发光装置及发光元件制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种发光装置，包括：发光元件和波长转换层，所述发光元件发出的第一波长的光经所述波长转换层转换成第二波长的光和第三波长的光；其中，所述发光元件包括第一接触层，所述第一接触层对第三波长的反射率大于85%，从而可以增加经过波长转换层转换的第二波长的光、第三波长的光反射到发光元件表面上的光线的反射率，从而提高发光装置的白光转换效率和光取出效率。效率和光取出效率。效率和光取出效率。

【技术实现步骤摘要】
发光装置及发光元件


[0001]本专利技术涉及一种发光装置，且特别是涉及一种包含一发光元件的发光装置。

技术介绍

[0002]发光二极管(Light
‑
Emitting Diode ,LED)为固态半导体发光元件，其优点为功耗低、产生的热能低、工作寿命长、防震、体积小、反应速度快和具有良好的光电特性，例如稳定的发光波长。因此，发光二极管被广泛应用于家用电器、设备指示灯及光电产品等。
[0003]现有部分发光元件以反射金属层作为主要反射镜材料，以实现较好的发光元件出射光的反射。然而，反射金属层并不是整面覆盖在发光元件的表面上，在与N欧姆接触电极接触的发光元件表面未被反射金属层覆盖，因此N欧姆接触电极材料的反射率同样也会影响发光元件的亮度。
[0004]中国专利文献CN202110839925.5公开了一种发光二极管，包括：第一半导体层、有源层、第二半导体层、形成在第二半导体层上的第二金属反射层以及与第一半导体层形成欧姆接触的第一金属反射层，其中第一金属反射层采用Al与第一半导体层直接接触，以增加N欧姆接触电极的反射率，进而提升发光元件的亮度。

