一种基于硅基深槽制作不同平面图形的方法技术

本发明专利技术揭示了一种基于硅基深槽制作不同平面图形的方法。所述基于硅基深槽制作不同平面图形的方法包括：提供硅基V型槽；在所述硅基V型槽上进行薄膜生长；在薄膜生长后的硅基V型槽的上表面，侧壁及槽底上均匀覆盖一层厚度为2

【技术实现步骤摘要】
一种基于硅基深槽制作不同平面图形的方法


[0001]本专利技术属于半导体制造
，具体涉及一种基于硅基深槽制作不同平面图形的方法。

技术介绍

[0002]硅基V型槽(silicon V
‑
groove，硅V形槽)广泛应用于光纤阵列中，用于与平面光波导器件PLC的耦合连接，也常用于与大功率半导体激光器阵列的连接并形成光纤束输出。硅基V型槽采用半导体湿法刻蚀工艺制造，尺寸在微米级别，常见的旋涂匀胶工艺很难使光刻胶均匀分布于侧壁及槽底，难以通过光刻胶对侧壁实现保护功能。

技术实现思路

[0003]本专利技术的主要目的在于提供一种基于硅基深槽制作不同平面图形的方法，以克服现有技术中存在的不足。
[0004]为实现前述专利技术目的，本专利技术实施例采用的技术方案包括：
[0005]本专利技术实施例提供了一种基于硅基深槽制作不同平面图形的方法，包括：
[0006]提供硅基V型槽；
[0007]在所述硅基V型槽上进行薄膜生长；
[0008]在薄膜生长后的硅基V型槽的上表面，侧壁及槽底上均匀覆盖一层厚度为2
‑
30μm的光刻胶层；
[0009]在覆盖有光刻胶层的硅基V型槽上进行光刻，使硅基V型槽的上表面，侧壁及槽底上形成有所需的图形。
[0010]进一步地，所述的基于硅基深槽制作不同平面图形的方法，包括：在光刻版上形成原始光刻版图，并对具有原始光刻版图的光刻版依次进行光刻、刻蚀及湿法腐蚀，形成所述的硅基V型槽。
[0011]进一步地，所述硅基V型槽具有一V型沟槽，且该V型沟槽的底部为一平面形的低台面。
[0012]进一步地，所述的基于硅基深槽制作不同平面图形的方法，包括：采用喷胶方法，将光刻胶溶液喷涂在薄膜生长后的硅基V型槽的上表面，侧壁及槽底上，以形成厚度为2
‑
30μm的光刻胶层。
[0013]更进一步地，所述光刻胶溶液包括体积比为1∶5
‑
60的光刻胶和溶剂。
[0014]与现有技术相比，本专利技术具有如下有益效果：
[0015](1)本专利技术基于硅基深槽制作不同平面图形的方法，在涂覆光刻胶之前，增加薄膜生长工艺，可以使光刻胶均匀分布在硅基V型槽上表面、侧壁及槽底，并且明显节省光刻胶用量。
[0016](2)本专利技术中，使用的光刻胶通过加入5
‑
60倍体积的溶剂稀释，能够有效降低光刻胶的粘稠度。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1是本申请一实施方式中硅基V型槽的结构示意图。
[0019]图2是本申请一实施方式中硅基深槽喷胶后光刻胶分布示意图。
[0020]图3是本申请一实施方式中通过喷胶工艺实现硅基深槽不同表面制作图形的示意图。
[0021]附图标记说明：1.V型沟槽，2.低台面，3.上表面，4.侧壁，5.槽底，6.光刻胶层，7.图形。
具体实施方式
[0022]通过应连同所附图式一起阅读的以下具体实施方式将更完整地理解本专利技术。本文中揭示本专利技术的详细实施例；然而，应理解，所揭示的实施例仅具本专利技术的示范性，本专利技术可以各种形式来体现。因此，本文中所揭示的特定功能细节不应解释为具有限制性，而是仅解释为权利要求书的基础且解释为用于教示所属领域的技术人员在事实上任何适当详细实施例中以不同方式采用本专利技术的代表性基础。
[0023]本专利技术实施例的一个方面提供了一种基于硅基深槽制作不同平面图形的方法，包括：
[0024]提供硅基V型槽；
[0025]在所述硅基V型槽上进行薄膜生长；
[0026]在薄膜生长后的硅基V型槽的上表面，侧壁及槽底上均匀覆盖一层厚度为2
‑
