佐辅模型的构建方法、光学修正方法及装置、终端制造方法及图纸

一种佐辅模型的构建方法、光学修正方法及装置、终端，所述方法包括：确定设计图形及初始光学修正模型；获得所述设计图形对应的第一仿真图形；基于预设的卷积函数和第一数量个模型参数组构建第一数量个佐辅模型；将所述第一仿真图形分别输入到第一数量个佐辅模型以得到第一数量个第二仿真图形，或者，将所述设计图形分别输入到第一数量个佐辅模型以得到第一数量个第二仿真图形；分别确定第一数量个第二仿真图形、第一仿真图形与设计图形之间的偏差CD成本；根据所确定的偏差CD成本，从所述第一数量个佐辅模型中确定目标佐辅模型。本发明专利技术可以提高补偿效果，增强工艺制备后的保真度。增强工艺制备后的保真度。增强工艺制备后的保真度。

【技术实现步骤摘要】
佐辅模型的构建方法、光学修正方法及装置、终端


[0001]本专利技术涉及计算机
，尤其涉及一种佐辅模型的构建方法、光学修正方法及装置、终端。

技术介绍

[0002]当集成电路的特征尺寸接近光刻机曝光的系统极限，即特征尺寸接近或小于光刻光源时，硅片上制造出的版图会出现明显的畸变，该现象称为光学邻近效应。为了应对光学邻近效应，提出了分辨率增强技术进行光学修正，例如可以包括光学邻近修正（Optical Proximity Correction，OPC）技术、掩模工艺修正（Mask Proximity Correction，MPC）技术、电子束邻近修正（Electron
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beam Proximity Correction，EPC）技术等等。
[0003]以OPC为例，是在找到图形失真量与图形本身特性的关系基础上，计算出偏差（bias），随后将该偏差添加到主图形以对涉及版图所有各种图形进行全面的修改，以保证在曝光之后的半导体衬底上形成符合设计要求的图形，最大化晶圆上图案的保真度。
[0004]在现有技术中，可以基于规则表进行光学修正。具体地，与设计图形相对应的修正量被预先制成规则表，并根据规则表进行光学修正，当通过光学修正模型得到的模拟轮廓超出误差容限时，还可以通过修正规则表并重新执行光学修正。
[0005]然而，随着技术节点的进步，关键尺寸（Critical Dimension，CD）不断缩小，光学修正模型的精度以及制定规则表的复杂度越来越高，由于规则表的制定和修正均需要人工完成，因此需要耗费更多的人员工作时长，出现人为错误的可能性也相应提高，不仅容易影响光学修正效果，而且会延长产品生产时长，增加生产成本。

