陶瓷真空镀膜工艺方法技术

本申请涉及镀膜工艺领域，尤其是涉及一种陶瓷真空镀膜工艺方法。陶瓷真空镀膜工艺方法包括如下步骤：S1：将陶瓷基材放入真空室内并抽真空；S2：向真空室充入惰性气体；S3：开启偏压电源调节偏压电源的参数；开启转架；S4：对陶瓷基材镀膜包括如下步骤：S4.1：对陶瓷基材加热放气；S4.2：开启第一预设金属靶对陶瓷基材刻蚀；S4.3：关闭第一预设金属靶；开启第二预设金属靶对陶瓷基材打底；S4.4：关闭第一预设金属靶和第二预设金属靶；开启第三预设金属靶对陶瓷基材镀膜；S5：降低真空室温度。本申请通过对陶瓷基材依次进行预热放气、刻蚀、打底及镀膜，提升了镀层的均匀性和镀层的附着度，进而提升了滤波器的质量。提升了滤波器的质量。提升了滤波器的质量。

【技术实现步骤摘要】
陶瓷真空镀膜工艺方法


[0001]本申请涉及镀膜工艺领域，尤其是涉及一种陶瓷真空镀膜工艺方法。

技术介绍

[0002]通信基站从功能上由天线、射频处理部分、信号转化部分及数字基带处理单元组成。滤波器为射频处理部分的重要零件。
[0003]滤波器包括陶瓷材质的基材和覆盖于基材表面的金属镀层，一般采用真空镀膜的工艺制造。但现有技术中，对镀膜过程的控制过程简略，不能保证镀层的均匀性和镀层的附着度，无法适应于5G通信基站的严格要求。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于提供一种陶瓷真空镀膜工艺方法，以对陶瓷基材的表面镀膜，该方法提升了镀层的均匀性和镀层的附着度。
[0005]本申请提供了一种陶瓷真空镀膜工艺方法，包括如下步骤：
[0006]步骤S1：将陶瓷基材放入镀膜机的真空室内，并对所述真空室内抽真空；
[0007]步骤S2：向所述真空室内充入惰性气体；
[0008]步骤S3：开启偏压电源，调节所述偏压电源的参数；开启挂有所述陶瓷基材的转架；
[0009]步骤S4：对所述陶瓷基材镀膜，包括如下步骤：
[0010]步骤S4.1：对所述陶瓷基材加热放气；
[0011]步骤S4.2：开启第一预设金属靶，以对所述陶瓷基材刻蚀；
[0012]步骤S4.3：关闭所述第一预设金属靶；开启第二预设金属靶，以对所述陶瓷基材打底；
[0013]步骤S4.4：关闭所述第一预设金属靶和所述第二预设金属靶；开启第三预设金属靶，以对所述陶瓷基材镀膜；
[0014]步骤S5：降低所述真空室内的温度，产品出炉。
[0015]在上述技术方案中，进一步地，步骤S4.1包括：
[0016]对所述真空室加热，以使所述真空室内的温度为260
‑
300℃之间；
[0017]对所述真空室抽真空，以使所述真空室内的气压达到3
×
10
‑3‑6×
10
‑3pa。
[0018]在上述技术方案中，进一步地，在步骤S4.2中，在开启第一预设金属靶之前，还包括：
[0019]对所述真空室内充入惰性气体，以使所述真空室内的气压在0.2
‑
0.3pa之间。
[0020]在上述技术方案中，进一步地，步骤S4.2还包括：
[0021]调节所述偏压电源的电压为400
‑
600V之间，所述偏压电源的占空比为50％
‑
70％之间；
[0022]所述第一预设金属靶的靶电流设置在60
‑
90A之间。
[0023]在上述技术方案中，进一步地，步骤S4.3还包括：
[0024]调节所述偏压电源的电压为50
‑
100V之间，所述偏压电源的占空比为40％
‑
80％之间；
[0025]所述第二预设金属靶的靶电流设置在60
‑
90A之间，且通入所述第二预设金属靶的靶电流时间持续1
‑
3分钟。
[0026]在上述技术方案中，进一步地，在步骤S4.4中，在开启第三预设金属靶之前，还包括：
[0027]对所述真空室内充入惰性气体，以使所述真空室内的气压达到0.5
‑
3pa。
[0028]在上述技术方案中，进一步地，步骤S4.4还包括：
[0029]调节所述偏压电源的电压为50
‑
150V之间，所述偏压电源的占空比为40％
‑
80％之间；
[0030]所述第三预设金属靶的靶电流设置在70
‑