30μm的光刻胶层；
[0027]在覆盖有光刻胶层的硅基V型槽上进行光刻，使硅基V型槽的上表面，侧壁及槽底上形成有所需的图形。
[0028]在一些优选实施例中，所述的基于硅基深槽制作不同平面图形的方法，包括：在光刻版上形成原始光刻版图，并对具有原始光刻版图的光刻版依次进行光刻、刻蚀及湿法腐蚀，形成所述的硅基V型槽。
[0029]在一些更为优选的实施例中，所述硅基V型槽具有一V型沟槽，且该V型沟槽的底部为一平面形的低台面。
[0030]在一些优选实施例中，所述硅基V型槽的深度为100
‑
300μm。
[0031]在一些优选实施例中，所述硅基V型槽的侧壁与槽底之间的夹角为52
°‑
58
°°
。
[0032]在一些优选实施例中，所述的基于硅基深槽制作不同平面图形的方法，包括：采用LP
‑
CVD沉积镀膜的工艺，在所述硅基V型槽上进行SiN薄膜生长，至薄膜厚度为120
‑
300nm；其中，薄膜生长的反应气体为NH3和SiH2Cl2的混合气体，沉积温度为720～800℃，压力为350～375mtor。
[0033]在一些优选实施例中，所述的基于硅基深槽制作不同平面图形的方法，包括：采用喷胶方法，将光刻胶溶液喷涂在薄膜生长后的硅基V型槽的上表面，侧壁及槽底上，以形成
厚度为2
‑
30μm的光刻胶层；其中，所述喷胶工艺的喷胶温度为90
‑
110℃，前烘温度为90
‑
110℃，压力罐压力为0.05
‑
0.5Mpa，吹扫压力为0.08
‑
2.0Mpa。
[0034]在一些优选实施例中，所述光刻胶溶液可以包括体积比为1∶5
‑
60的光刻胶和溶剂，但不局限于此。
[0035]在一些更为优选的实施例中，所述光刻胶为AZ6130光刻胶。
[0036]在一些更为优选的实施例中，所述溶剂为丙酮和/或无水乙醇。
[0037]本专利技术实施例提供的基于硅基深槽制作不同平面图形的方法，通过在涂覆光刻胶之前，增加薄膜生长工艺，可以使光刻胶均匀分布在硅基V型槽上表面、侧壁及槽底，并且明显节省光刻胶用量。
[0038]下面将结合本专利技术实施例，对本专利技术实施例中的技术方案进行详细的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0039]实施例1
[0040]一种基于硅基深槽制作不同平面图形的方法，包括如下步骤：
[0041](1)在光刻版上形成原始光刻版图，并对具有原始光刻版图的光刻版依次进行光刻、刻蚀及湿法腐蚀，形成硅基V型槽，如图1所示，该硅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于硅基深槽制作不同平面图形的方法，其特征在于，包括：提供硅基V型槽；在所述硅基V型槽上进行薄膜生长；在薄膜生长后的硅基V型槽的上表面，侧壁及槽底上均匀覆盖一层厚度为2
‑
30μm的光刻胶层；在覆盖有光刻胶层的硅基V型槽上进行光刻，使硅基V型槽的上表面，侧壁及槽底上形成有所需的图形。2.根据权利要求1所述的基于硅基深槽制作不同平面图形的方法，其特征在于，包括：在光刻版上形成原始光刻版图，并对具有原始光刻版图的光刻版依次进行光刻、刻蚀及湿法腐蚀，形成所述的硅基V型槽。3.根据权利要求1或2所述的基于硅基深槽制作不同平面图形的方法，其特征在于：所述硅基V型槽具有一V型沟槽，且该V型沟槽的底部为一平面形的低台面。4.根据权利要求3所述的基于硅基深槽制作不同平面图形的方法，其特征在于∶所述硅基V型槽的深度为100
‑
300μm。5.根据权利要求3所述的基于硅基深槽制作不同平面图形的方法，其特征在于：所述硅基V型槽的侧壁与槽底之间的夹角范围为52
°‑
58
°
。6.根据利要求1所述的基于硅基深槽制作不同平面图形的方法，其特征在于，包括：采用LP
‑
...

【专利技术属性】
技术研发人员：王浩，黄寓洋，
申请(专利权)人：苏州苏纳光电有限公司，
类型：发明
国别省市：