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本发明涉及制造纳米级沟道结构的方法。其包括在基底(1)上沉积和构造第一牺牲层(2)，在基底(1)上和第一牺牲层(2)上沉积第二牺牲层(3)，在第二牺牲层(3)上沉积蚀刻掩模层(4)，部分去除蚀刻掩模层(4)和第二牺牲层(3)，去除第一牺牲层...
该专利属于罗伯特所有，仅供学习研究参考，未经过罗伯特授权不得商用。

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