的实例依序过程阶段处的图1的实例区的示意性俯视图。图7A及7B是分别沿着图7的线A
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A及B
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B截取的示意性截面侧视图。
[0013]图8是在图7的实例过程阶段之后的实例过程阶段处的图1的实例区的示意性俯视图。图8A是沿着图8的线A
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A截取的示意性截面侧视图。
[0014]图9是实例集成组合件的实例区的示意性俯视图，其中此类区中的一些利用图1到8的处理形成。
[0015]图10及11是在实例方法的实例过程阶段处的实例集成组合件的实例区的示意性俯视图。
[0016]图11A到11E是实例集成组合件的实例区的示意性俯视图，其展示用于制造可在图11中使用的实例间隔件的实例过程阶段。
[0017]图12到16是在图11的实例过程阶段之后的实例依序过程阶段处的图10的实例区的示意性俯视图。
[0018]图17是实例集成组合件的实例区的示意性俯视图，其中此类区中的一些利用图10到16的处理形成。
具体实施方式
[0019]一些实施例包含可用于将金属(例如钌)图案化成导线及接触衬垫(接合衬垫)的方法。导线可经配置为存储器阵列的数字线及/或字线。举例来说，导线可经配置为数字线，
并且接触衬垫可用于将数字线与感测放大器电路系统电耦合。一些实施例包含具有与导线及接触衬垫相对应的导电结构的集成组合件，其中此类导电结构包括遍及导线及接触衬垫的相同组成物(例如，包括钌)。参考图1到17描述实例实施例。
[0020]参考图1，说明集成组合件10的部分。组合件包含绝缘结构14及16，且包含形成为邻近于绝缘结构14及16的含金属块18。
[0021]绝缘结构14及16包括绝缘材料20。绝缘材料20可包括任何合适的组成物；且可例如包括二氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化铪、氧化锆等中的一或多个、主要由二氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化铪、氧化锆等中的一或多个组成，或由二氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化铪、氧化锆等中的一或多个组成。
[0022]含金属块18包括含导电金属材料26。材料26可包括例如各种金属(例如，钛、钨、钴、镍、铂、钌等)中的一或多个，及/或各种含金属组成物(例如，金属硅化物、金属氮化物、金属碳化物等)中的一或多个。在一些应用中，含金属块18的材料26可包括钌、主要由钌组成，或由钌组成。钌具有极佳导电率，即使当形成为非常薄的结构时也本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成组合件，其包括：第一连接区，其包括第一接触衬垫；第二连接区，其沿着第一方向从所述第一连接区偏移且包括第二接触衬垫；所述第一接触衬垫沿着基本上正交于所述第一方向的第二方向彼此对准，并且所述第二接触衬垫沿着所述第二方向彼此对准；存储器阵列区，其在所述第一及第二连接区之间；第一导线，其从所述第一连接区的所述第一接触衬垫跨越所述存储器阵列区延伸；第二导线，其从所述第二连接区的所述第二接触衬垫跨越所述存储器阵列区延伸；及所述第一导线、第二导线、第一接触衬垫及第二接触衬垫包括彼此相同的导电组成物。2.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述相同组成物包括一或多种金属。3.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述相同组成物包括钌。4.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述相同组成物由钌组成。5.根据权利要求1所述的集成组合件，其中：所述第一接触衬垫具有所述第一导线从其突出的第一外表面；所述第二接触衬垫具有所述第二导线从其突出的第二外表面；所述第一导线延伸到所述区且具有与所述第二外表面横向地对准的第一端子端部；及所述第二导线延伸到所述第一连接区且具有与所述第一外表面横向地对准的第二端子端部。6.根据权利要求5所述的集成组合件，其中所述第一及第二接触衬垫为多边形，并且其中所述第一及第二外表面是平坦表面。7.根据权利要求6所述的集成组合件，其中所述多边形第一及第二接触衬垫为矩形。8.根据权利要求6所述的集成组合件，其中所述多边形第一及第二接触衬垫为正方形。9.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述第一及第二导线是数字线。10.根据权利要求9所述的集成组合件，其中所述第一及第二接触衬垫与感测放大器电路系统电耦合。11.一种集成组合件，其包括：第一连接区，其包括第一接触衬垫；第二连接区，其沿着第一方向从所述第一连接区偏移且包括第二接触衬垫；所述第一接触衬垫布置在第一组及第二组中，其中所述第一组的所述第一接触衬垫沿着基本上正交于所述第一方向的第二方向彼此对准，其中所述第二组的所述第一接触衬垫沿着所述第二方向彼此对准，并且其中所述第一组的所述第一接触衬垫沿着所述第一方向从所述第二组的所述第一接触衬垫偏移；所述第二接触衬垫布置在第三组及第四组中，其中所述第三组的所述第二接触衬垫沿着所述第二方向彼此对准，其中所述第四组的所述第二接触衬垫沿着所述第二方向彼此对准，并且其中所述第三组的所述第二接触衬垫沿着所述第一方向从所述第四组的所述第二接触衬垫偏移；存储器阵列区，其在所述第一及第二连接区之间；第一导线，其从所述第一连接区的所述第一接触衬垫跨越所述存储器阵列区延伸；第二导线，其从所述第二连接区的所述第二接触衬垫跨越所述存储器阵列区延伸；及所述第一导线、第二导线、第一接触衬垫及第二接触衬垫包括彼此相同的导电组成物。
12.根据权利要求11所述的集成组合件，其中所述存储器阵列是DRAM阵列。13...

【专利技术属性】
技术研发人员：横山雄一，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：