具备抗静电的AR薄膜、显示组件及显示设备制造技术

本发明专利技术公开了具备抗静电的AR薄膜、显示组件及显示设备，其中AR薄膜，包括顺次设置的基材、抗静电涂层以及防反射层，防反射层为采用溅射形成的，防反射层至少包括有若干交替排列的二氧化硅层和五氧化二铌层；抗静电涂层的抗静电值为106‑

【技术实现步骤摘要】
具备抗静电的AR薄膜、显示组件及显示设备


[0001]本专利技术是关于电子
，特别是关于一种具备抗静电的AR薄膜、显示组件及显示设备。

技术介绍

[0002]近年来，TAC(三醋酸纤维薄膜)和PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)基材在电子显示屏上的应用越来越广泛和深入。TAC和PET本身的绝缘性能，在接触和摩擦过程中容易产生和聚集静电荷。一定量的静电荷的存在会对TAC和PET的电子产品造成静电冲击，会破坏电子产品性能和引发安全事故，也会因为表面静电出现尘埃吸附。与此同时，电子显示屏表面的高反射会导致用户无法看清屏幕上的内容，严重影响体验，因此我们需要进行减反射处理，实现防反射(Anti
‑
Reflective)的最终目的。
[0003]防反射层(AR)的一般可以采用三种方法成膜，包括真空蒸发、湿法涂布和磁控溅射镀膜。其中真空蒸发镀膜的镀膜均匀性差，薄膜涂层的附着力差，重复性差，难以获得结晶结构的薄膜。湿法涂布的平均反射率较高，平均反射率在1％以上，减反射效率低。因此选用磁控溅射来进行镀膜，平均反射率在0.5％左右且均一性好。但是现有方案中磁控溅射镀膜技术不足以兼顾光通过以及使用者视觉感受方面的需求，难以满足智能设备的显示需求。
[0004]公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种具备抗静电的AR薄膜、显示组件及显示设备，通过优化复合结构的防反射层，从而有效改善了薄膜的防反射和高透光率性能，并且防反射层具有良好的成型可控性，均一性好，有利于改善显示性能。
[0006]为实现上述目的，本专利技术的实施例提供了具备抗静电的AR薄膜，包括顺次设置的基材、抗静电涂层以及防反射层，防反射层为采用溅射形成的，防反射层至少包括有若干交替排列的二氧化硅层和五氧化二铌层；抗静电涂层的抗静电值为106‑
109Ω。
[0007]在本专利技术的一个或多个实施方式中，防反射层包括第一五氧化二铌层、第一二氧化硅层、第二五氧化二铌层、第二二氧化硅层，第一五氧化二铌层与抗静电涂层相邻。
[0008]在本专利技术的一个或多个实施方式中，第一五氧化二铌层厚度为10
‑
20nm。
[0009]在本专利技术的一个或多个实施方式中，第一二氧化硅层厚度为20
‑
35nm。
[0010]在本专利技术的一个或多个实施方式中，第二五氧化二铌层厚度为110
‑
130nm。
[0011]在本专利技术的一个或多个实施方式中，第二二氧化硅层厚度为70
‑
100nm。
[0012]在本专利技术的一个或多个实施方式中，二氧化硅层的折射率为1.42
‑
1.5。
[0013]在本专利技术的一个或多个实施方式中，五氧化二铌层的折射率为2.1
‑
2.5。
[0014]在本专利技术的一个或多个实施方式中，显示组件，包括具有显示界面的显示器以及
如前述的AR薄膜，AR薄膜设置于显示界面。显示组件可以为如液晶显示器组件等，此时AR薄膜设置于该液晶显示组件的屏幕表面。
[0015]在本专利技术的一个或多个实施方式中，显示设备，包括安装框架以及如前述的显示组件，显示组件连接到安装框架。
[0016]与现有技术相比，根据本专利技术实施方式的具备抗静电的AR薄膜、显示组件及显示设备，主要改进的AR薄膜，通过高折射率
‑
低折射率
‑
高折射率
‑
低折射率这种四层结构的叠加来起到降低反射率的作用。与现有方案相比，优化后的方案，可以将400
‑
