弧源及多弧离子镀膜机制造技术

本申请涉及真空镀膜技术领域，尤其是涉及一种弧源及多弧离子镀膜机，弧源包括：绝缘围挡，形成有容纳空间；磁场组件，设置于容纳空间内，磁场组件在容纳空间形成综合磁场；弧靶，设置于磁场组件的一侧；调距装置，设置于容纳空间内，调距装置与磁场组件连接，调距装置驱动磁场组件相对弧靶运动。本申请提供的弧源，通过调距装置能够调节多个磁构件中的部分磁构件与弧靶之间的距离，从而使得弧源内的综合磁场的分布情况以及与弧靶之间的距离可调，从而有助于提高进行真空镀膜后的密层质量。有助于提高进行真空镀膜后的密层质量。有助于提高进行真空镀膜后的密层质量。

【技术实现步骤摘要】
弧源及多弧离子镀膜机


[0001]本申请涉及真空镀膜
，尤其是涉及一种弧源及多弧离子镀膜机。

技术介绍

[0002]目前，现有的真空镀膜机的弧源，磁构件的设置位置相对固定，从而导致弧源内的磁场与弧靶的位置相对固定，而磁场的分布范围、与弧靶之间的距离直接影响弧斑的运动范围和轨迹，使得现有的弧源无法控制或调节弧斑的运动方向、路径。

