陶瓷电子部件、电路基板构造和制造陶瓷电子部件的方法技术

陶瓷电子部件包括素体、第一外部电极和第二外部电极。素体包括电介质、至少一个第一内部电极以及至少一个第二内部电极，第二内部电极通过插置在第一内部电极和第二内部电极之间的电介质层叠在第一内部电极上。素体具有顶面、底面、一对侧面、第一端面和第二端面，从而素体具有大致长方体形状。第一内部电极在第一端面上暴露。第二内部电极在第二端面上暴露。素体的侧面沿纵向方向凹入地弯曲，使得素体的纵向中央部分处的宽度小于端面处的宽度。第一外部电极形成在第一端面上并与第一内部电极电连接。第二外部电极形成在第二端面上并与第二内部电极电连接。二内部电极电连接。二内部电极电连接。

【技术实现步骤摘要】
陶瓷电子部件、电路基板构造和制造陶瓷电子部件的方法


[0001]本专利技术涉及陶瓷电子部件、电路基板构造和制造陶瓷电子部件的方法。

技术介绍

[0002]随着电子器件变得越来越小和越来越复杂，需要具有更高电容的更小多层陶瓷电容器。为了制造具有更高电容的更小多层陶瓷电容器，考虑使得陶瓷电介质层变薄并且增加陶瓷电介质层和内部电极层的数量。然而，在这样的方法中，可能会出现剥离，从而导致多层陶瓷电容器的特性和可靠性变差。
[0003]专利文献1公开了多层陶瓷电容器，其中电容器主体具有沿高度方向凹入地弯曲的侧面并且具有250MPa或更高的残余压缩应力。
[0004]专利文献2公开了芯片型电子部件，其中陶瓷体的堆叠方向上的至少一个表面是凸出地弯曲的第一曲面，其中陶瓷体的堆叠方向上的膨胀系数的绝对值大于5％，并且其中第一曲面的曲率半径为5.2mm或更小。
[0005]专利文献1：JP
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A
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2007
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123835
[0006]专利文献2：JP
‑
A
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2012
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015543
[0007]专利文献3：JP
‑
A
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2015
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65284

