半导体组件及其切割方法、滤波器及电子设备技术

本发明专利技术涉及一种半导体组件的切割方法，包括：步骤1：提供第一基底、第二基底、密封层和MEMS器件，密封层设置在第一基底的下侧与第二基底的上侧之间，第一基底、第二基底以及密封层限定或围合容纳空间，MEMS器件设置在对应的容纳空间内，其中：密封层包括设置在第一基底的第一密封层与设置在第二基底的第二密封层，第一密封层适于与第二密封层密封连接；步骤2：移除第一基底的周边区域的预定部分以露出与所述预定部分对应的第二密封层；步骤3：以在所述预定部分对应的所述第二密封层为对准标记执行切割。执行切割。执行切割。

【技术实现步骤摘要】
半导体组件及其切割方法、滤波器及电子设备


[0001]本专利技术的实施例涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体组件、一种半导体组件的切割方法，一种具有该半导体组件的滤波器，以及一种具有该滤波器的电子设备。

技术介绍

[0002]电子器件作为电子设备的基本元素，已经被广泛应用，其应用范围包括移动电话、汽车、家电设备等。此外，未来即将改变世界的人工智能、物联网、5G通讯等技术仍然需要依靠电子器件作为基础。
[0003]电子器件根据不同工作原理可以发挥不同的特性与优势，在所有电子器件中，利用压电效应(或逆压电效应)工作的器件是其中很重要一类，压电器件有着非常广泛的应用情景。薄膜体声波谐振器(Film Bulk Acoustic Resonator，简称FBAR，又称为体声波谐振器，也称BAW)作为压电器件的重要成员正在通信领域发挥着重要作用，特别是FBAR滤波器在射频滤波器领域市场占有份额越来越大，FBAR具有尺寸小、谐振频率高、品质因数高、功率容量大、滚降效应好等优良特性，其滤波器正在逐步取代传统的声表面波(SAW)滤波器和陶瓷滤波器，在无线通信射频领域发挥巨大作用，其高灵敏度的优势也能应用到生物、物理、医学等传感领域。
[0004]对于薄膜体声波谐振器等MEMS器件，其通常设置在两个基底之间，两个基底通过密封键合层键合，一个基底可以为设置MEMS器件的功能基底，另一个基底可以为封装基底，不过也可以设置MEMS器件。对于分离的MEMS器件及其封装结构，可以将其称为一颗die。
[0005]在MEMS器件的制作过程中，两片晶圆彼此对置，晶圆之间利用密封键合层键合连接，两片晶圆之间基于密封键合层的分隔，从而在两片晶圆之间形成很多颗die。
[0006]图1为现有技术中在两颗die之间划片从而将两颗die切割分离的结构示意图。图1中，201和202为晶圆或基底，101为划片用对准标记，b为对准标记101之间的水平距离，102为下密封结构或下密封键合层，104为导电通孔，105为焊盘，109为上密封结构或上密封键合层，键合层109与键合层102彼此键合而形成密封结构。如图1所示，键合层102之间在水平方向上的距离为a。
[0007]由于两片晶圆键合时存在偏移，对准标记101无法做到与密封结构完全对齐。为了确保划片时不伤及密封结构，下密封圈或下密封键合层102之间的距离a要大于划片标记101之间的距离b，通常a与b的差距在20um左右。
[0008]因为划片属于物理切割，划片刀的轨迹也无法保障没有偏差，所以划片标记间的距离b要大于划片刀的厚度(或者激光的宽度)，通常要大20um左右。
[0009]因此，在采用图1所示的切割方案时，需要设置冗余宽度，这会浪费晶圆的面积。
[0010]图2为现有技术中采用刻蚀方法来执行两颗die之间的切割的结构示意图。如图2所示，如果通过刻蚀的方法刻出分隔通道106，则可以在保证精度的情况下将下密封结构102之间的距离a大幅度缩小，但是如果在焊盘形成工艺之前就将die分隔，这导致后续电镀无法进行，或者在磨片减薄工艺进行时因单颗die可承受外力不足而导致键合失效。
[0011]因此，现有技术中存在改进die之间的切割方法的需要。

