刻蚀工具以及曝气装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种曝气装置以及刻蚀工具，所述曝气装置，包括曝气管。曝气管具有依序连接的第一曝气区、第二曝气区以及第三曝气区。曝气管具有分别设置于第一曝气区、第二曝气区以及第三曝气区的多个第一开口、多个第二开口以及多个第三开口。第二开口位于第一开口与第三开口之间。第一开口的曝气密度与第三开口的曝气密度大于第二开口的曝气密度。气密度大于第二开口的曝气密度。气密度大于第二开口的曝气密度。

【技术实现步骤摘要】
刻蚀工具以及曝气装置


[0001]本专利技术涉及一种刻蚀工具以及曝气装置，尤其涉及一种包含曝气管的刻 蚀工具以及曝气装置。

技术介绍

[0002]在半导体装置的制造过程中，在于晶片上进行外延工艺或其他沉积工艺 前，通常需要对晶片进行清洗，以去除晶片表面的杂质或脏污。举例来说， 在利用无电电镀法形成镍于硅晶片表面的工艺中，部分镍金属可能会与氧反 应形成氧化镍。这些未于表面的氧化镍会影响后续形成于其上的其他膜层的 均匀度，因此，再进行下一道工艺前，需经过一道刻蚀工艺以移除不需要的 氧化镍。然而，若仅将晶片置入充满化学溶剂的刻蚀槽中没办法有效移除氧 化镍。因此，目前亟需一种可以有效清洗晶片的方法。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种刻蚀工具，能改善刻蚀槽中的流场分布差异导致刻蚀不 完全的问题。
[0004]本专利技术提供一种曝气装置，能改善刻蚀槽中的流场分布差异导致刻蚀不 完全的问题。
[0005]本专利技术的至少一实施例提供一种刻蚀工具。刻蚀工具包括刻蚀槽、晶片 承载装置以及曝气装置。晶片承载装置位于刻蚀槽中。晶片承载装置的晶片 放置区适用于放置多个晶片。曝气装置设置于刻蚀槽中，且包括曝气管。曝 气管包括第一曝气区、第二曝气区以及第三曝气区。第一曝气区不重叠于晶 片放置区，且曝气管具有位于第一曝气区的多个第一开口。第二曝气区重叠 于晶片放置区，且曝气管具有位于第二曝气区的多个第二开口。第三曝气区 不重叠于晶片放置区，且曝气管具有位于第三曝气区的多个第三开口。第一 曝气区、第二曝气区与第三曝气区依序连接。
[0006]本专利技术的至少一实施例提供一种曝气装置。曝气装置包括曝气管。曝气 管具有依序连接的第一曝气区、第二曝气区以及第三曝气区。曝气管具有分 别设置于第一曝气区、第二曝气区以及第三曝气区的多个第一开口、多个第 二开口以及多个第三开口。第二开口位于第一开口与第三开口之间。第一开 口的曝气密度与第三开口的曝气密度大于第二开口的曝气密度。
附图说明
[0007]图1是依照本专利技术的一实施例的一种刻蚀工具的示意图；
[0008]图2是依照本专利技术的一实施例的一种曝气装置的上视示意图；
[0009]图3A是依照本专利技术的一实施例的一种曝气装置的上视示意图；
[0010]图3B是依照本专利技术的一实施例的一种曝气装置的剖面示意图；
[0011]图4是依照本专利技术的一实施例的一种曝气装置的上视示意图；
[0012]图5是依照本专利技术的一实施例的一种曝气装置的上视示意图；
[0013]图6A是依照本专利技术的一实施例的一种曝气装置的上视示意图；
[0014]图6B是依照本专利技术的一实施例的一种曝气装置的斜视示意图；
[0015]图7是依照本专利技术的一实施例的一种曝气装置的剖面示意图；
[0016]图8是依照本专利技术的一实施例的一种曝气装置的剖面示意图；
[0017]图9是依照本专利技术的一实施例的一种曝气装置的剖面示意图；
[0018]图10是依照本专利技术的一实施例的一种曝气装置的剖面示意图；
[0019]图11是依照本专利技术的一实施例的一种曝气装置的上视示意图。
[0020]附图标记说明
[0021]10:刻蚀工具
[0022]100:刻蚀槽
[0023]102:溶液
[0024]200、200a、200b、200c、200d、200e、200f:曝气装置
[0025]210、210a、210b、210c、210d、210f:曝气管
[0026]202:进气方向
[0027]204:出气方向
[0028]212:中央管体
[0029]214:第一伸缩管体
[0030]214a:第一延伸管体
[0031]216:第二伸缩管体
[0032]220:中央连接管
[0033]300:晶片承载装置
[0034]310:固定件
[0035]320:晶片载具
[0036]322:晶片放置区
[0037]400、400a:喷嘴
[0038]410:固定部
[0039]420:管路部
