【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例主要涉及集成电路，并且更具体地，涉及多重图形化方法、电子设备及计算机可读存储介质。
技术介绍
1、计算光刻技术是90年代至今图形微缩技术继续向前发展的重要推动因素。计算光刻技术旨在现有光刻机等设备硬件环境不变的情况下，通过提升分辨率等软件技术，使得曝光最小尺寸突破硬件的限制，极大地推动了半导体先进工艺向前发展。
2、在光刻技术中，在采用同样波长的光刻机（例如湿法光刻的193nm光源光刻机）的情况下，金属连线层在采用特殊光源的情况下，单次曝光在单方向可以解析的大小为38nm/38nm（pitch 76nm）。
3、在先进半导体工艺的后段金属连线层（或称金属层）中，有一类的图形是单方向的最小节距（pitch）为76nm。由于需要采用特殊光源，因此在另一方向上的解析度会比较差，具体表现为线端的稳定性表现不佳。此外，由于需要兼顾边缘图形的工艺窗口，往往需要进行设计版图的重新定位，进而需要调节上下层的通孔设计的位置。上述方案存在流程复杂并且精度可能无法保证的缺陷。
技术实现思路b>
1本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种多重图形化方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，所述设计版图中金属层的引线沿第一方向延伸，且所述第一掩模中交替地设置有沿所述第一方向延伸且贯穿所述第一掩模的透光部和非透光部。
3.根据权利要求2所述的方法，所述第二掩模中包括由各个引线沿与所述第一方向垂直的第二方向扩展第一预定距离而生成的扩展区域。
4.根据权利要求2所述的方法，其中基于设计版图生成第一掩模包括：
5.根据权利要求3所述的方法，其中基于所述设计版图生成第二掩模包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其中对所述设计版图中的图形进行第一...
【技术特征摘要】
1.一种多重图形化方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，所述设计版图中金属层的引线沿第一方向延伸，且所述第一掩模中交替地设置有沿所述第一方向延伸且贯穿所述第一掩模的透光部和非透光部。
3.根据权利要求2所述的方法，所述第二掩模中包括由各个引线沿与所述第一方向垂直的第二方向扩展第一预定距离而生成的扩展区域。
4.根据权利要求2所述的方法，其中基于设计版图生成第一掩模包括：
5.根据权利要求3所述的方法，其中基于所述设计版图生成第二掩模包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其中对所述设计版图中的图形进行第一逻辑运算以扩展所述引线的宽度包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其中：
8.根据权利要求1所述的方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：全芯智造技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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