技术实现思路

[0006]本专利技术解决的技术问题是提供一种佐辅模型的构建方法、光学修正方法及装置、终端，可以提高补偿效果，增强工艺制备后的保真度。
[0007]为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种佐辅模型的构建方法，包括：步骤A：确定设计图形及初始光学修正模型，并确定所述设计图形在预设关键位置的设计CD；步骤B：基于所述初始光学修正模型，获得所述设计图形对应的第一仿真图形，并确定所述第一仿真图形在所述预设关键位置的第一仿真CD；步骤C：基于预设的卷积函数和第一数量个模型参数组构建第一数量个佐辅模型，其中，不同的模型参数组中至少包含所述卷积函数中的参数，且不同的模型参数组中参数值不完全相同，其中，第一数量的值为不小于2的整数；步骤D：将所述第一仿真图形分别输入到第一数量个佐辅模型以得到第一数量个第二仿真图形，或者，将所述设计图形分别输入到第一数量个佐辅模型以得到第一数量个第二仿真图形，并分别确定每一个第二仿真图形在所述预设关键位置的第二仿真CD；步骤E：根据所述设计CD、第一仿真CD以及第二仿真CD，分别确定第一数量个第二仿真图形、所述第一仿真图形与所述设计图形之间的偏差CD成本；步骤F：根据所确定的偏差CD成本，从所述第一数量个佐辅模型中确定目标佐辅模型。
[0008]可选的，所述根据所确定的偏差CD成本，从所述第一数量个佐辅模型中确定目标佐辅模型，包括：如果存在一个或多个偏差CD成本小于等于第一预设偏差CD成本阈值，则确定目标佐辅模型，所述目标佐辅模型为偏差CD成本不大于第二预设偏差CD成本阈值的第二仿真图形对应的佐辅模型。
[0009]可选的，所述根据所确定的偏差CD成本，从所述第一数量个佐辅模型中确定目标佐辅模型，包括：如果存在一个或多个偏差CD成本小于等于第一预设偏差CD成本阈值，则确定目标佐辅模型，所述目标佐辅模型为偏差CD成本最小的第二仿真图形对应的佐辅模型。
[0010]可选的，所述的佐辅模型的构建方法还包括：如果所确定的偏差CD成本均大于预设偏差CD成本阈值，则重新确定第二数量个模型参数组中的各个预设参数值并执行步骤C至E重新确定目标佐辅模型，直至存在一个或多个偏差CD成本小于预设偏差CD成本阈值的模型参数组。
[0011]可选的，基于预设的卷积函数和第一数量个模型参数组构建第一数量个佐辅模型，包括：确定第一数量个模型参数组和每个模型参数组中的各个预设参数值；将每个模型参数组中的预设参数值，代入预设的卷积函数，以构建第一数量个佐辅模型。
[0012]可选的，每一个佐辅模型均采用所述高斯卷积函数以及图形函数构成；其中，所述图形函数选自：基于所述设计图形确定的图形函数以及基于所述第一仿真图形确定的图形函数。
[0013]可选的，采用下述高斯卷积函数构建所述第一数量个佐辅模型：其中，用于表示第i个佐辅模型，用于表示基于所述设计图形确定的图形函数或基于所述第一仿真图形确定的图形函数，(x,y)用于表示在所述设计图形或所述第一仿真图形上的位置坐标，q
i
用于表示第i个模型参数组，每个模型参数组包含第一参数x
0i
、第二参数y
0i
、第三参数以及第四参数，其中，i为正整数，且i小于等于所述第一数量。
[0014]可选的，在基于预设的卷积函数和第一数量个模型参数组构建第一数量个佐辅模型之前，所述方法还包括：预先确定所述模型参数组中的各个参数的预设取值范围；对于每组模型参数组中的参数，在所述预设取值范围内随机赋值。
[0015]可选的，分别确定第一数量个第二仿真图形、所述第一仿真图形与所述设计图形之间的偏差CD成本包括：对于每个第二仿真图形的每个预设关键位置，分别确定所述第一仿真CD和第二仿真CD的CD之和，以及确定该CD之和与所述设计CD的差值；对于每个第二仿真图形，基于各个预设关键位置的差值，确定偏差CD成本。
[0016]可选的，对于每个第二仿真图形，采用下述成本函数，计算所述偏差CD成本：其中，用于表示第i个第二仿真图形的偏差CD成本，用于表示所述第一
仿真图形在第j个预设关键位置的CD，用于表示第i个第二仿真图形在第j个预设关键位置的CD，用于表示设计图形在第j个预设关键位置的CD，M用于表示所述预设关键位置的数量，其中，j为正整数，且1≤j≤M。
[0017]可选的，所述设计图形选自：掩膜版设计图形以及光刻设计图形。
[0018]为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种基于上述目标佐辅模型的光学修正方法，包括：将待修正图形输入到所述初始光学修正模型中，获取与所述待修正图形对应的第一修正仿真图形，并确定所述第一修正仿真图形在所述预设关键位置的第一修正仿真CD；基于上述的目标佐辅模型获得所述第一修正仿真图形对应的第二修正仿真图形，或者，基于上述的目标佐辅模型获得所述待修正图形对应的第二修正仿真图形，并确定所述第二修正仿真图形在所述预设关键位置的第二修正仿真CD；采用所述第一修正仿真CD以及第二修正仿真CD的和，对所述待修正图形进行修正。
