支撑片、树脂膜形成用复合片、套件及带树脂膜的芯片的制造方法技术

本发明专利技术提供一种支撑片(10)，其为用于工件或将工件分割而成的芯片的加热的支撑片(10)，以传送方向(MD)或垂直方向(CD)中的任一方向的拉伸模式对样品尺寸为长20mm、宽5mm的支撑片(10)进行热机械分析(TMA)时，130℃下的位移量(A

【技术实现步骤摘要】
支撑片、树脂膜形成用复合片、套件及带树脂膜的芯片的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种支撑片、具备所述支撑片与树脂膜形成层的树脂膜形成用复合片及套件、以及带树脂膜的芯片的制造方法。本申请基于2021年3月31日于日本提出申请的日本特愿2021
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062255号主张优先权，并将其内容援用于此。

技术介绍

[0002]半导体晶圆、绝缘体晶圆、半导体装置面板等工件中，存在在它们的一个面(电路面)上形成有电路，并在该面(电路面)上具有凸点(bump)等突状电极的工件。将所述工件贴附于支撑片(例如切割片)而得到层叠体。以将所述支撑片的周边部贴附于环形框架等固定用夹具的状态对所述层叠体进行加热，然后进行冷却。粘贴于所述支撑片的工件被分割，从而得到芯片。然后，从所述支撑片上拾取所述芯片(参照专利文献1)。
[0003]在使用了被称作倒装(facedown)方式的安装法的半导体装置的制造工艺中，为了保护切割所述工件而形成的芯片的背面，使用保护膜形成膜、或使用组合保护膜形成膜与支撑片而成的保护膜形成用复合片。此外，为了将芯片的背面接合于引线框架或有机基板等而使用膜状粘合剂，在切割所述工件时，还使用组合膜状粘合剂与支撑片而成的切割固晶片(dicing diebonding sheet)。保护膜形成膜及膜状粘合剂以贴附于所述工件的背面的方式使用。
[0004]以下，在本说明书中，将保护膜形成膜或膜状粘合剂称为树脂膜形成层，将保护膜形成用复合片或切割固晶片称为树脂膜形成用复合片。将利用保护膜形成膜形成的保护膜、或利用膜状粘合剂形成的接合膜称为树脂膜。
[0005]在带树脂膜的芯片的制造加工中，在工件的背面贴附用于形成保护膜或接合膜的树脂膜形成层。树脂膜形成层有时也以所述树脂膜形成层层叠在支撑片上的树脂膜形成用复合片的状态贴附于工件的背面。树脂膜形成层有时也以未层叠在支撑片上的方式贴附于工件的背面，然后再贴附于支撑片。
[0006]有时根据需要，使贴附于工件的背面的树脂膜形成层在支撑片上热固化，从而形成树脂膜。在支撑片上将贴附于所述工件的背面的树脂膜形成层热固化时，将支撑片、树脂膜形成层及工件沿它们的厚度方向依次层叠而构成的第一层叠复合片，以将该片的周边部贴附于环形框架的状态进行加热，然后进行冷却。然后，在支撑片上的切割工序中，分割工件、切断树脂膜，以带树脂膜的形式进行拾取(参照专利文献2)。
[0007]或者，对于贴附于工件的背面的树脂膜形成层，在支撑片上的切割工序中，分割工件、切断树脂膜，制成带树脂膜形成层的芯片，然后在支撑片上使树脂膜形成层热固化，制成带树脂膜的芯片。在支撑片上将贴附于所述芯片的背面的树脂膜形成层进热固化时，将支撑片、树脂膜形成层及芯片沿它们的厚度方向依次层叠而构成的第四层叠复合片，以将该片的周边部贴附于环形框架的状态进行加热，然后进行冷却。然后，拾取带树脂膜的芯
片。现有技术文献专利文献
[0008]专利文献1：国际公开第2015/190230号专利文献2：国际公开第2015/178346号