700nm宽波段的反射整体降下来，平均反射率在0.5％左右且均一性好。干法磁控溅射的AR层与湿法涂布的抗静电层之间的层间附着力很好，且湿法的的抗静电层不会影响AR的性能。与此同时，干法磁控溅射的AR叠层不会影响抗静电涂层的抗静电性，在AR表层，抗静电值依旧稳定可测。
附图说明
[0017]图1是根据本专利技术一实施方式的具备抗静电的AR薄膜的结构示意图；
[0018]图2是根据本专利技术实施例21的反射曲线。
具体实施方式
[0019]下面结合本专利技术的具体实施方式，对本专利技术技术方案进行示例性的详细描述，但应当理解本专利技术的保护范围并不受具体实施方式的限制。
[0020]除非另有其它明确表示，否则在整个说明书和权利要求书中，术语“包括”或其变换如“包含”或“包括有”等等将被理解为包括所陈述的元件或组成部分，而并未排除其它元件或其它组成部分。
[0021]如图1所示，根据本专利技术优选实施方式的AR薄膜，包括顺次设置的基材1、抗静电涂层2以及防反射层(设置四层时如图1所示的包括第一五氧化二铌层3、第一二氧化硅层4、第二五氧化二铌层5、第二二氧化硅层6)，抗静电涂层的抗静电值为106‑
109Ω。
[0022]在如下所示的实施例中以如下限定为例：二氧化硅层的折射率为1.42；五氧化二铌层的折射率为2.1。
[0023]实施例11：本实施例的的AR薄膜，其中抗静电层涂层厚度为600nm。丙烯酸类树脂20份，乙氧基化硼酸脂类抗静电剂2.5份，光引发剂3.5份，分散剂3份，氧化锆11份，甲基乙基酮20份，丙二醇甲醚40份。
[0024]实施例12：本实施例的的AR薄膜，其中抗静电层涂层厚度为600nm。丙烯酸类树脂20份，乙氧基化硼酸脂类抗静电剂5份，光引发剂3份，分散剂2份，氧化锆10份，甲基乙基酮20份，丙二醇甲醚40份。
[0025]实施例13：本实施例的的AR薄膜，其中抗静电层涂层厚度为600nm。丙烯酸类树脂20份，乙氧基月桂酷胺类抗静电剂2.5份，光引发剂3.5份，分散剂3份，氧化锆11份，甲基乙基酮20份，丙二醇甲醚40份。
[0026]实施例14：本实施例的的AR薄膜，其中抗静电层涂层厚度为600nm。丙烯酸类树脂20份，乙氧基月桂酷胺类抗静电剂5份，光引发剂3份，分散剂2份，氧化锆10份，甲基乙基酮20份，丙二醇甲醚40份。
[0027]实施例15：本实施例的的AR薄膜，其中抗静电层涂层厚度为600nm。丙烯酸类树脂
20份，甘油
‑
硬脂酸酯类抗静电剂2.5份，光引发剂3.5份，分散剂3份，氧化锆11份，甲基乙基酮20份，丙二醇甲醚40份。
[0028]实施例16：本实施例的的AR薄膜，其中抗静电层涂层厚度为600nm。丙烯酸类树脂20份，甘油
‑
硬脂酸酯类抗静电剂5份，光引发剂3份，分散剂2份，氧化锆10份，甲基乙基酮20份，丙二醇甲醚40份。
[0029]对比例11：本对比例的的AR薄膜，其中抗静电层涂层厚度为600nm。丙烯酸类树脂20份，市场上常见的阳离子型抗静电剂如Cyastat SN 2.本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具备抗静电的AR薄膜，包括顺次设置的基材、抗静电涂层以及防反射层，其特征在于，所述防反射层为采用溅射形成的，所述防反射层至少包括有若干交替排列的二氧化硅层和五氧化二铌层；所述抗静电涂层的抗静电值为106‑
109Ω。2.如权利要求1所述的具备抗静电的AR薄膜，其特征在于，所述防反射层包括第一五氧化二铌层、第一二氧化硅层、第二五氧化二铌层、第二二氧化硅层，所述第一五氧化二铌层与抗静电涂层相邻。3.如权利要求2所述的具备抗静电的AR薄膜，其特征在于，所述第一五氧化二铌层厚度为10
‑
20nm。4.如权利要求2所述的具备抗静电的AR薄膜，其特征在于，所述第一二氧化硅层厚度为20
‑
30nm。5.如权利要求2所述的具备抗静电的AR薄膜，...

【专利技术属性】
技术研发人员：严俊，汪金铭，于佩强，胡业新，刘世琴，
申请(专利权)人：江苏日久光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：