[0019]为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种佐辅模型的构建装置，包括：设计CD确定模块，用于确定设计图形及初始光学修正模型，并确定所述设计图形在预设关键位置的设计CD；第一仿真本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种佐辅模型的构建方法，其特征在于，包括：步骤A：确定设计图形及初始光学修正模型，并确定所述设计图形在预设关键位置的设计CD；步骤B：基于所述初始光学修正模型，获得所述设计图形对应的第一仿真图形，并确定所述第一仿真图形在所述预设关键位置的第一仿真CD；步骤C：基于预设的卷积函数和第一数量个模型参数组构建第一数量个佐辅模型，其中，不同的模型参数组中至少包含所述卷积函数中的参数，且不同的模型参数组中参数值不完全相同，其中，第一数量的值为不小于2的整数；步骤D：将所述第一仿真图形分别输入到第一数量个佐辅模型以得到第一数量个第二仿真图形，或者，将所述设计图形分别输入到第一数量个佐辅模型以得到第一数量个第二仿真图形，并分别确定每一个第二仿真图形在所述预设关键位置的第二仿真CD；步骤E：根据所述设计CD、第一仿真CD以及第二仿真CD，分别确定第一数量个第二仿真图形、所述第一仿真图形与所述设计图形之间的偏差CD成本；步骤F：根据所确定的偏差CD成本，从所述第一数量个佐辅模型中确定目标佐辅模型。2.根据权利要求1所述的佐辅模型的构建方法，其特征在于，所述根据所确定的偏差CD成本，从所述第一数量个佐辅模型中确定目标佐辅模型，包括：如果存在一个或多个偏差CD成本小于等于第一预设偏差CD成本阈值，则确定目标佐辅模型，所述目标佐辅模型为偏差CD成本不大于第二预设偏差CD成本阈值的第二仿真图形对应的佐辅模型。3.根据权利要求1所述的佐辅模型的构建方法，其特征在于，所述根据所确定的偏差CD成本，从所述第一数量个佐辅模型中确定目标佐辅模型，包括：如果存在一个或多个偏差CD成本小于等于第一预设偏差CD成本阈值，则确定目标佐辅模型，所述目标佐辅模型为偏差CD成本最小的第二仿真图形对应的佐辅模型。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的佐辅模型的构建方法，其特征在于，还包括：如果所确定的偏差CD成本均大于预设偏差CD成本阈值，则重新确定第二数量个模型参数组中的各个预设参数值并执行步骤C至E重新确定目标佐辅模型，直至存在一个或多个偏差CD成本小于预设偏差CD成本阈值的模型参数组。5.根据权利要求1所述的佐辅模型的构建方法，其特征在于，基于预设的卷积函数和第一数量个模型参数组构建第一数量个佐辅模型，包括：确定第一数量个模型参数组和每个模型参数组中的各个预设参数值；将每个模型参数组中的预设参数值，代入预设的卷积函数，以构建第一数量个佐辅模型。6.根据权利要求1
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3任一项所述的佐辅模型的构建方法，其特征在于，每一个佐辅模型均采用高斯卷积函数以及图形函数构成；其中，所述图形函数选自：基于所述设计图形确定的图形函数以及基于所述第一仿真图形确定的图形函数。7.根据权利要求5所述的佐辅模型的构建方法，其特征在于，采用下述高斯卷积函数构建所述第一数量个佐辅模型：
其中，用于表示第i个佐辅模型，用于表示基于所述设计图形确定的图形函数或基于所述第一仿真图形确定的图形函数，(x,y)用于表示在所述设计图形或所述第一仿真图形上的位置坐标，q
i
用于表示第i个模型参数组，每个模型参数组包含第一参数x
0i
、第二参数y
0i
、第三参数以及第四参数，其中，i为正整数，且i小于等于所述第一数量。8.根据权利要求1所述的佐辅模型的构建方法，其特征在于，在基于预设的卷积函数和第一数量个模型参数组构建第一数量个佐辅模型之前，所述方法还包括：预先确定所述模型参数组中的各个参数的预设取值范围；对于每组模型参数组中的参数，在所述预设取值范围内随机赋值。9.根据权利要求1所述的佐辅模型的构建方法，其特征在于，分别确定第一数量个第二仿真图形、所述第一仿真图形与所述设计图形之间的偏差CD成本包括：对于每个第二仿真图形的每个预设关键位置，分别确定所述第一仿真CD和第二仿真CD...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：全芯智造技术有限公司，
类型：发明
国别省市：