半导体装置制造方法及图纸

根据一个实施方式，一种半导体装置(10)包括第一引线框(22)、第二引线框(23A；23B)、半导体芯片(21)和导电部件(24A；24B)。第二引线框与第一引线框分离。第二引线框包括第一面(F1)和与第一面相交的第二面(F2)。半导体芯片连接到第一引线框。导电部件电连接半导体芯片和第二引线框。导电部件包括第一连接部(31)和第二连接部(25)。第一连接部包括通过导电粘合剂连接到第一面的第一连接面(26)。第二连接部包括通过导电粘合剂连接到第二面的第二连接面(27)。(27)。(27)。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]概括地说，本文描述的实施方式涉及半导体装置。

技术介绍

[0002]存在一种已知的半导体装置，其中通过例如板连接器来电连接引线框和半导体芯片的电极。电极和连接器之间以及引线框和连接器之间，通过焊料那样的导电粘合剂进行电气和机械连接。

技术实现思路

[0003]在通过使用铅焊料将硅(Si)芯片键合到引线框和铜(Cu)连接器上，并通过成型将它们密封而制造的半导体封装的键合工艺中，使用回流焊炉。
[0004]由于熔融焊料的表面张力，回流工艺中的铜连接器有时会发生移动或转动。就焊点的可靠性而言，发生基准值以上的位置偏差可能导致产品有缺陷的问题。
[0005]根据实施方式的半导体装置包括第一引线框、第二引线框、半导体芯片和导电部件。第二引线框与第一引线框分离。第二引线框包括第一面和与第一面相交的第二面。半导体芯片连接到第一引线框。导电部件电连接半导体芯片和第二引线框。导电部件包括第一连接部和第二连接部。第一连接部包括通过导电粘合剂连接到第一面的第一连接面。第二连接部包括通过导电粘合剂连接到第二面的第二连接面。
附图说明
[0006]图1是根据第一实施方式的半导体装置的外观正面图；
[0007]图2是第一实施方式中的半导体装置的外观侧视图；
[0008]图3是第一实施方式中的半导体装置的外观背面图；
[0009]图4是从底面一侧观察的半导体装置的外观立体图；
[0010]图5是从顶面一侧观察的半导体装置的外观立体图；
[0011]图6是在成型前的第一实施方式中的半导体装置的前视图；
[0012]图7是在成型前的第一实施方式中的半导体装置的侧视图；
[0013]图8是在成型前的第一实施方式中的半导体装置的俯视图；
[0014]图9是在成型前的第一实施方式中的半导体装置的背视图；
[0015]图10是从底面一侧观察的在成型前的第一实施方式的半导体装置的立体图；
[0016]图11是从顶面一侧观察的在成型前的第一实施方式的半导体装置的立体图；
[0017]图12A和图12B是用于描述在成型前的传统半导体装置的问题的图；
[0018]图13是第一实施方式中的金属连接器的背视图；
[0019]图14是第一实施方式中的金属连接器的侧视图；
[0020]图15A和图15B是用于描述根据第二实施方式的半导体装置的图。
具体实施方式
[0021]接下来，将参考附图来描述实施方式。
[0022]第一实施方式
[0023]将描述第一实施方式。应当注意，在本文中可以以多种形式来表达根据该实施方式及其描述的结构元件。这些结构元件及其描述仅通过示例的方式来呈现，并不旨在限制本专利技术的保护范围。可以通过与本文所使用的名称不同的名称来指定这些结构元件。此外，可以以与本文所使用的表达不同的表达来描述这些结构元件。
[0024]图1是根据第一实施方式的半导体装置的外观正面图。图2是第一实施方式中的半导体装置的外观侧视图。例如，将半导体装置10组装为功率器件(功率晶体管)。应当注意，半导体装置10并不限于这样的示例，其还可以组装为另一种器件。
[0025]如各个附图中所示，为方便起见，在本说明书中定义了X轴、Y轴和Z轴。X轴、Y轴和Z轴彼此正交。沿半导体装置10的宽度设置X轴。沿半导体装置10的长度(或进深)设置Y轴。沿半导体装置10的厚度设置Z轴。
[0026]另外，定义了X方向、Y方向和Z方向。X方向是沿着X轴的方向，其包括X轴的箭头所示的+X方向和X轴箭头的相反方向的
‑
