【技术实现步骤摘要】
一种彩虹膜制作方法
[0001]本专利技术涉及膜体加工
,具体为一种彩虹膜制作方法。
技术介绍
[0002]由于科技的进步及社会的发展,电子产品除了产品本身功能加强外,其外观的视觉效果也成为整体评价的指标之一。特殊的视觉效果也对其外壳表面装饰也提出了更高的要求。
[0003]目前一般采用在外壳表面进行电镀、涂敷涂料等多种装饰手段,但是电镀色彩比较单一,不够亮丽,涂覆的耐磨性和稳定性差。针对上述问题,急需在原有涂料制备方法的基础上进行创新设计。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种彩虹膜制作方法,以解决上述
技术介绍
提出的目前一般采用在外壳表面进行电镀、涂敷涂料等多种装饰手段,但是电镀色彩比较单一,不够亮丽,涂覆的耐磨性和稳定性差的问题。
[0005]为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种彩虹膜制作方法,包括如下步骤:
[0006]S1:将基材平铺,在基材表面镀制具有折射率的单层膜;
[0007]S2:清洁S1步骤镀制的膜面,在膜面上均匀旋涂光刻胶;
[0008]S3:采用光刻机对基材进行曝光;
[0009]S4:将曝光后的单层膜置于溶液中显影得到所需的掩膜图样;
[0010]S5:采用反应离子束刻蚀技术将掩膜图样转移至单层膜上,控制刻蚀时间达到所需微结构的高度和形状;
[0011]S6:清洁刻蚀产生的残留物。
[0012]优选的,所述步骤S1中基材表面镀上具有折射率的材料层由高折射率材料层和低折射率 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种彩虹膜制作方法,其特征在于,包括如下步骤:S1:将基材平铺,在基材表面镀制具有折射率的单层膜;S2:清洁S1步骤镀制的膜面,在膜面上均匀旋涂光刻胶;S3:采用光刻机对基材进行曝光;S4:将曝光后的单层膜置于溶液中显影得到所需的掩膜图样;S5:采用反应离子束刻蚀技术将掩膜图样转移至单层膜上,控制刻蚀时间达到所需微结构的高度和形状;S6:清洁刻蚀产生的残留物。2.根据权利要求1所述的一种彩虹膜制作方法,其特...
【专利技术属性】
技术研发人员:韩乾敬,
申请(专利权)人:深圳市博森达光电有限公司,
类型:发明
国别省市:
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