技术实现思路

本专利技术要解决的技术问题
[0009]例如，专利文献1、2中说明的半导体晶圆的直径为8英寸，厚度为100μm，质量为约7.4g。且其中说明了将所述半导体晶圆切割成9mm
×
9mm的芯片尺寸而制成芯片。
[0010]在带树脂膜的芯片的制造加工中，采用了直径更大的半导体晶圆，半导体晶圆上的突状电极的数量及大小增大，因此有施加至周边部被环形框架支撑的支撑片的载荷进一步变大的倾向，且有芯片尺寸反而进一步变小的的倾向。
[0011]使用现有的树脂膜形成用复合片或支撑片的情况下，在以将第一层叠复合片或第四层叠复合片等制造加工用片的周边部贴附于环形框架的状态加热所述制造加工用片时，存在所述制造加工用片因半导体晶圆等工件的载荷或多个芯片的载荷而松弛，带树脂膜的芯片的位置发生偏移的情况。此外，在将所述制造加工用片加热后的切割工序中，存在带树脂膜的芯片的位置发生偏移的情况。结果，在芯片尺寸更小的情况下，有时会产生拾取时对带树脂膜的芯片的识别不良的技术问题。
[0012]本专利技术的目的在于提供一种支撑片、具备所述支撑片与树脂膜形成层的树脂膜形成用复合片及套件、以及带树脂膜的芯片的制造方法，所述支撑片能够消除因加热及冷却导致的制造加工用片的松弛的影响，并能够提高拾取装置对芯片的识别性。解决技术问题的技术手段
[0013]本专利技术提供以下的支撑片、树脂膜形成用复合片及套件、以及带树脂膜的芯片的制造方法。
[0014][1]一种支撑片，其为用于工件或将工件分割而成的芯片的加热的支撑片，在下述条件下，以传送方向(MD)或垂直方向(CD)中的任一方向的拉伸模式对所述支撑片进行热机械分析(TMA)时，130℃下的位移量(A
130
)为500μm以下，从23℃升温至130℃时的每1℃的平均位移量(A
23
→
130
)比从130℃缓慢冷却至50℃时的每1℃的平均位移量的绝对值(|B
130
→
50
|)小。
[0015]＜热机械分析(TMA)的条件＞样品尺寸：长20mm、宽5mm夹头间距：15mm以载荷为0.8g、升温速度为10℃/分钟的条件从23℃升温至130℃，并保持30分钟。然后，以载荷为0.8g、冷却速度为1℃/分钟的条件从130℃冷却至50℃。测定该期间的位移量[μm]。
[0016][2]根据[1]所述的支撑片，其中，在所述条件下，以传送方向(MD)的拉伸模式及垂直方向(CD)的拉伸模式对所述支
撑片进行热机械分析(TMA)时，130℃下的位移量(A
130
)均为500μm以下，从23℃升温至130℃时的每1℃的平均位移量(A
23
→
130
)均比从130℃缓慢冷却至50℃时的每1℃的平均位移量的绝对值(|B
130
→
50
|)小。
[0017][3]根据[1]或[2]所述的支撑片，其中，在所述条件下，以传送方向(MD)或垂直方向(CD)中的任一方向的拉伸模式对所述支撑片进行热机械分析(TMA)时，从23℃升温至130℃时的每1℃的平均位移量(A
23
→
130
)为正值。[4]根据[3]所述的支撑片，其中，在所述条件下，以传送方向(MD)的拉伸模式及垂直方向(CD)的拉伸模式对所述支撑片进行热机械分析(TMA)时，从23℃升温至130℃时的每1℃的平均位移量(A
23
→
130
)均为正值。
[0018][5]根据[3]或[4]所述的支撑片，其中，在所述条件下，以传送方向(MD)或垂直方向(CD)中的任一方向的拉伸模式对所述支撑片进行热机械分析(TMA)时，从60℃升温至130℃时的每1℃的平均位移量(A
60
→
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种支撑片，其为用于工件或将工件分割而成的芯片的加热的支撑片，在下述条件下，以传送方向(MD)或垂直方向(CD)中的任一方向的拉伸模式对所述支撑片进行热机械分析(TMA)时，130℃下的位移量(A
130
)为500μm以下，从23℃升温至130℃时的每1℃的平均位移量(A
23
→
130
)比从130℃缓慢冷却至50℃时的每1℃的平均位移量的绝对值(|B
130
→
50
|)小，＜热机械分析(TMA)的条件＞样品尺寸：长20mm、宽5mm夹头间距：15mm以载荷为0.8g、升温速度为10℃/分钟的条件从23℃升温至130℃，并保持30分钟；然后，以载荷为0.8g、冷却速度为1℃/分钟的条件从130℃冷却至50℃；测定该期间的位移量[μm]。2.根据权利要求1所述的支撑片，其中，在所述条件下，以传送方向(MD)的拉伸模式及垂直方向(CD)的拉伸模式对所述支撑片进行热机械分析(TMA)时，130℃下的位移量(A
130
)均为500μm以下，从23℃升温至130℃时的每1℃的平均位移量(A
23
→
130
)均比从130℃缓慢冷却至50℃时的每1℃的平均位移量的绝对值(|B
130
→
50
|)小。3.根据权利要求1或2所述的支撑片，其中，在所述条件下，以传送方向(MD)或垂直方向(CD)中的任一方向的拉伸模式对所述支撑片进行热机械分析(TMA)时，从23℃升温至130℃时的每1℃的平均位移量(A
23
→
130
)为正值。4.根据权利要求3所述的支撑片，其中，在所述条件下，以传送方向(MD)的拉伸模式及垂直方向(CD)的拉伸模式对所述支撑片进行热机械分析(TMA)时，从23℃升温至130℃时的每1℃的平均位移量(A
23
→
130
)均为正值。5.根据权利要求3或4所述的支撑片，其中，在所述条件下，以传送方向(MD)或垂直方向(CD)中的任一方向的拉伸模式对所述支撑片进行热机械分析(TMA)时，从60℃升温至130℃时的每1℃的平均位移量(A
60
→
130
)相对于从23℃升温至130℃时的每1℃的平均位移量(A
23
→
130
)的比小于1。6.根据权利要求5所述的支撑片，其中，在所述条件下，以传送方向(MD)的拉伸模式及垂直方向(CD)的拉伸模式对所述支撑片进行热机械分析(TMA)时，从60℃升温至130℃时的每1℃的平均位移量(A
60
→
130
)相对于从23℃升温至130℃时的每1℃的平均位移量(A
23
→
130
)的比均小于1。7.根据权利要求1～6中任一项所述的支撑片，所述支撑片仅由基材构成、或者所述支撑片具备基材与设置在所述基材的一个面上的粘着剂层，所述支撑片中，所述基材的构成材料含有聚烯烃树脂。
...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中佑耶，山下茂之，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：