用于制造纳米级沟道结构的方法技术

本发明专利技术涉及制造纳米级沟道结构的方法。其包括在基底(1)上沉积和构造第一牺牲层(2)，在基底(1)上和第一牺牲层(2)上沉积第二牺牲层(3)，在第二牺牲层(3)上沉积蚀刻掩模层(4)，部分去除蚀刻掩模层(4)和第二牺牲层(3)，去除第一牺牲层(2)并进一步部分去除第二牺牲层(3)，在蚀刻掩模层(4)上和基底(1)上沉积壁层，构造通向第二牺牲层(3)的入口，以及去除剩余的第二牺牲层(3)。二牺牲层(3)。二牺牲层(3)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制造纳米级沟道结构的方法
[0001]本专利技术涉及制造纳米级沟道结构的方法。此外，本专利技术涉及执行该方法的每个步骤的计算机程序以及存储该计算机程序的机器可读存储介质。最后，本专利技术涉及被设置为执行该方法的电子控制器。
现有技术
[0002]微流体应用需要纳米级沟道。例如，纳米沟道用于基因组测序仪，以引导DNA链尽可能接近读取电极并同时对其进行解码。在气相色谱中，纳米沟道由于其高表面积/体积比在气体物类的分离中是有利的，因为分离是通过特定的壁相互作用发生的。在这两种情况下，纳米沟道的精确几何形状都特别重要。然而，用于制造纳米级沟道结构的常规方法导致沟道几何形状无法良好再现。这是基于这样的事实，即这些方法使用依赖于时间的蚀刻或横向蚀刻(Unter
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tzung)，或者已打开的沟道由于层沉积而封闭，其中沟道的壁也被部分地随之涂覆。一些方法也受到强列的几何限制。涂层中的圆化也损害纳米级沟道结构的制造。
[0003]DE 20 2017 107 858 U1涉及用于早期检测疾病的蛋白质电晕传感器阵列的装置。在此，样品可以通过纳米沟道穿过本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.制造纳米级沟道结构的方法，其包括以下步骤：a) 在基底(1)上沉积和构造第一牺牲层(2)，b) 在基底(1)上和第一牺牲层(2)上沉积第二牺牲层(3)，c) 在第二牺牲层(3)上沉积蚀刻掩模层(4)，d) 部分去除蚀刻掩模层(4)和第二牺牲层(3)，e) 去除第一牺牲层(2)并进一步部分去除第二牺牲层(3)，f) 在蚀刻掩模层(4)上和基底(1)上沉积壁层(5)，g) 构造通向第二牺牲层(3)的入口，以及h) 去除剩余的第二牺牲层(3)。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二牺牲层(3)以小于100nm的厚度沉积。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一牺牲层(2)和所述第二牺牲层(3)由相同的材料沉积。4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：C，
申请(专利权)人：罗伯特，
类型：发明
国别省市：