120A之间，且通入所述第三预设金属靶的靶电流时间持续100
‑
200分钟。
[0031]在上述技术方案中，进一步地，步骤S1包括：
[0032]对所述真空室第一次抽真空，以使所述真空室内的气压达到500pa；
[0033]对所述真空室第二次抽真空，以使所述真空室内的气压达到5pa；
[0034]对所述真空室第三次抽真空，以使所述真空室内的气压达到4
×
10
‑3pa。
[0035]在上述技术方案中，进一步地，在步骤S2中，向所述真空室内充入惰性气体以使所述真空室内的气压为0.2
‑
0.3pa之间。
[0036]在上述技术方案中，进一步地，在步骤S3中，所述偏压电源的参数包括：所述偏压电源的电压为40
‑
100V之间，所述偏压电源的占空比30％
‑
70％之间；
[0037]所述转架的转动频率为10
‑
20Hz。
[0038]与现有技术相比，本申请的有益效果为：
[0039]本申请提供的陶瓷真空镀膜工艺方法，通过细化陶瓷基材镀膜过程，对陶瓷基材依次进行预热放气、刻蚀、打底及镀膜的操作，提升了镀层的均匀性和镀层的附着度，进而提升了滤波器的质量，以使滤波器能够适应5G通信基站的严格要求。
附图说明
[0040]为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0041]图1为本申请提供的陶瓷真空镀膜工艺方法的流程图；
[0042]图2为本申请提供的步骤S4中对陶瓷基材镀膜的流程图。
具体实施方式
[0043]下面将结合附图对本申请的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0044]在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0045]在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0046]实施例一
[0047]参见图1和图2所示，本申请提供的陶瓷真空镀膜工艺方法包括如下步骤：...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种陶瓷真空镀膜工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：将陶瓷基材放入镀膜机的真空室内，并对所述真空室内抽真空；步骤S2：向所述真空室内充入惰性气体；步骤S3：开启偏压电源，调节所述偏压电源的参数；开启挂有所述陶瓷基材的转架；步骤S4：对所述陶瓷基材镀膜，包括如下步骤：步骤S4.1：对所述陶瓷基材加热放气；步骤S4.2：开启第一预设金属靶，以对所述陶瓷基材刻蚀；步骤S4.3：关闭所述第一预设金属靶；开启第二预设金属靶，以对所述陶瓷基材打底；步骤S4.4：关闭所述第一预设金属靶和所述第二预设金属靶；开启第三预设金属靶，以对所述陶瓷基材镀膜；步骤S5：降低所述真空室内的温度，产品出炉。2.根据权利要求1所述的陶瓷真空镀膜工艺方法，其特征在于，步骤S4.1包括：对所述真空室加热，以使所述真空室内的温度为260
‑
300℃之间；对所述真空室抽真空，以使所述真空室内的气压达到3
×
10
‑3‑6×
10
‑3pa。3.根据权利要求2所述的陶瓷真空镀膜工艺方法，其特征在于，在步骤S4.2中，在开启第一预设金属靶之前，还包括：对所述真空室内充入惰性气体，以使所述真空室内的气压在0.2
‑
0.3pa之间。4.根据权利要求3所述的陶瓷真空镀膜工艺方法，其特征在于，步骤S4.2还包括：调节所述偏压电源的电压为400
‑
600V之间，所述偏压电源的占空比为50％
‑
70％之间；所述第一预设金属靶的靶电流设置在60
‑
90A之间。5.根据权利要求1所述的陶瓷真空镀膜工艺方法，其特征在于，步骤S4.3还包括：调节所述偏压电源的电压为50
‑
100V之间，所述偏压电源的占空比为40...

【专利技术属性】
技术研发人员：王君，王思航，闫超颖，李昌华，
申请(专利权)人：辽宁卓越真空设备有限公司王君，
类型：发明
国别省市：