【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体封装或器件，其包括阻挡层以保护半导体封装或器件内的导电层。
技术介绍
1、通常，常规半导体器件或封装包括存在于常规半导体封装内的导电层以在常规半导体封装内形成电路径和连接。这些导电层可以是导电通孔、导电线、或一些其它类型的导电层的形式，以形成电信号可沿其穿过半导体封装的电通路或连接。电信号可以是控制信号、数据信号、中断信号或常规半导体封装将从另一电装置接收或传输到另一电装置的某一其它类型的信号。导电层可以是镶嵌导电层，其在暴露于常规半导体封装外部的环境的环境质量时易受腐蚀。这些环境质量可以包括可能腐蚀镶嵌导电层的湿气(例如，液滴、潮气等)、碎片或污染物。当镶嵌导电层暴露于这些环境质量时，镶嵌导电层可能比预期腐蚀地更快，导致常规半导体封装或器件的可用寿命降低，因为常规半导体封装或器件可能比预期更早地发生故障。
2、在常规半导体器件或封装中，导电结构(例如，接触焊盘、凸块下金属化(ubm)等)可耦合到镶嵌导电层，使得常规半导体封装可耦合到外部电装置、耦合到常规半导体封装的再分布层(rdl)、或耦合到引线键...
【技术保护点】
1.一种器件，包括：
2.根据权利要求1所述的器件，其中所述缝隙延伸到所述导电阻挡层的所述第二表面，并且所述缝隙通过所述导电阻挡层与所述导电镶嵌层的所述第一表面分隔。
3.根据权利要求1所述的器件，其中所述导电阻挡层包括：
4.根据权利要求3所述的器件，其中所述至少一个绝缘层在所述凸起的周边部分上，并且所述第一侧壁从所述导电阻挡层的所述凸起的周边部分延伸。
5.根据权利要求1所述的器件，其中所述导电阻挡层包括：
6.根据权利要求5所述的器件，其中所述至少一个绝缘层覆盖所述导电阻挡层的所述第一部分和所述第二部分...
【技术特征摘要】
1.一种器件，包括：
2.根据权利要求1所述的器件，其中所述缝隙延伸到所述导电阻挡层的所述第二表面，并且所述缝隙通过所述导电阻挡层与所述导电镶嵌层的所述第一表面分隔。
3.根据权利要求1所述的器件，其中所述导电阻挡层包括：
4.根据权利要求3所述的器件，其中所述至少一个绝缘层在所述凸起的周边部分上，并且所述第一侧壁从所述导电阻挡层的所述凸起的周边部分延伸。
5.根据权利要求1所述的器件，其中所述导电阻挡层包括：
6.根据权利要求5所述的器件，其中所述至少一个绝缘层覆盖所述导电阻挡层的所述第一部分和所述第二部分，所述至少一个绝缘层从第三部分沿着所述第二部分延伸到所述第一部分，并且所述至少一个绝缘层的所述第一侧壁在所述导电阻挡层的所述第二表面上并且从所述导电阻挡层的所述第二表面延伸。
7.根据权利要求6所述的器件，其中所述缝隙通过所述至少一个绝缘层与所述导电阻挡层的所述第二部分和所述第三部分隔。
8.根据权利要求1所述的器件，其中：
9.根据权利要求1所述的器件，其中所述缝隙从所述导电阻挡层沿着所述第一侧壁和所述第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：L·瓜里诺，F·米拉内西，C·扎弗罗尼，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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