【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例主要涉及半导体领域，并且更具体地，涉及静态随机存储器的测试系统和测试方法。
技术介绍
1、sram (static random-acess memory) 由于具备读写速度快、工作稳定等特点，因此在便携式移动电子社设备、片上系统(systems on chip, soc)等设备中扮演了重要的角色。一般情况下，工艺方面造成良率损失的主要原因有以下一些情况：1)工艺上金属层出现短路；2)工艺上通孔（via）或接触孔（contact）出现短路或接触不良；3)晶圆一致性不好，某部分区域有一定良率，但其他区域无良率或良率很低；4) sram位单元（bitcell）区域由于小于常规规则，实际工艺裕度不够，出现短路情况；以及5）sram位单元器件在不同工艺角下，性能不同，有些工艺角下与预定目标范围偏差较大，导致良率较低。
2、定位sram中的接触孔造成的失效问题的一种常规方法是：通过器件性能参数的分布找到失效sram区域中具体的失效位置，然后采用聚焦离子束（fib）制样来制备样品并通过透射电子显微镜（tem）进行观察，在t...
【技术保护点】
1.一种用于静态随机存储器的测试系统，包括：
2.根据权利要求1所述的测试系统，其中所述多个待测存储单元中的待测存储单元包括第一上拉晶体管和第二上拉晶体管，以及
3.根据权利要求2所述的测试系统，其中：
4.根据权利要求2所述的测试系统，其中：
5.根据权利要求2所述的测试系统，其中所述待测存储单元还包括将所述一者的源极电连接至所述第一上拉晶体管和所述第二上拉晶体管中的另一者的栅极的第二共享接触孔；以及
6.根据权利要求1所述的测试系统，其中所述测试结构还包括：
7.根据权利要求1所述的测试系统，
【技术特征摘要】
1.一种用于静态随机存储器的测试系统，包括：
2.根据权利要求1所述的测试系统，其中所述多个待测存储单元中的待测存储单元包括第一上拉晶体管和第二上拉晶体管，以及
3.根据权利要求2所述的测试系统，其中：
4.根据权利要求2所述的测试系统，其中：
5.根据权利要求2所述的测试系统，其中所述待测存储单元还包括将所述一者的源极电连接至所述第一上拉晶体管和所述第二上拉晶体管中的另一者的栅极的第二共享接触孔；以及
6.根据权利要求1所述的测试系统，其中所述测试结构还包括：
7.根据权利要求1所述的测试系统，还包括：
8.根据权利要求1所述的测试系统，其中用于所述多个待测晶体管的多个共享接触孔中的至少一些的尺寸在不同的两个方向中的至少一个方向上增大或减小。
9.根据权利要求1所述的测试系统，其中用于所述多个待测晶体管的多个共享接触孔中的至少一些在不同的两个方...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：全芯智造技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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