技术实现思路

[0003]本申请的目的在于提供一种弧源及多弧离子镀膜机，以在一定程度上解决现有技术中存在的磁场相对弧靶的位置固定，无法调节两者之间的距离的技术问题。
[0004]本申请提供了一种弧源，包括：绝缘围挡，形成有容纳空间；
[0005]磁场组件，设置于所述容纳空间内，所述磁场组件在所述容纳空间形成综合磁场；
[0006]弧靶，设置于所述磁场组件的一侧；
[0007]调距装置，设置于所述容纳空间内，所述调距装置与所述磁场组件连接，所述调距装置驱动所述磁场组件相对所述弧靶运动。
[0008]在上述技术方案中，进一步地，所述绝缘围挡具有两端开口的筒结构，所述弧源还包括固定组件，所述磁场组件设置于所述固定组件。
[0009]在上述任一技术方案中，进一步地，所述弧源还包括冷却装置，所述冷却装置设置于所述绝缘围挡的一端开口处；
[0010]所述冷却装置位于所述磁场组件与所述弧靶之间，所述弧靶与所述冷却装置接触或贴合；
[0011]所述冷却装置具有平板结构，所述冷却装置内形成有供冷却介质流动流道。
[0012]在上述任一技术方案中，进一步地，所述冷却装置设置有第一固定法兰，所述弧靶设置有第二固定法兰，所述第一固定法兰与所述第二固定法兰连接；
[0013]所述第二固定法兰具有环形结构，所述第二固定法兰的内环形成有第一连接部；
[0014]所述弧靶具有圆形的平板结构，所述弧靶的边缘形成有第二连接部，所述第一连接部与所述第二连接部适配连接。
[0015]在上述任一技术方案中，进一步地，所述调距装置包括第一调节件和第二调节件；
[0016]所述磁场组件的中心形成有穿设通道，所述第二调节件设置于所述穿设通道，所述第二调节件与所述磁场组件连接；
[0017]第一调节件，所述第一调节件与所述第二调节件螺纹连接。
[0018]在上述任一技术方案中，进一步地，所述弧源还包括：
[0019]绝缘隔套，具有环形结构；
[0020]陶瓷环，具有环形结构，所述陶瓷环设置于所述绝缘隔套的内环；所述第二固定法兰设置于所述陶瓷环的内环。
[0021]在上述任一技术方案中，进一步地，所述弧源还包括屏蔽罩，所述屏蔽罩设置于所述弧靶背离所述冷却装置的一侧；
[0022]所述屏蔽罩具有两端开口的筒结构，所述屏蔽罩的一端开口的外壁面与所述陶瓷环的内环壁面贴合；
[0023]所述弧源还包括弧源座，所述屏蔽罩形成有第一滑动连接部，所述弧源座形成有第二滑动连接部，所述第一滑动连接部与所述第二滑动连接部适配连接。
[0024]在上述任一技术方案中，进一步地，所述磁场组件包括：
[0025]第一磁构件，设置于所述固定组件并形成沿第一方向分布的第一磁场；
[0026]第二磁构件，设置于所述固定组件并形成沿与所述第一方向不同的第二方向分布的第二磁场；
[0027]第三磁构件，设置于所述固定组件并形成有沿与所述第一方向、所述第二方向不同的第三方向分布的第三磁场；
[0028]所述第一磁场、所述第二磁场、所述第三磁场叠加形成综合磁场。
[0029]在上述任一技术方案中，进一步地，所述固定组件包括：
[0030]第一固定件；
[0031]第二固定件，与所述第一固定件间隔设置，所述第一磁构件设置于所述第二固定件；
[0032]第三固定件，所述第二固定件形成有安装部，所述第三固定件设置于所述安装部，所述第二磁构件设置于所述第三固定件；
[0033]盖板，与所述第三固定件连接，用于将所述第二磁构件限位在所述第三固定件与所述盖板之间。
[0034]本申请还提供了一种多弧离子镀膜机，包括上述任一技术方案所述的弧源，因而，具有该弧源的全部有益技术效果，在此，不再赘述。
[0035]与现有技术相比，本申请的有益效果为：
[0036]本申请提供的弧源包括：绝缘围挡，形成有容纳空间；磁场组件，设置于容纳空间内，磁场组件在容纳空间形成综合磁场；弧靶，设置于磁场组件的一侧；调距装置，设置于容纳空间内，调距装置与磁场组件连接，调距装置驱动磁场组件相对弧靶运动。
[0037]本申请提供的弧源，通过调距装置能够调节多个磁构件中的部分磁构件与弧靶之间的距离，从而使得弧源内的综合磁场的分布情况以及与弧靶之间的距离可调，从而有助于提高进行真空镀膜后的密层质量。
[0038]本申请提供的多弧离子镀膜机，包括上述所述的弧源，因而，通过本弧源能够显著提高多弧离子镀膜机的镀膜质量。
附图说明
[0039]为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0040]图1为本申请实施例提供的弧源的结构示意图；
[0041]图2为本申请实施例提供的弧源隐藏绝缘围挡后的结构示意图；
[0042]图3为本申请实施例提供的弧源的部分结构示意图；
[0043]图4为本申请实施例提供的弧源的另一部分结构示意图；
[0044]图5为本申请实施例提供的弧源的又一部分结构示意图；
[0045]图6为图5的另一视角图；
[0046]图7为本申请实施例提供的弧源的弧靶的结构示意图；
[0047]图8为本申请实施例提供的弧源的第二固定法兰的结构示意图；
[0048]图9为本申请实施例提供的弧源的屏蔽罩结构示意图；
[0049]图10为图9沿A
‑
A的剖视图。
[0050]附图标记：
[0051]1‑
绝缘围挡，2
‑
弧靶，201
‑
第二固定法兰，202
‑
第二连接部，203
‑
第一连接部，204
‑
止挡部，3
‑
调距装置，301
‑
第一调节件，302
‑
第二调节件，4
‑
冷却装置，401
‑
第一固定法兰，402
‑
电极接头，403
‑
进液口，5
‑
第一磁构件，6
‑
第二磁构件，7
‑
线圈架，8
‑
绝缘隔套，9
‑...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种弧源，其特征在于，包括：绝缘围挡，形成有容纳空间；磁场组件，设置于所述容纳空间内，所述磁场组件在所述容纳空间形成综合磁场；弧靶，设置于所述磁场组件的一侧；调距装置，设置于所述容纳空间内，所述调距装置与所述磁场组件连接，所述调距装置驱动所述磁场组件相对所述弧靶运动。2.根据权利要求1所述的弧源，其特征在于，所述绝缘围挡具有两端开口的筒结构，所述弧源还包括固定组件，所述磁场组件设置于所述固定组件。3.根据权利要求1所述的弧源，其特征在于，所述弧源还包括冷却装置，所述冷却装置设置于所述绝缘围挡的一端开口处；所述冷却装置位于所述磁场组件与所述弧靶之间，所述弧靶与所述冷却装置接触或贴合；所述冷却装置具有平板结构，所述冷却装置内形成有供冷却介质流动流道。4.根据权利要求3所述的弧源，其特征在于，所述冷却装置设置有第一固定法兰，所述弧靶设置有第二固定法兰，所述第一固定法兰与所述第二固定法兰连接；所述第二固定法兰具有环形结构，所述第二固定法兰的内环形成有第一连接部；所述弧靶具有圆形的平板结构，所述弧靶的边缘形成有第二连接部，所述第一连接部与所述第二连接部适配连接。5.根据权利要求1所述的弧源，其特征在于，所述调距装置包括第一调节件和第二调节件；所述磁场组件的中心形成有穿设通道，所述第二调节件设置于所述穿设通道，所述第二调节件与所述磁场组件连接；第一调节件，所述第一调节件与所述第二调节件螺纹连接。6.根据权利要求4所述的弧源，其特征在于，所述弧源还包...

【专利技术属性】
技术研发人员：王思航，
申请(专利权)人：辽宁卓越真空设备有限公司，
类型：新型
国别省市：