一种发光装置与其制造方法，发光装置包括基板、设置于基板上的数个发光二极管、以及反射型光阻。发光二极管包括第一电极与第二电极，其中第一电极与第二电极设置于发光二极管的第一表面，第一表面面向基板。反射型光阻设置于发光二极管之间并直接接触发光二极管的侧表面，其中至少一部分的反射型光阻设置发光二极管的第一电极与第二电极之间。二极管的第一电极与第二电极之间。二极管的第一电极与第二电极之间。
【技术实现步骤摘要】
发光装置与其制造方法
[0001]本公开案涉及一种发光装置与其制造方法，且特别涉及一种用于显示器的发光装置与其制造方法。
技术介绍
[0002]发光二极管(light emitting diode,LED)以其体积小、功率低、使用寿命长、高亮度以及主动发光等优点，而被广泛应用于照明及显示等
当LED应用于显示器时，LED尺寸的微缩与间距的减小可有助于提高显示器的分辨率。
技术实现思路
[0003]根据本公开案的一些实施例，一种发光装置包括基板、设置于基板上的数个发光二极管、以及反射型光阻(光刻胶)。发光二极管包括第一电极与第二电极，其中第一电极与第二电极设置于发光二极管的第一表面，第一表面面向基板。反射型光阻设置于发光二极管之间并直接接触发光二极管的侧表面，其中至少一部分的反射型光阻设置发光二极管的第一电极与第二电极之间。
[0004]在一些实施例中，反射型光阻直接接触发光二极管的第一表面。
[0005]在一些实施例中，反射型光阻具有第一高度，反射型光阻完全密合在第一高度以下的发光二极管的侧表面。
[0006]在一些实施例中，反射型光阻进一步完全密合发光二极管的第一表面。
[0007]在一些实施例中，发光二极管包括发光层，反射型光阻的第一高度大于发光层的第二高度。
[0008]在一些实施例中，发光装置进一步包括光学功能层，设置于反射型光阻上。
[0009]在一些实施例中，光学功能层包括吸光层，吸光层的顶表面等高或高于发光二极管的顶表面。
[0010]在一些实施例中，光学功能层包括反射层，反射层和反射型光阻共同具有第三高度，第三高度大于发光层的第二高度。
[0011]在一些实施例中，光学功能层包括挡墙结构，挡墙结构的顶表面高于发光二极管的顶表面。
[0012]在一些实施例中，发光装置进一步包括色转换层，设置在光学功能层之中且在发光二极管上。
[0013]在一些实施例中，反射型光阻具有大于60％的反射率。
[0014]在一些实施例中，反射型光阻包括数个散射粒子。
[0015]在一些实施例中，反射型光阻造成散射性反射。
[0016]在一些实施例中，发光装置进一步包括工作件设置于反射型光阻上，其中反射型光阻与工作件之间存在空气。
[0017]根据本公开案的一些实施例，一种制造发光装置的方法包括设置数个发光二极管
在基板上。制造发光装置的方法还包括在设置发光二极管在基板上之后，填入光阻材料至发光二极管之间及发光二极管的第一电极与第二电极之间，其中光阻材料直接接触发光二极管的侧表面。
[0018]在一些实施例中，填入光阻材料至发光二极管的第一电极与第二电极之间包括使光阻材料完全填满第一电极与第二电极之间的空间。
[0019]在一些实施例中，填入光阻材料至发光二极管之间包括使光阻材料的填入高度大于发光二极管的发光层的高度。
[0020]在一些实施例中，光阻材料包括数个散射粒子在光阻材料内。
[0021]在一些实施例中，制造发光装置的方法进一步包括执行光刻工艺以移除光阻材料的一部分，其中这一部分位于发光二极管的顶表面上。
[0022]在一些实施例中，制造发光装置的方法进一步包括执行热处理以固化光阻材料而形成反射型光阻。
[0023]本公开案的实施例提供发光装置与其制造方法，通过填充的方式，将反射型光阻材料填入LED之间的空间和LED的接触件之间的空间内，以在LED的周围和底部形成反射型光阻。反射型光阻可减少LED的光损并降低LED之间的混光现象，从而提升光源的出光效率。
附图说明
[0024]阅读以下实施方法时搭配附图以清楚理解本公开案的观点。应注意的是，根据业界的标准做法，各种特征并未按照比例绘制。事实上，为了能清楚地讨论，各种特征的尺寸可能任意地放大或缩小。再者，相同的附图标记表示相同的元件。
[0025]图1为依据本公开案一些实施例示出发光装置的截面图。
[0026]图2为依据本公开案一些实施例示出图1中的发光装置的局部放大截面图。
