半导体器件和引线框制造技术

公开半导体器件和引线框。引线框包括导电结构的图案，其中一个或多个牺牲连接结构在一对导电结构之间桥式延伸。牺牲连接结构或多个牺牲连接结构形成在引线框的第一表面和第二表面之一处，并且在第一表面和第二表面之间具有小于引线框厚度的厚度。在引线框的导电结构之间模塑电绝缘材料的填充物，其中在连接结构和引线框的另一表面之间模塑电绝缘材料。在引线框的形成和预模塑过程中，牺牲连接结构抵消了部件的变形和位移。本实用新型专利技术的技术提供了具有改进性能的半导体器件以及引线框。具有改进性能的半导体器件以及引线框。具有改进性能的半导体器件以及引线框。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件和引线框


[0001]本说明涉及半导体器件。
[0002]例如，一个或多个实施例可应用于诸如集成电路(IC)的半导体器件。

技术介绍

[0003]各种类型的半导体器件可以受益于使用预模塑的引线框。
[0004]四平面无引线(QFN)封装件在封装底部具有外围焊盘，以便提供与诸如印刷电路板(PCB)的基板的电连接，是这种器件的示例。
[0005]预模塑的引线框，包括围绕金属引线和半导体芯片或管芯(dice) 附着在其上的焊盘/焊板的树脂/塑料材料；模塑化合物(例如环氧树脂) 随后模塑到连接到预模塑的引线框上的芯片或管芯上。
[0006]例如，在QFN封装件的情况下，使用光刻技术在顶部和底部蚀刻金属(例如，铜)引线框，以便产生一个或多个焊盘/焊板与连接到杆(bar) 的引线一起的期望图案。
[0007]这样蚀刻的引线框在预模塑步骤中被完全填充塑料树脂。这可能涉及到使用标准成型技术，以便填补引线框中的空白。
[0008]在模塑之后，可以应用消光和涂抹工艺，以获得清洁的顶部和底部铜表面，预模塑的树脂将引线框的部件封装在稳定的平面结构中。
[0009]在(预)模塑过程中，树脂流过开放空间以渗透引线框厚度。引线框中的结构应保持期望位置，以避免在填充过程中发生任何位移或变形。
[0010]为此，引线框的部件(例如焊盘)可以通过连接杆来支撑/固定。这些连接杆可以位于例如焊盘角处，以便节省空间并为信号引线留下可用的剩余空间。
[0011]例如，如果引线框中存在两个或多个焊盘/焊板，则几乎不可能通过多个连接来可靠地“锁定”所有焊盘/焊板。观察到具有(仅)两个连接的焊盘或焊板在模塑过程中会不期望地移动。
[0012]在具有更多焊盘/焊板的复杂设计的情况下，提供与外杆的充分连接实际上是不可能的。例如，在包括分立元件的电路布局中，由杆连接的管芯焊盘可能不是所期望的电绝缘，例如，漏极和集电极通常短路。
[0013]此外，用于形成附加连接杆的位置消耗了宝贵的面积，并可能导致引线框中的某些引线变得不可用，从而丢失。
[0014]总而言之，在预模塑过程中处理不期望的位移或变形的传统方法，伴随着框夹具之间电气绝缘损失的风险，存在诸如：引脚数可能减少和封装尺寸可能增加的缺点；多管芯焊盘情况下的设计约束；和电短路的管芯焊盘。
[0015]本领域需要提供改进的解决方案，克服前面所讨论的现有技术解决方案的缺点。