技术实现思路

[0005]根据本专利技术的一实施例，提供了一种发光装置，包括：发光元件，所述发光元件发出第一波长的光；波长转换层，覆盖于所述发光元件，所述波长转换层包括第一波长转换材料和第二波长转换材料，所述发光元件发出的第一波长的光经所述第一波长转换材料转换成第二波长的光，所述发光元件发出的第一波长的光经所述第二波长转换材料转换成第三波长的光；其中，所述发光元件包括：半导体叠层，所述半导体叠层包括第一半导体层、第二半导体层以及位于所述第一半导体层和第二半导体层之间的有源层；接触层，包括部分与所述第一半导体层接触；其中，所述接触层对第三波长的反射率大于85%，所述接触层对所述第三波长的反射率大于所述第一波长的反射率，所述接触层对所述第二波长的反射率大于所述第一波长的反射率。
[0006]如上所述，本专利技术提供一种发光装置，该发光装置包含发光元件以及波长转换层；波长转换层使发光元件发射的第一波长的光经波长转换层转换成第二波长的光、第三波长的光。其中，发光元件包含第一接触层，使第一接触层对第三波长的反射率大于85%，可以增加经过波长转换材料转换的第二波长的光、第三波长的光反射到发光元件表面上的光线的反射率，从而提高发光装置的白光转换效率和光取出效率。
附图说明
[0007]图1为本专利技术一实施例所揭示的发光装置1的剖面图；图2为本专利技术一实施例中所揭示的发光元件2形成半导体叠层的剖面图；图3、图4以及图5为本专利技术一实施例中所揭示的发光元件2形成半导体结构的俯视图、局部放大图以及剖面图；图6、图7以及图8为本专利技术一实施例中所揭示的发光元件2形成透明导电层的俯视图、局部放大图以及剖面图；图9、图10以及图11为本专利技术一实施例中所揭示的发光元件2形成第一绝缘层的俯视图、局部放大图以及剖面图；图12、图13以及图14为本专利技术一实施例中所揭示的发光元件2形成金属层的俯视图、局部放大图以及剖面图；图15、图16以及图17为本专利技术一实施例中所揭示的发光元件2形成第二绝缘层的俯视图、局部放大图以及剖面图；图18、图19以及图20为本专利技术一实施例中所揭示的发光元件2形成接触层的俯视图、局部放大图以及剖面图；图21、图22以及图23为本专利技术一实施例中所揭示的发光元件2形成第三绝缘层的俯视图、局部放大图以及剖面图；图24和图25为本专利技术一实施例中所揭示的发光元件2形成接触层的俯视图以及剖面图；图26为Al与Cr/Ag对400~700nm波段的反射率图；图27为Cr/Ag中的Cr为不同厚度时对400~700nm波段的反射率图；图28为本专利技术一实施例所揭示的发光元件3的剖面图。
具体实施方式
[0008]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0009]图1为本专利技术一实施例的发光装置1的示意图。发光装置1包括：封装支架110、发光元件2、反射层130以及波长转换层140。
[0010]封装支架110包括底座111和侧板112，底座111和侧板112可以一体成型也可以是分开成型。底座111具有相对设置的第一表面111a和第二表面111b，侧板112沿底座111的周向布置在第一表面111a上。底座111和侧板112围合成一个用于容纳发光元件2的空腔120，侧板112靠近空腔120一侧的侧壁为侧板112内壁112s。封装支架110还包括第一电极垫113和第二电极垫114。在另一些实施例，该封装支架也可以为平面型基板。
[0011]发光元件2以倒装芯片的形式安装于底座111的第一表面111a上。发光元件2的第一焊盘电极291和第二焊盘电极292分别与第一电极垫113、第二电极垫114电性连接。倒装芯片安装是将与焊盘电极290形成面相对的衬底侧向上设为主要的光取出面。在另一些实施例，发光元件2也可以是以垂直芯片的结构安装于发光装置1中。
[0012]反射层130设置在侧板112上，可以减少封装支架110对发光元件2出光的吸收，提
高了半导体发光装置的出光效率。具体的，反射层130可以为金属反射层（如Ag、Al等高反射率的材料），或者绝缘反射层（例如DBR），或者反光胶材（例如白胶），其厚度优选为5μm以下。
[0013]波长转换层140覆盖于发光元件2的表面，将发光元件2密封于封装支架110上。波长转换层140由胶层141和波长转换材料142组成。胶层141将波长转换材料142分散在发光元件2的周围，波长转换材料142和发光元件2配合发出白光。胶层141的材料包括硅胶及环氧树脂中的至少一种。波长转换材料142可以由荧光粉、量子点、有机荧光/磷光材料的一种或多种组合而成。在一实施例中，波长转换材料142可以是荧光粉，包括红粉((SrxCa1
‑
x)AlSiN3)和黄粉或者绿粉(YAG、LuAG、GaYAG等)，从而可以接受不同的波长的发光元件2的激发，最终发出白光。
[0014]在一些具体的应用场景中（例如植物照明），波长转换材料142可以包括第一波长转换材料142a和第二波长转换材料142b，该发光元件2发出第一波长的光，经第一波长转换材料142a转换成第二波长的光，经第二波长转换材料142b转换成第三波长的光，可以使发光装置1发出的光具有更宽的色域、更接近太阳光光谱。在一个优选的实施中，该发光元件2发出430nm~470nm波长的蓝光经第一波长转换材料142a转换成560nm~600nm波长的黄光，发光元件2发射的蓝光经第二波长转换材料142b转换成620nm~700nm波长的红光，如此发光装置1发出的白光具有更宽的色域且更接近太阳光的色谱。
[0015]以下，以安装于发光装置1内的发光元件2进行详细说明。
[0016]图2至图25为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光装置，其特征在于，包括：发光元件，所述发光元件发出第一波长的光；波长转换层，覆盖于所述发光元件，所述波长转换层包括第一波长转换材料和第二波长转换材料，所述发光元件发出的第一波长的光经所述第一波长转换材料转换成第二波长的光，所述发光元件发出的第一波长的光经所述第二波长转换材料转换成第三波长的光；其中，所述发光元件包括：半导体叠层，所述半导体叠层包括第一半导体层、第二半导体层以及位于所述第一半导体层和第二半导体层之间的有源层；接触层，包括部分与所述第一半导体层接触；其中，所述接触层对第三波长的反射率大于85%，所述接触层对所述第三波长的反射率大于所述第一波长的反射率，所述接触层对所述第二波长的反射率大于所述第一波长的反射率。2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第一波长的波段为430nm~470nm，所述第二波长的波段为560nm~600nm，所述第三波长的波段为620nm~700nm。3.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述接触层与所述第一半导体层接触的材料为铬层。4.根据权利要求3所述的发光装置，其特征在于，所述铬层的厚度为5~20埃。5.根据权利要求3所述的发光装置，其特征在于，所述铬层上具有一层银层，所述银层的厚度为50~300...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱秀山，陈吉，李燕，荆琪，张中英，蔡吉明，卢志龙，
申请(专利权)人：泉州三安半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：