技术实现思路

[0008]然而，在专利文献1和2中公开的配置中，存储电荷的堆叠内部电极周围的残余应力大。其结果是，当对多层陶瓷电容器施加外部冲击或电负载时，多层陶瓷电容器中可能会出现裂纹，从而导致绝缘电阻和可靠性变差。
[0009]因此，本专利技术的目的在于提供一种陶瓷电子部件，其可以减小电介质层的厚度，同时抑制可靠性的变差；提供一种具有该陶瓷电子部件的电路基板构造；以及提供一种制造该陶瓷电子部件的方法。
[0010]根据本专利技术的一个方面，提供一种陶瓷电子部件，其包括：素体，其包括电介质、至少一个第一内部电极，以及经由插置在第一内部电极和第二内部电极之间的电介质层叠在第一内部电极上的至少一个第二内部电极，该素体具有顶面、底面、一对侧面、第一端面和第二端面，使得素体具有大致长方体形状，素体的侧面沿纵向方向凹入地弯曲，使得素体的纵向中央部分处的宽度小于端面处的宽度；第一外部电极，其形成在第一端面上并与第一内部电极电连接；和第二外部电极，其形成在第二端面并与第二内部电极电连接。
[0011]素体的侧面可以沿高度方向凹入地弯曲，并且侧面中的每个侧面可以具有沿高度方向的曲率半径，其可以在纵向中央部分最小并且可以随着去往端面而增加。
[0012]素体可以满足0＜(W3
‑
W1)/W3≤0.15，其中W1是在素体的高度方向上的中心处的纵向中央部分处的宽度，并且W3是在素体的高度方向上的中心处的端面处的宽度。
[0013]素体可以满足0.04<(W3
‑
W1)/W3≤0.12。
[0014]素体的顶面和底面可以沿纵向方向凸入地弯曲，使得素体的纵向中央部分的厚度
可以大于端面处的厚度。
[0015]素体的顶面和底面可以沿宽度方向凸出地弯曲，使得素体的横向中央部分的厚度可以大于横向两侧的厚度。
[0016]素体可以满足3.5≤[(W2
‑
W1)/W2]/[(T1
‑
T2)/T2]≤30，其中W1是在素体的高度方向上的中心处的纵向中央部分的宽度，W2是在素体的纵向中央部分处的上边缘和/或下边缘处的宽度，T1是在素体的宽度方向上的中心处的纵向中央部分处的厚度，并且T2是素体的横向两侧处的纵向中央部分处的厚度。
[0017]素体可以满足5.5≤[(W2
‑
W1)/W2]/[(T1
‑
T2)/T2]≤20。
[0018]陶瓷电子部件还可以包括密封树脂层，其覆盖素体的顶面、第一和第二外部电极中的每个的顶面、素体的侧面的上部，以及第一和第二外部电极中的每个的侧面的上部。
[0019]陶瓷电子部件可具有0.25mm至0.4mm范围内的长度、0.125mm至0.2mm范围内的宽度和0.125mm至0.2mm范围内的高度。
[0020]第一内部电极和第二内部电极之间的电介质可以具有0.2微米至0.5微米范围内的厚度。
[0021]素体的电介质的平均结晶粒径可以在80纳米至200纳米的范围内。
[0022]第一内部电极和第二内部电极的厚度可以在0.2微米至0.8微米范围内。
[0023]陶瓷电子部件的电容可以在10至1000μF的范围内。
[0024]用于第一和第二外部电极的材料的主要成分可以是Ni。
[0025]根据本专利技术的另一方面，提供电路基板构造，包括：电路基板；以及安装在电路基板上的陶瓷电子部件，其经由附着到第一和第二外部电极的焊料层连接到电路基板，焊料层中的每个焊料层润湿至第一外部电极或第二外部电极的端面。
[0026]根据本专利技术的另一方面，提供制造陶瓷电子部件的方法，该方法包括形成包括电介质、内部电极和覆盖层的素体，其具有顶面、底面、一对侧面和一对端面，使得素体具有大致长方体形状，内部电极中的每个内部电极在端面中的一个端面上暴露，覆盖层形成顶面和底面，覆盖层由收缩温度高于内部电极材料收缩温度的材料制成；烧结素体；形成位于素体的纵向端部的外部电极的基底层，外部电极中的每个外部电极的基底层覆盖素体的顶面、底面、侧面和对应的端面；和分别在基底层上形成镀层。
[0027]内部电极的材料的收缩温度Ta(摄氏度)和覆盖层的材料的收缩温度Tx(摄氏度)可以满足1.20≤Tx/Ta≤1.85。
[0028]内部电极的材料的收缩温度Ta(摄氏度)和覆盖层的材料的收缩温度Tx(摄氏度)可以满足1.30≤Tx/Ta≤1.60。
[0029]内部电极的材料的收缩温度Ta(摄氏度)和覆盖层的材料的收缩温度Tx(摄氏度)可以满足1.30≤Tx/Ta≤1.40。
[0030]根据本专利技术的各个方面，可以减小电介质层的厚度，同时限制可靠性的变差。
附图说明
[0031]图1是示出根据本专利技术的第一实施例的多层陶瓷电容器的立体图。
[0032]图2A是沿图1中的B1
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B2线截取的多层陶瓷电容器的截面图。
[0033]图2B是沿图1中的B3
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B4线截取的多层陶瓷电容器的截面图。
[0034]图3是沿图1中的C1
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C2线截取的多层陶瓷电容器的截面图。
[0035]图4是沿图1中的A1
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A2线截取的多层陶瓷电容器的截面图。
[0036]图5是示出根据第一实施例的多层陶瓷电容器的制造方法的流程图。
[0037]图6A至图6I是用于描述根据第一实施例的多层陶瓷电容器的制造方法的截面图。
[0038]图7是示出在升温时根据第一实施例的多层陶瓷电容本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种陶瓷电子部件，包括：素体，所述素体包括电介质、至少一个第一内部电极和至少一个第二内部电极，所述第二内部电极通过插置在所述第一内部电极和所述第二内部电极之间的所述电介质而层叠在所述第一内部电极上，所述素体具有顶面、底面、一对侧面、第一端面和第二端面，从而所述素体具有大致长方体形状，所述素体的侧面沿纵向方向凹入地弯曲，使得所述素体的纵向中央部分处的宽度小于所述端面处的宽度；第一外部电极，形成在所述第一端面上并与所述第一内部电极电连接；和第二外部电极，形成在所述第二端面上并与所述第二内部电极电连接。2.根据权利要求1所述的陶瓷电子部件，其中，所述素体的侧面沿高度方向凹入地弯曲，所述侧面中的每个具有沿所述高度方向的曲率半径，所述曲率半径在所述纵向中央部分处最小并且随着去往所述端面而增加。3.根据权利要求1或2所述的陶瓷电子部件，其中，所述素体满足0＜(W3
‑
W1)/W3≤0.15，其中W1是在所述素体的高度方向上的中心处的所述纵向中央部分处的宽度，并且W3是在所述素体的高度方向上的中心处的所述端面处的宽度。4.根据权利要求3所述的陶瓷电子部件，其中，所述素体满足0.04＜(W3
‑
W1)/W3≤0.12。5.根据权利要求1
‑
4中任一项所述的陶瓷电子部件，其中，所述素体的顶面和底面沿纵向方向凸出地弯曲，使得所述素体的纵向中央部分的厚度大于所述端面处的厚度。6.根据权利要求1
‑
5中任一项所述的陶瓷电子部件，其中，所述素体的顶面和底面沿宽度方向凸出地弯曲，使得所述素体的横向中央部分的厚度大于在横向两侧处的厚度。7.根据权利要求6所述的陶瓷电子部件，其中，所述素体满足3.5≤[(W2
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W1)/W2]/[(T1
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T2)/T2]≤30，其中W1是在所述素体的高度方向上的中心处的所述纵向中央部分处的宽度，W2是在所述素体的纵向中央部分处的上边缘和/或下边缘处的宽度，T1是在所述素体的宽度方向上的中心处的所述纵向中央部分处的厚度，并且T2是所述素体的横向两侧处的所述纵向中央部分处的厚度。8.根据权利要求7所述的陶瓷电子部件，其中，所述素体满足5.5≤[(W2
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W1)/W2]/[(T1
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T2)/T2]≤20。9.根据权利要求1
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8中任一项所述的陶瓷电子部件，还包括密封树脂层，所述密封树脂层覆盖所述素体的顶面、所述第一外部电极和所述第二外部电极中的每个的顶面、所述素体的侧面的上部以及所述第一外部电极和所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈田晏珠，天野美娜，福田贵久，
申请(专利权)人：太阳诱电株式会社，
类型：发明
国别省市：