技术实现思路

[0016]鉴于上述针对半导体器件设计所面临的问题，本公开的实施例旨在提供具有改进
性能的半导体器件。
[0017]本公开的实施例提供了一种引线框。引线框具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，以及位于第一表面与第二表面之间的引线框厚度，引线框包括：半导体芯片安装区域，位于第一表面处；导电结构的图案；至少一个连接结构，在导电结构的图案中的一对导电结构之间桥式延伸；其中至少一个连接结构位于引线框的第一表面和第二表面中的一个表面处，并且具有小于引线框厚度的结构厚度；以及电绝缘材料的填充物，被模塑在导电结构的图案中的导电结构之间，来自填充物的电绝缘材料被模塑在至少一个连接结构与引线框的第一表面和第二表面中的另一表面之间，并且填充物具有与引线框的第一表面共面的第一表面和与引线框的第二表面共面的第二表面。
[0018]在一些实施例中，其中至少一个连接结构位于引线框的第二表面处。
[0019]在一些实施例中，至少一个连接结构厚度为引线框厚度的一半。
[0020]在一些实施例中，半导体芯片安装区域、导电结构的图案和至少一个连接结构由从第一表面延伸的第一半蚀刻开口和从第二表面延伸的第二半蚀刻开口限定。
[0021]本公开的实施例还提供了一种半导体器件，包括：引线框，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，以及位于第一表面与第二表面之间的引线框厚度，并且包括：位于第一表面的半导体芯片安装区域；以及导电结构的图案；第一电绝缘材料的填充物，被模塑在导电结构的图案中的导电结构之间；半导体芯片，被安装到半导体芯片安装区域；以及至少一个凹槽，位于引线框的第一表面和第二表面中的一个表面处，至少一个凹槽在导电结构的图案中的一对导电结构之间桥式延伸；其中至少一个凹槽具有小于第一表面和第二表面之间的引线框厚度的深度，并且导电结构的图案中的一对导电结构在凹槽处相互电绝缘。
[0022]在一些实施例中，半导体器件还包括第二电绝缘材料的填充物，第二电绝缘材料的填充物被模塑在半导体芯片上方并且被模塑到引线框的第一表面和第一电绝缘材料的填充物上。
[0023]在一些实施例中，半导体器件还包括在凹槽处的导电结构的相互突出部分，相互突出部分形成至少一个连接结构的端部邻接，至少一个连接结构本将在导电结构的图案中的一对导电结构之间桥式延伸。
[0024]在一些实施例中，相互突出部分位于引线框的第一表面和第二表面中的一个表面处，并且具有小于引线框厚度的部分厚度。
[0025]在一些实施例中，至少一个凹槽位于引线框的第二表面处。
[0026]在一些实施例中，第一电绝缘材料的填充物具有与引线框的第一表面共面的第一表面，并且具有与引线框的第二表面共面的第二表面。
[0027]在一些实施例中，半导体芯片安装区域和导电结构的图案由从第一表面延伸的第一半蚀刻开口和从第二表面延伸的第二半蚀刻开口限定，第一半蚀刻开口和第二半蚀刻开口由第一电绝缘材料的填充物填充。
[0028]本技术的技术提供了具有改进性能的半导体器件以及引线框。
附图说明
[0029]现在将参考附图仅通过示例的方式描述一个或多个实施例，其中：
[0030]图1A和图1B是根据本说明书的实施例的引线框在预模塑之前的透视图；
[0031]图2A和图2B是根据本说明书的实施例的引线框在预模塑之后的透视图；
[0032]图3是沿图2B的II
‑
II线放大复制的横截面图；
[0033]图4是基本上对应于示出蚀刻步骤结果的视图3的横截面图；和
[0034]图5A和图5B是本说明书的实施例可应用于的半导体器件的透视图。
[0035]应该理解，为了清楚和易于理解，各种数字可能不是按同一比例绘制的。
具体实施方式
[0036]在接下来的描述中，示出了各种特定细节，以便提供对根据描述的实施例的各种示例的深入理解。可以在没有一个或多个具体细节的情况下获得实施例，或者利用其他方法、组件、材料等获得实施例。在其他情况下，未详细说明或描述已知结构、材料或操作，从而不会模糊实施例的各个方面。
[0037]在本说明书的框架中对“实施例”或“一个实施例”的引用旨在指示在至少一个实施例中包括关于该实施例描述的特定配置、结构或特性。因此，诸如“在实施例中”、“在一个实施例中”等可能存在于本说明书的各个点中的短语不一定确切地指代一个且相同的实施例。此外，在一个或多个实施例中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种引线框，其特征在于，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，以及位于所述第一表面与所述第二表面之间的引线框厚度，所述引线框包括：半导体芯片安装区域，位于所述第一表面处；导电结构的图案；至少一个连接结构，在所述导电结构的图案中的一对导电结构之间桥式延伸；其中所述至少一个连接结构位于所述引线框的所述第一表面和所述第二表面中的一个表面处，并且具有小于所述引线框厚度的结构厚度；以及电绝缘材料的填充物，被模塑在所述导电结构的图案中的导电结构之间，来自所述填充物的电绝缘材料被模塑在所述至少一个连接结构与所述引线框的所述第一表面和所述第二表面中的另一表面之间，并且所述填充物具有与所述引线框的所述第一表面共面的第一表面和与所述引线框的所述第二表面共面的第二表面。2.根据权利要求1所述的引线框，其特征在于，所述至少一个连接结构位于所述引线框的所述第二表面处。3.根据权利要求1所述的引线框，其特征在于，所述至少一个连接结构厚度为所述引线框厚度的一半。4.根据权利要求1所述的引线框，其特征在于，所述半导体芯片安装区域、所述导电结构的图案和所述至少一个连接结构由从所述第一表面延伸的第一半蚀刻开口和从所述第二表面延伸的第二半蚀刻开口限定。5.一种半导体器件，其特征在于，包括：引线框，具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面、以及位于所述第一表面与所述第二表面之间的引线框厚度，并且包括：位于所述第一表面的半导体芯片安装区域；以及导电结构的图案；第一电绝缘材料的填充物，被模塑在所述导电结构的图案中的导电结构之间；半导体芯片，被安装到所述半导体芯片安装区域；以及至少一个凹槽，位...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：