技术实现思路

[0012]为了克服现有技术中的问题的至少一个方面，提出本专利技术。
[0013]根据本专利技术的实施例的一个方面，提出了一种半导体组件，包括：
[0014]第一基底和第二基底；
[0015]密封层，设置在第一基底的下侧与第二基底的上侧之间；
[0016]至少一个MEMS器件，
[0017]其中：
[0018]第一基底、第二基底以及密封层限定或围合至少一个容纳空间，所述MEMS器件设置在对应的容纳空间内；
[0019]所述第一基底的上侧并未设置划片用对准标记。
[0020]本专利技术的实施例还涉及一种半导体组件的切割方法，包括：
[0021]步骤1：提供第一基底、第二基底、密封层和MEMS器件，密封层设置在第一基底的下侧与第二基底的上侧之间，第一基底、第二基底以及密封层限定或围合容纳空间，MEMS器件设置在对应的容纳空间内，其中：密封层包括设置在第一基底的第一密封层与设置在第二基底的第二密封层，第一密封层适于与第二密封层密封连接；
[0022]步骤2：移除第一基底的周边区域的预定部分以露出与所述预定部分对应的第二密封层；
[0023]步骤3：以在所述预定部分对应的所述第二密封层为对准标记执行切割。
[0024]本专利技术的实施例还涉及一种滤波器，包括上述的半导体组件。
[0025]本专利技术的实施例也涉及一种电子设备，包括上述的滤波器或者上述的半导体组件。
附图说明
[0026]以下描述与附图可以更好地帮助理解本专利技术所公布的各种实施例中的这些和其他特点、优点，图中相同的附图标记始终表示相同的部件，其中：
[0027]图1为现有技术中在两颗die之间划片从而将两颗die切割分离的结构示意图；
[0028]图2为现有技术中采用刻蚀方法来执行两颗die之间的切割的结构示意图；
[0029]图3A和图3B为示出根据本专利技术的一个示例性实施例的两颗die之间的切割方法的结构示意图，其中图3A中，上基底还未执行切割，图3B中，上基底周围预定部分已经执行切割；
[0030]图3C为图3B中的晶圆结构的示意性俯视图，其中中间的圆圈部分代表上侧的晶圆；
[0031]图3D为图3C中的晶圆结构的边缘部分的局部放大示意图；
[0032]图3E为根据本专利技术的另一个示例性实施例的晶圆结构的边缘部分的局部放大示意图；
[0033]图4为根据本专利技术的一个示例性实施例的未完成切割前的两片晶圆的结构示意图,其中的省略号表示较多的die没有示出；
[0034]图5A
‑
图5F为根据本专利技术的一个示例性实施例的显示制造图3B所示结构的步骤的示意性结构图；
[0035]图6为刻蚀表面的实体图；
[0036]图7为图6中的刻蚀表面的放大图。
具体实施方式
[0037]下面通过实施例，并结合附图，对本专利技术的技术方案作进一步具体的说明。在说明书中，相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。下述参照附图对本专利技术实施方式的说明旨在对本专利技术的总体专利技术构思进行解释，而不应当理解为对本专利技术的一种限制。
[0038]图3A和图3B为示出根据本专利技术的一个示例性实施例的两颗die之间的切割方法的结构示意图，其中图3A中，上基底还未执行切割，图3B中，上基底的周边预定部分已经执行切割。图3C为图3B中的晶圆结构的示意性俯视图，其中中间的圆圈部分代表上侧的晶圆。
[0039]图3A和图3B中，201和202为晶圆或基底，102为下密封结构或下密封键合层，104为导电通孔，105为焊盘，109为上密封结构或上密封键合层，键合层109与键合层102彼此键合而形成密本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体组件，包括：第一基底和第二基底；密封层，设置在第一基底的下侧与第二基底的上侧之间；至少一个MEMS器件，其中：第一基底、第二基底以及密封层限定或围合至少一个容纳空间，所述MEMS器件设置在对应的容纳空间内；所述第一基底的上侧并未设置划片用对准标记。2.根据权利要求1所述的组件，其中：所述组件包括穿过所述第一基底的导电通孔；所述第一基底的上侧设置有导电焊盘，所述导电焊盘与所述导电通孔相连通；在所述第一基底的上侧，在所述导电焊盘的外边缘与所述第一基底的端面之间并未设置所述对准标记。3.根据权利要求2所述的组件，其中：所述密封层为金属键合层，所述导电通孔与所述键合层在第一基底的厚度方向上对齐且电连接。4.根据权利要求2所述的组件，其中：在所述第一基底的上侧，在所述导电焊盘的外边缘与所述第一基底的端面之间并未设置与所述导电焊盘同层布置且间隔开的划片对准标记。5.根据权利要求1
‑
4中任一项所述的组件，其中：所述第一基底的端面不具有基于刻蚀形成的纹路。6.一种半导体组件的切割方法，包括：步骤1：提供第一基底、第二基底、密封层和MEMS器件，密封层设置在第一基底的下侧与第二基底的上侧之间，第一基底、第二基底以及密封层限定或围合容纳空间，MEMS器件设置在对应的容纳空间内，其中：密封层包括设置在第一基底的第一密封层与设置在第二基底的第二密封层，第一密封层适于与第二密封层密封连接；步骤2：移除第一基底的周边区域的预定部分以露出与所述预定部分对应的第二密封层；步骤3：以在所述预定部...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐洋，
申请(专利权)人：诺思天津微系统有限责任公司，
类型：发明
国别省市：