一种陶瓷介质电容器芯片和陶瓷介质电容器制造技术

本发明专利技术涉及陶瓷介质电容器芯片技术领域，尤其涉及一种陶瓷介质电容器芯片和陶瓷介质电容器，陶瓷介质电容器芯片包括陶瓷体和两个极板，陶瓷体的相对设置的两个端面上分别设有一个凹槽，每个凹槽内分别设有一个极板，将两个极板分别设置陶瓷体的相对设置的两个端面的凹槽内，凹槽边缘处的凸台能够阻止极板向陶瓷体的边缘处靠近，进而有效防止两个极板爬电导通，大幅度提升了两个极板间的绝缘强度，由此实现了一种高可靠性的陶瓷介质电容器芯片，能够促进陶瓷介质电容器向小型化发展。能够促进陶瓷介质电容器向小型化发展。能够促进陶瓷介质电容器向小型化发展。

【技术实现步骤摘要】
一种陶瓷介质电容器芯片和陶瓷介质电容器


[0001]本专利技术涉及陶瓷介质电容器芯片
，尤其涉及一种陶瓷介质电容器芯片和陶瓷介质电容器。

技术介绍

[0002]电容器是三大无源元件(电阻、电容器、电感器)之一，在电子电器装置中几乎无处不在。电容器看起来非常简单，例如，陶瓷介质电容器包括叠片陶瓷介质电容器MLCC和单层陶瓷介质电容器，其中，叠片陶瓷介质电容器MLCC由两个极板、陶瓷电介质构成，单层陶瓷介质电容器由两个极板、陶瓷电介质、引线和绝缘层构成，但是在实际应用中有很多问题不单出现在电容器的选择上，电容器自身的绝缘能力也是导致其故障的关键所在。
[0003]叠层陶瓷介质电容器受结构、工艺限制，其绝缘性能主要靠陶瓷材料，而单层陶瓷介质电容器与叠层陶瓷介质电容器不同，其绝缘性能与两电极即极板之间距离、陶瓷材料、包封或封装层等都存在关系。
[0004]陶瓷介质电容器不同介质种类由于它的主要极化类型不一样，其对电场变化的响应速度和极化率亦不一样。在相同的体积下的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。介质材料划按容量的温度稳定性可以分为两类，即I类陶瓷介质电容器和II类陶瓷介质电容器，C0G、NP0属于I类陶瓷，而其他的X7R、X5R、Y5U、Y5V等都属于II类陶瓷。
[0005]I类陶瓷介质电容器特点是容量稳定性好，基本不随之温度、电压、时间的变化而变化，但是容量一般较小；温度范围
‑
55～125℃，温度系数为0
±
30ppm/℃以内变化。II类陶瓷介质电容器的容量稳定性较差，X7R工作温度范围
‑
55～125℃，容量变化率为
±
15％；X5R工作温度范围
‑
55～85℃，容量变化率为
±
15％；Y5U、Y5V工作温度范围
‑
30～85℃，容量变化率分别为+22％～
‑
56％和+22％～
‑
82％，但是容量相对较大，目前技术最大可达6.3V
‑
上百微法/25V
‑
几十微法的水平，所以，应用在对容量稳定性有要求的场合选I类NP0，C0G电容，用在一般的滤波场合选X7R或X5R、Y5U、Y5V，因为容量变化率相对其他II类陶瓷介质电容器小些。
[0006]陶瓷介质电容器属于平板电容器，平板电极间介质由陶瓷介质组成，其电容量与极板间有效面积成正比，与极板间距离成反比，并且与介质相对真空的介电系数成正比。具体地：平板电容器电容量公式为：C表示电容量，ε表示两个极板间的介质的介电常数，S表示两个极板间的有效面积，d表示两个极板间的距离，根据该公式可知，要想获得大的电容量，应选用尽可能大的极板面积、尽可能小的极板间距和尽可能大的极板间介质的介电常数。
[0007]随着元器件向小型化发展的趋势，势必要求陶瓷介质电容器的芯片需要做到更小。相同单位电极面积、厚度情况下，I类陶瓷介质电容器的电容量相对II类陶瓷介质电容器的电容量小，温度特性较好的II类陶瓷介质电容器介电常数较小，相反，温度特性较差的
II类陶瓷介质电容器介电常数较大。
[0008]然而陶瓷介质电容器的芯片要朝着小型化发展，其按照电介质的材质(温度特性)进行区分，不同材质的介电常数对应不同材质温度特性为一定值，基本无法再做相对科学性的调整。通常，介电常数越小，陶瓷介质电容器温度特性越优；反之介电常数越大，陶瓷介质电容器温度特性越差，但是，受气候条件和电器工作温度变化的影响，设计师更多的会考虑在电路中使用温度特性较好的陶瓷介质电容器。所以，如果要将陶瓷介质电容器的芯片的尺寸缩小，又要保证陶瓷介质电容器的基本电性能占优，在其介电常数一定的情况下，就只有将陶瓷介质电容器的芯片的厚度做小，极板做大，但是，一般单层陶瓷介质电容器芯片以圆片为常见，如图1和图2所示，单层陶瓷介质电容器的两个极板分别位于芯片两圆面平面，单层陶瓷电容器芯片的两个极板1之间为陶瓷介质2，单层陶瓷电容器芯片的两个极板间以陶瓷介质2绝缘，并保持一定距离，确保单层陶瓷电容器芯片的两个极板1在外电压条件下安全、有效。那么：
[0009]由于将单层陶瓷介质电容器芯片的厚度做小，将单层陶瓷电容器芯片的两个极板1做大，单层陶瓷介质电容器芯片的两个极板会靠近陶瓷介质2的边缘处，在高电压或电流条件下，单层陶瓷介质电容器芯片的两个极板1的边缘处之间容易爬电导通，导致单层陶瓷介质电容器芯片失效。