[0027]图3A至图3D为依据本公开案一些实施例示出制造图1的发光装置在各个操作阶段的截面图。
[0028]图4至图9为依据本公开案另一些实施例示出发光装置的截面图。
[0029]图10为依据本公开案一些实施例示出具有色转换层的发光装置的截面图。
[0030]图11为依据本公开案另一些实施例示出具有色转换层的发光装置的截面图。
[0031]附图标记说明：
[0032]100：发光装置
[0033]110：基板
[0034]112A：接触件
[0035]112B：接触件
[0036]120：发光二极管(light emitting diode,LED)
[0037]122A：电极
[0038]122B：电极
[0039]130：反射型光阻
[0040]200：半导体叠层
[0041]202：未掺杂半导体层
[0042]204：N型掺杂半导体层
[0043]206：发光层
[0044]208：P型掺杂半导体层
[0045]210：保护层
[0046]300：光刻工艺
[0047]310：热处理
[0048]400：发光装置
[0049]410：粘着层
[0050]420：工作件
[0051]500：发光装置
[0052]510：空气
[0053]600：发光装置
[0054]610：第一光学功能层
[0055]700：发光装置
[0056]710：第二光学功能层
[0057]800：发光装置
[0058]900：发光装置
[0059]1000：发光装置
[0060]1010：色转换层
[0061]1010B：色转换单元
[0062]1010G：色转换单元
[0063]1010R：色转换单元
[0064]1020：第三光学功能层
[0065]1022：挡墙结构
[0066]1024：吸光层
[0067]1100：发光装置
[0068]1120：第四光学功能层
[0069]1122：吸光层
[0070]1124：反射层
[0071]H1：第一高度
[0072]H2：第二高度
[0073]H3：第三高度
[0074]H4：第四高度
[0075]H5：第五高度
[0076]P：节距
[0077]S1：第一表面
[0078]S2：第二表面
[0079]S3：第三表面
[0080]S4：第四表面
[0081]S5：第五表面
[0082]S6：第六表面
[0083]S7：第七表本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光装置，包括：一基板；多个发光二极管，设置于该基板上，包括一第一电极与一第二电极，其中该第一电极与该第二电极设置于该些发光二极管的一第一表面，该第一表面面向该基板；以及一反射型光阻，设置于该些发光二极管之间并直接接触该些发光二极管的侧表面，其中至少一部分的该反射型光阻设置于该些发光二极管的该第一电极与该第二电极之间。2.如权利要求1所述的发光装置，其中该反射型光阻直接接触该些发光二极管的该第一表面。3.如权利要求1所述的发光装置，该反射型光阻完全密合在该第一高度以下的该些发光二极管的侧表面。4.如权利要求3所述的发光装置，其中反射型光阻进一步完全密合该些发光二极管的该第一表面。5.如权利要求1所述的发光装置，其中该些发光二极管包括一发光层，该反射型光阻的一第一高度大于该发光层的一第二高度。6.如权利要求1所述的发光装置，进一步包括一光学功能层，设置于该反射型光阻上。7.如权利要求6所述的发光装置，其中该光学功能层包括一吸光层，该吸光层的顶表面等高或高于该些发光二极管的顶表面。8.如权利要求6所述的发光装置，其中该光学功能层包括一反射层，该反射层和该反射型光阻共同具有一第三高度，该第三高度大于该发光层的一第二高度。9.如权利要求6所述的发光装置，其中该光学功能层包括一挡墙结构，该挡墙结构的顶表面高于该些发光二极管的顶表面。10.如权利要求6所述的发光装置，进一步包括一色转换层，设置在该光学功能层之中且在该些发光二极管上...
【专利技术属性】
技术研发人员：詹钧翔，李锡烈，范姜士奇，贾立凯，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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