[0040]O1:第一开口
[0041]O2:第二开口
[0042]O3:第三开口
[0043]O4:第四开口
[0044]P1、P2、P3:间距
[0045]R1:第一曝气区
[0046]R2:第二曝气区
[0047]R3:第三曝气区
[0048]DR1:方向
[0049]W、W1、W2:晶片
[0050]w1、w2、EW:宽度
具体实施方式
[0051]图1是依照本专利技术的一实施例的一种刻蚀工具的剖面示意图。
[0052]请参考图1，刻蚀工具10包括刻蚀槽100、曝气装置200以及晶片承载 装置300。
[0053]刻蚀槽100适用于容纳溶液102。溶液102例如包含硝酸、氢氟酸、硫 酸、醋酸或盐酸等酸液，或是超纯水、纯水或其他液态溶液。
[0054]晶片承载装置300位于刻蚀槽100中，并浸入溶液102中。在本实施例 中，晶片承载装置300包括固定件310以及晶片载具320。晶片载具320设 置于固定件310上。晶片载具320具有晶片放置区322，晶片放置区322适 用于放置多个晶片W。
[0055]在本实施例中，晶片载具320例如包含多个凹槽、卡榫、夹具或其他可 用于固定晶片W的结构，使晶片W得以在晶片放置区322中排列。在本实 施例中，晶片W在晶片放置区310中沿着第一方向DR1排列，且晶片W浸 入溶液102中。
[0056]晶片W的材料例如包括硅(Si)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、锑化铟 (InSb)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)或硒化锌(ZnSe)。晶片W的尺寸可以是3 吋至12吋，但本专利技术不以此为限。在一些实施例中，晶片W的表面选择性 地包含金属层或其他材料。
[0057]曝气装置200设置于刻蚀槽100中，且部分浸入溶液102中。曝气装置 200包括曝气管210。曝气管210具有多个开口(图1未绘出)，气体沿着入气 方向202进入曝气管210，并通过曝气管210的开口沿着出气方向204离开 曝气管204。曝气管210排出的气体于溶液102中产生气泡以扰动溶液102。 前述气体例如是氮气或者是其他种类的洁净气体。
[0058]如此一来，相较于仅将待处理的晶片W置于静止的清洗溶液中，本实施 例具有更佳的清洗效果。换句话说，本实施例可增加晶片W与溶液102间的 有效接触碰撞，进而增加清洗或刻蚀晶片W的表面的效率。
[0059]在本实施例中，曝气管210包括第一曝气区R1、第二曝气区R2以及第 三曝气区R3。第一曝气区O1、第二曝气区O2与第三曝气区O3沿着第一方 向DR1依序连接。
[0060]第一曝气区R1与第三曝气区R3不重叠于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种刻蚀工具，包括：刻蚀槽；晶片承载装置，位于所述刻蚀槽中，且所述晶片承载装置的晶片放置区适用于放置多个晶片；以及曝气装置，设置于所述刻蚀槽中，且包括：曝气管，包括：第一曝气区，不重叠于所述晶片放置区，且所述曝气管具有位于所述第一曝气区的多个第一开口；第二曝气区，重叠于所述晶片放置区，且所述曝气管具有位于所述第二曝气区的多个第二开口；以及第三曝气区，不重叠于所述晶片放置区，且所述曝气管具有位于所述第三曝气区的多个第三开口，其中所述第一曝气区、所述第二曝气区与所述第三曝气区依序连接。2.根据权利要求1所述的刻蚀工具，其中所述多个第一开口的曝气密度与所述多个第三开口的曝气密度大于所述多个第二开口的曝气密度。3.根据权利要求2所述的刻蚀工具，其中所述多个第一开口的开口密度与所述多个第三开口的开口密度大于或等于所述多个第二开口的开口密度。4.根据权利要求2所述的刻蚀工具，其中所述多个第一开口的开口尺寸与所述多个第三开口的尺寸大于或等于所述多个第二开口的开口尺寸。5.根据权利要求1所述的刻蚀工具，其中所述多个晶片沿着第一方向排列，且所述第一曝气区、所述第二曝气区与所述第三曝气区沿着所述第一方向依序连接。6.根据权利要求1所述的刻蚀工具，其中所述曝气管包括：中央管体，其中所述第二曝气区位于所述中央管体，且所述中央管体具有所述多个第二开口；以及第一伸缩管体，可伸缩地设置于所述中央管体上，其中所述第一曝...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓宇伦，张志暐，吴翰宗，
申请(专利权)人：环球晶圆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：