用于制造半导体器件的方法和半导体器件技术

本公开的实施例涉及用于制造半导体器件的方法和半导体器件。一种用于制造半导体器件的方法，包括：提供硅基衬底；在衬底上沉积氧化层；在氧化层上沉积多晶硅层，并且同时在衬底上沉积结晶硅层；基于多晶硅层制造电子器件；将基于玻璃或硅的盖体安装在结晶硅层上。将基于玻璃或硅的盖体安装在结晶硅层上。将基于玻璃或硅的盖体安装在结晶硅层上。

【技术实现步骤摘要】
用于制造半导体器件的方法和半导体器件


[0001]本公开涉及一种制造半导体器件的方法和半导体器件。

技术介绍

[0002]在半导体器件领域，传感器器件是一个重要且不断增长的子领域。这些传感器器件可以被制造为微机电(MEMS)传感器，并且通常以被构建，使得它们包括其中容纳有实际传感器的空腔。在加速度传感器的情况下，这包括弹性悬挂的地震质量块。当外部加速度起作用时，惯性力作用在质量块上并引起偏移，这可以借助各种方法、例如电容、压阻或光学地进行检测。
[0003]对于所述类型的加速度传感器，以及对于压力或振动传感器、陀螺仪或时间采集部件，至关重要的是能够提供高品质，即振荡的抗震(seismisch)质量块的低阻尼。尤其重要的是，制造后存在的阻尼在传感器器件的整个使用寿命期间保持恒定。
[0004]由于这些和其他原因，本公开是必要的。

技术实现思路

[0005]本公开的第一方面涉及一种用于制造半导体器件的方法，其中该方法包括：
[0006]提供硅基衬底；
[0007]在所述衬底上沉积氧化层；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于制造半导体器件的方法(100)，其中所述方法包括：提供硅基衬底(110)；在所述衬底上沉积氧化层(120)；在所述氧化层上沉积多晶硅层，并且同时在所述衬底上沉积结晶硅层(130)；基于所述多晶硅层制造电子器件(140)；将基于玻璃或硅的盖体安装在所述结晶硅层上(150)。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述盖体具有与所述结晶硅层连接的突起。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述结晶硅层环状地环绕所述电子器件。4.根据权利要求2和3所述的方法，其中所述突起是环状形成的，并且所述突起具有的空间尺寸对应于所述结晶硅层的空间尺寸。5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中将基于硅的盖体安装在所述结晶硅层上包括晶圆键合。6.根据权利要求5所述的方法，其中在温度高于500℃时进行所述晶圆键合。7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中将基于玻璃的盖体安装在所述结晶硅层上包括阳极键合。8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中沉积所述多晶硅层和沉积所述结晶硅层包括使用硅烷从气相中生长这些层。9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中制造电子器件包括制造MEMS器件。10.根据权利要求9所述的方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：D，
申请(专利权)人：英飞凌科技德累斯顿公司，
类型：发明
国别省市：