【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例涉及半导体和集成电路的设计技术，更具体地，涉及对离子注入过程进行模拟的方法、电子设备和计算机可读存储介质。
技术介绍
1、离子注入是半导体和集成电路制造过程中的重要步骤和环节，其可以将具有一定能量的带电离子注入到半导体材料中。通过将加速的高能带电离子束精确注入晶体材料基体，可以实现对掺杂元素空间分布的可控调节。由此，可以以精确和可控的方式来改变半导体材料的电特性，从而帮助集成电路实现复杂功能。
2、为了对诸如离子注入之类的半导体工艺进行优化，可以利用计算机辅助设计技术（technology computer aided design, tcad）来模拟离子注入、扩散和氧化等物理过程，从而为真实工艺提供结果预测。tcad有助于改进半导体制造过程的工艺参数，从而减少实验和研发成本。然而，目前的tcad对于一些离子注入场景的处理表现不佳。例如，针对离子注入到多组分材料的场景，当前模拟过程的精确度较差，难以为真实的离子注入提供有效预测。
技术实现思路
1、基于上述问题，根...
【技术保护点】
1.一种对离子注入过程进行模拟的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所确定网格单元处的晶格常数通过以下至少一项来确定：
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述元素组分包括元素的摩尔组分。
4.根据权利要求1所述的方法，还包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述映射关系包括哈希映射。
6.根据权利要求1所述的方法，其中确定多个晶胞中的原子的位置包括：
7.根据权利要求1所述的方法，其中确定所述多个晶胞中的原子的类型包括：
8.根据权利要求1所述的方法，其中生成在所述注入...
【技术特征摘要】
1.一种对离子注入过程进行模拟的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所确定网格单元处的晶格常数通过以下至少一项来确定：
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述元素组分包括元素的摩尔组分。
4.根据权利要求1所述的方法，还包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述映射关系包括哈希映射。
6.根据权利要求1所述的方法，其中确定多个晶胞...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：全芯智造技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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