芯片封装结构制造技术

本申请涉及半导体封装技术领域，具体公开了一种芯片封装结构，芯片封装结构包括引线框架、导电连接片及封装体，所述引线框架承载有芯片；所述导电连接片分别连接所述引线框架和所述芯片，用于所述芯片的电性引出；所述封装体用于封装所述引线框架、芯片以及所述导电连接片，所述导电连接片远离所述引线框架的一侧暴露于所述封装体外。封装体内部的芯片产生的热量可以通过外漏的导电连接片对外释放，解决了芯片封装结构与PCB板接触时产生的高热量无法释放的问题，延长了芯片的使用寿命。延长了芯片的使用寿命。延长了芯片的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
芯片封装结构


[0001]本申请涉及半导体封装
，特别涉及一种芯片封装结构。

技术介绍

[0002]在目前的半导体封装技术中，常常通过导线将芯片上的电极与导线框架上的电极引脚连接，进而形成芯片与导线框架之间的通路，以实现芯片的电性引出。随着技术的发展，目前已经出现采用导电连接片(例如clip铜片等)替代导线的方式，以导电连接片作为芯片和导线框架之间的连接桥梁。但在终端使用过程中，由于芯片封装结构与PCB板接触面产生的大量热量无法有效释放，缩短了芯片的使用寿命。

技术实现思路

[0003]基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种芯片封装结构。
[0004]一种芯片封装结构，其特征在于，包括：
[0005]引线框架，承载有芯片；
[0006]导电连接片，分别连接所述引线框架和所述芯片，用于所述芯片的电性引出；
[0007]封装体，用于封装所述引线框架、芯片以及所述导电连接片，所述导电连接片远离所述引线框架的一侧暴露于所述封装体外。
[0008]在其中一个实施例中，所述封装体包括相对的第一封装面和第二封装面，所述导电连接片远离所述引线框架的一侧暴露于所述第一封装面外，所述第二封装面设置有散热片。
[0009]在其中一个实施例中，在所述封装体位于所述第一封装面处设置有下沉台阶。
[0010]在其中一个实施例中，所述下沉台阶的下沉深度位于0.1毫米至0.35毫米之间。
[0011]在其中一个实施例中，所述下沉台阶与暴露于所述第一封装面外的所述导电连接片的外缘之间的距离位于0.15毫米至1毫米之间。
[0012]在其中一个实施例中，所述引线框架包括基座以及框架电极，所述基座用于承载所述芯片，所述框架电极经所述导电连接片连接至所述芯片的芯片电极。
[0013]在其中一个实施例中，所述基座与所述芯片连接的一面上间隔分布有凸起。
[0014]在其中一个实施例中，所述凸起的高度位于20微米至35微米之间。
[0015]在其中一个实施例中，所述基座与所述芯片之间通过锡膏连接。
[0016]在其中一个实施例中，所述芯片封装结构内包括至少两个并列设置的所述芯片、至少两个所述导电连接片，所述导电连接片与所述芯片一一对应，每个所述芯片均通过对应的所述导电连接片连接至对应的所述框架电极。
[0017]上述芯片封装结构，以引线框架承载芯片，导电连接片分别连接引线框架和芯片进而实现芯片的电性引出；封装体用于对引线框架、芯片及导电连接片进行封装，其中，导电连接片远离引线框架的一侧暴露于封装体外，即，封装体内部的芯片产生的热量可以通过外漏的导电连接片对外释放，解决了芯片封装结构与PCB板接触时产生的高热量无法释
放的问题，延长了芯片的使用寿命。
附图说明
[0018]图1是本实施例提供的芯片封装结构的平面示意图；
[0019]图2是图1中沿B
‑
B线的剖面图；
[0020]图3是图2中虚线框内的结构放大图。
[0021]附图标记说明：
[0022]100、引线框架；110、基座；111、凸起；120、框架电极；200、导电连接片；300、封装体；310、第一封装面；311、下沉台阶；320、第二封装面；400、芯片；410、第一面；420、第二面；421、芯片电极。
具体实施方式
[0023]在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本申请更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本申请可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本申请发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。应当理解的是，本申请能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本申请的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。
[0024]应当明白，当元件或层被称为"在
…
上"、"连接到"其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、连接其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为"直接在
…
上"、"直接连接到"其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。尽管可使用术语第一、第二等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本申请教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。
[0025]空间关系术语例如“在
……
之下”、“在下面”、“下面的”、“在
……
之上”、“在上面”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在
……
之下”、“在下面”、“下面的”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本申请的限制。
[0026]在此使用时，单数形式的"一"、"一个"和"所述/该"也意图包括复数形式，除非上下文清楚的指出另外的方式。还应明白术语“包括”用于确定可以特征、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语"和/或"包括相关所列项目的任何及所有组合。
[0027]正如
技术介绍
中所述，在芯片封装技术中，传统技术是通过导线将芯片上的电极连接至导线框架上的电极引脚，实现芯片的电性引出，目前已经出现采用导电连接片替代
导线的方式，通过导电连接片分别连接芯片上的电极与导线框架上的电极引脚，再将导电连接片、芯片以及引线框架进行整体封装。然而，在实际使用时，由于导电连接片、芯片以及引线框架均封装于封装体内，芯片封装结构与PCB板接触面产生的大量热量无法得到快速有效释放，使芯片长期处于高热量状态，缩短了芯片的使用寿命，同时也降低了芯片的使用性能。
[0028]基于此，本申请提供了一种芯片封装结构，以避免芯片封装结构在使用过程中，因热量无法得到有效释放而缩短芯片使用寿命的问题。
[0029]以下结合附图和具体实施例对本申请提出的技术方案作进一步详细说明。根据下面说明，本申请的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本申请实施例的目的。
[0030]在一个实施例中，提供了一种芯片封装结构。
[0031]参照图1和图2，本实施例提供的芯片封本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：引线框架，承载有芯片；导电连接片，分别连接所述引线框架和所述芯片，用于所述芯片的电性引出；封装体，用于封装所述引线框架、所述芯片以及所述导电连接片，所述导电连接片远离所述引线框架的一侧暴露于所述封装体外。2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述封装体包括相对的第一封装面和第二封装面，所述导电连接片远离所述引线框架的一侧暴露于所述第一封装面外，所述第二封装面设置有散热片。3.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，在所述封装体位于所述第一封装面处设置有下沉台阶。4.根据权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，所述下沉台阶的下沉深度位于0.1毫米至0.35毫米之间。5.根据权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，所述下沉台阶与暴露于所述第一封装面外的所述导电连接片的外缘之间的距...

【专利技术属性】
技术研发人员：李政，
申请(专利权)人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：