技术实现思路

[0010]本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供了一种陶瓷介质电容器芯片和陶瓷介质电容器。
[0011]本专利技术的一种陶瓷介质电容器芯片的技术方案如下：
[0012]包括陶瓷体和两个极板，所述陶瓷体的相对设置的两个端面上分别设有一个凹槽，每个凹槽内分别设有一个所述极板。
[0013]本专利技术的一种陶瓷介质电容器芯片的有益效果如下：
[0014]将两个极板分别设置陶瓷体的相对设置的两个端面的凹槽内，凹槽边缘处的凸台能够阻止极板向陶瓷体的边缘处靠近，进而有效防止两个极板爬电导通，大幅度提升了两个极板间的绝缘强度，由此实现了一种高可靠性的陶瓷介质电容器芯片，能够促进陶瓷介质电容器向小型化发展。
[0015]在上述方案的基础上，本专利技术的一种陶瓷介质电容器芯片还可以做如下改进。
[0016]进一步，所述陶瓷体为圆柱体，所述陶瓷体的相对设置的两个端面为所述圆柱体的上底面和下底面。
[0017]本专利技术的一种陶瓷介质电容器的技术方案如下：
[0018]包括上述任一项所述的一种陶瓷介质电容器芯片。
[0019]在上述方案的基础上，本专利技术的一种陶瓷介质电容器还可以做如下改进。
[0020]进一步，每个所述极板分别连接一个引脚。
[0021]采用上述进一步方案的有益效果是：通过连接引脚的方式，更便于使用陶瓷介质电容器。
[0022]进一步，所述陶瓷体和两个所述极板的外表面上设有封装层，每个引脚均延伸出所述封装层之外。
[0023]进一步，所述封装层的材质为绝缘材料。
[0024]进一步，所述引脚的材质为镀锡铜或镀镍铜。
附图说明
[0025]图1为传统的单层陶瓷电容器芯片的剖面图；
[0026]图2为传统的单层陶瓷电容器芯片的俯视图；
[0027]图3为传统的经封装后的单层陶瓷电容器的剖面图；
[0028]图4为本专利技术实施例的一种陶瓷介质电容器芯片的剖面图之一；
[0029]图5为本专利技术实施例的一种陶瓷介质电容器芯片的俯视图；
[0030]图6为本专利技术实施例的一种陶瓷介质电容器芯片的剖面图之二；
[0031]图7为本专利技术实施例的一种陶瓷介质电容器的剖面图。
具体实施方式
[0032]如图4和图5所示，本专利技术实施例的一种陶瓷介质电容器芯片，包括陶瓷体5和两个极板4，陶瓷体5的相对设置的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种陶瓷介质电容器芯片，其特征在于，包括陶瓷体和两个极板，所述陶瓷体的相对设置的两个端面上分别设有一个凹槽，每个凹槽内分别设有一个所述极板。2.根据权利要求1所述的一种陶瓷介质电容器芯片，其特征在于，所述陶瓷体为圆柱体，所述陶瓷体的相对设置的两个端面为所述圆柱体的上底面和下底面。3.一种陶瓷介质电容器，其特征在于，包括上述任一项所述的一种陶瓷介质电容器芯片。4.根据权利要求3所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘世军，
申请(专利权)人：四川特锐祥科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：