X方向。Y方向是沿着Y轴的方向，其包括Y轴的箭头所示的+Y方向和Y轴箭头的相反方向的
‑
Y方向。Z方向是沿着Z轴的方向，其包括Z轴的箭头所示的+Z方向和Z轴箭头的相反方向的
‑
Z方向。
[0027]如图1中所示，半导体装置10包括树脂成型件(mold)11、第1连接器12、第2连接器13、第3连接器14和第4连接器15。
[0028]在上面所描述的构造中，树脂成型件11将第1连接器12到第4连接器15的一部分、以及将在后面进行描述的半导体芯片、第一引线框的一部分、第二引线框和第三引线框密封。
[0029]第1连接器12和第2连接器13用作第二引线框。第3连接器14和第4连接器15构成第一引线框的一部分。将第1连接器12设置为从树脂成型件11先沿+X方向延伸，然后逐渐沿+X方向和
‑
Z方向延伸，最后沿+X方向延伸。与第1连接器12一样，将第2连接器13设置为从树脂成型件11先沿+X方向延伸，然后逐渐沿+X方向和
‑
Z方向延伸，最后沿+X方向延伸。将第3连接器14设置为从树脂成型件11沿+X方向延伸。将第4连接器15设置为从树脂成型件11沿
‑
X方向延伸。
[0030]图3是第一实施方式中的半导体装置的外观背面图。第4连接器15用作如上所述的引线框。如图3中所示，从树脂成型件11中露出第4连接器15以用于如后面所描述的半导体芯片的散热。
[0031]图4是从底面一侧观察的半导体装置的外观立体图。图5是从顶面一侧观察的半导体装置的外观立体图。如图5中所示，将第4连接器15设置为从树脂成型件11的顶面一侧(
‑
X方向侧)突出。如图4中所示，第1连接器12、第2连接器13和第3连接器14从树脂成型件11的底面一侧(+X方向侧)突出。在这种情况下，半导体装置10是表面安装型，因此将第1连接器12、第2连接器13和第3连接器14的突出端设计为使得它们的待键合面(
‑
Z方向上的端面)实质上位于同一X
‑
Y平面上。
[0032]图6是第一实施方式中的半导体装置在成型前的前视图。半导体装置10包括其上安装有半导体芯片21的第一引线框22。
[0033]在这种情况下，在半导体芯片21的正面侧(+Z方向侧)的表面上设置栅极端子TG和源极端子TS。在半导体芯片21的背面侧，设置未图示的漏极端子。半导体芯片21的漏极端子通过用作导电粘合剂的铅焊料，电连接到第一引线框22。
[0034]结果，半导体芯片21机械地固定到第一引线框22，从而变成规定的导热状态。这使得半导体芯片21能够通过第一引线框22散发其热量。
[0035]第一引线框22的一端(在图6的情况下为右端)构成用作漏极端子TD的第3连接器14。类似地，第一引线框22的另一端(在图6的情况下为左端)构成用作漏极端子TD的第4连接器15。
[0036]用作导电部件的金属(Cu)连接器24A，通过用作导电粘合剂的铅焊料电连接到半导体芯片21的栅极端子TG。类似地，用作导电部件的金属(Cu)连接器24B，通过用作导电粘合剂的铅焊料电连接到半导体芯片21的源极端子TS。
[0037]在这种情况下，从图6所示的正面来看，金属连本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置(10)，包括：第一引线框(22)；第二引线框(23A；23B)，与所述第一引线框分离，并且包括第一面(F1)和与所述第一面相交的第二面(F2)；连接到所述第一引线框的半导体芯片(21)；以及将所述半导体芯片和所述第二引线框点连接的导电部件(24A；24B)，所述导电部件包括第一连接部(31)和第二连接部(25)，所述第一连接部包括通过导电粘合剂连接到所述第一面的第一连接面(26)，所述第二连接部包括通过导电粘合剂连接到所述第二面的第二连接面(27)。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述导电部件的所述第二连接面(27)和所述第二引线框的所述第二面(F2)沿相同方向延伸并且彼此面...

【专利技术属性】
技术研发人员：山口翔，
申请(专利权)人：东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：