一种堆叠封装结构的麦克风及制备方法技术

本发明专利技术麦克风设备技术领域，具体涉及一种堆叠封装结构的麦克风及制备方法，包括：一基板；一侧墙，设置于所述基板上方，所述侧墙设置有一通槽；一上盖，设置于所述侧墙上方，于所述上盖对应所述通槽的位置设置有容纳槽，所述侧墙与所述上盖的连接处包括一锡膏层；所述基板、所述侧墙以及所述上盖堆叠后形成一容纳腔，所述容纳腔内包括一声学传感器，设置于所述基板上，所述声学传感器的水平面高度高于所述锡膏层的水平面高度所述容纳腔内还包括集成芯片，设置于所述基板上；本发明专利技术可以有效防止锡膏层回流加热时锡膏飞溅污染声学传感器。止锡膏层回流加热时锡膏飞溅污染声学传感器。止锡膏层回流加热时锡膏飞溅污染声学传感器。

【技术实现步骤摘要】
一种堆叠封装结构的麦克风及制备方法


[0001]本专利技术涉及微机电
，具体涉及一种麦克风结构以及该结构的制备方法。

技术介绍

[0002]目前市场上广泛使用的MEMS麦克风具有结构小，声效优的特点，MEMS麦克风封装技术通常采用三明治堆叠结构，即将上盖，侧墙与基板堆叠连接，并在各连接处印刷锡膏，通过对锡膏层的回流加热对麦克风进行封装，但是由于MEMS麦克风封装的小型化趋势，传统的封装过程中锡膏层的水平面与麦克风内的声学传感器共面或者锡膏面层水平面高度高于声学传感器的水平面高度，这就导致对锡膏层的回流加热时部分锡膏会沿斜向下的溅射路径喷射，极易导致对声学传感器的污染，干扰麦克风的正常性能。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的还在于，提供一种堆叠封装结构的麦克风及制备方法，解决以上技术问题；
[0004]一种堆叠封装结构的麦克风，包括：
[0005]一基板；
[0006]一侧墙，设置于所述基板上方，所述侧墙设置有一通槽；
[0007]一上盖，设置于所述侧墙上方，于所述上盖对应所述通槽的位置设置有容纳槽，所述侧墙与所述上盖的连接处包括一锡膏层；
[0008]所述基板、所述侧墙以及所述上盖堆叠后形成一容纳腔，所述容纳腔内包括一声学传感器，设置于所述基板上，所述声学传感器的水平面高度高于所述锡膏层的水平面高度。
[0009]优选的，其中，所述容纳腔内还包括集成芯片，设置于所述基板上。
[0010]优选的，其中，所述集成芯片通过键合线连接所述声学传感器。
[0011]优选的，其中，所述基板上还设置有多个焊盘。
[0012]优选的，其中，所述集成芯片通过所述键合线连接所述焊盘。
[0013]优选的，其中，所述基板对应所述声学传感器正下方的声音入射位置设置有一声孔，所述声孔贯穿设置于所述基板。
[0014]优选的，其中，所述键合线为金属线。
[0015]优选的，其中，所述基板为印刷电路板。
[0016]一种堆叠封装结构的麦克风制备方法，应用于所述堆叠封装结构的麦克风，包括：
[0017]步骤S1，将所述声学传感器以及一集成芯片固定于所述基板；
[0018]步骤S2，将所述基板，所述侧墙以及所述上盖进行堆叠封装，在所述侧墙与所述上盖的连接处印刷所述锡膏层，且所述声学传感器的水平面高度高于所述锡膏层的水平面高度；
[0019]步骤S3，以一预设温度对所述锡膏面进行加热处理。
[0020]本专利技术的有益效果：由于采用以上技术方案，本专利技术可以有效防止锡膏层回流加热时锡膏飞溅污染声学传感器。
附图说明
[0021]图1为本专利技术实施例中堆叠封装结构的麦克风的正面结构爆炸图；
[0022]图2为本专利技术实施例中堆叠封装结构的麦克风的背面结构爆炸图；
[0023]图3为本专利技术实施例中堆叠封装结构的麦克风的装配剖视图；
[0024]图4为本专利技术实施例中堆叠封装结构的麦克风制备方法的步骤图。
[0025]附图中：1、基板；11、焊盘；12、声孔；2、侧墙；21、通槽；3、上盖；31、容纳槽；4、声学传感器；5、锡膏层；6、集成芯片；7、键合线；8、容纳腔。
具体实施方式
[0026]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0027]需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0028]下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步说明，但不作为本专利技术的限定。
[0029]一种堆叠封装结构的麦克风，如图1，图2及图3所示，包括：
[0030]一基板1；
[0031]一侧墙2，设置于基板1上方，侧墙2设置有一通槽21；
[0032]一上盖3，设置于侧墙2上方，于上盖3对应通槽21的位置设置有容纳槽31，侧墙2与上盖3的连接处包括一锡膏层5；
[0033]基板1、侧墙2以及上盖3堆叠后形成一容纳腔8，容纳腔8内包括一声学传感器4，设置于基板1上，声学传感器4的水平面高度高于锡膏层5的水平面高度。
[0034]目前，封装工艺中在锡膏印刷后送入到锡炉中进行回流焊，锡膏层5位置会出现锡膏焊接飞溅的问题，飞溅出去的锡膏将会对声学传感器4性能产生极大的不良影响，并且飞溅的锡膏可能会破坏掉声学传感器4表面的平整度，因为在回流焊过程中飞溅的锡膏是以融化掉的状态存在的，飞溅出去的锡膏就生成为锡滴，碰触到了声学传感器4会对其性能产生一定的影响。
[0035]因此，具体地，本实施例对基板1，侧墙2以及上盖3采用三明治堆叠结构进行封装，通槽21从侧墙2的上表面贯穿至下表面，基板1厚度为0.1
‑
0.3mm，侧墙2的厚度为0.2
‑
0.3mm，本实施例优选的基板1厚度为0.2mm，侧墙2的厚度为0.25mm，声学传感器4的水平面高度为0.35mm，在印刷锡膏层5后，保证声学传感器4的的水平面高度高于锡膏面的高度，可以有效防止锡膏层5回流加热时锡膏飞溅污染声学传感器4。
[0036]进一步地，上盖3的厚度为0.4
‑
0.6mm，本实施例中优选的上盖3的厚度为0.55mm，容纳槽31的最浅深度需要大于声学传感器4超过侧墙2高度的部分，容纳槽31深度为0.15
‑
0.5mm，本实施例优选容纳槽31深度为0.45mm。
[0037]在一种较优的实施例中，容纳腔8内还包括集成芯片6，设置于基板1上。
[0038]具体地，集成芯片6通过键合线7连接声学传感器4，本实施例中的集成芯片6为ASIC芯片。
[0039]具体地，基板1上还设置有多个均匀分布的焊盘11。
[0040]进一步地，集成芯片6通过键合线7连接焊盘11。
[0041]在一种较优的实施例中，基板1对应声学传感器4正下方的声音入射位置设置有一声孔12，声孔12贯穿设置于基板1。
[0042]在一种较优的实施例中，键合线7为金属线。
[0043]在一种较优的实施例中，基板1为印刷电路板。
[0044]具体地，本实施例中通过引线键合的方式将声学传感器4，集成芯片6以及基板1进行电连接；优选的，键合线7为细金属引线，细金属引线与基板1上的焊盘11紧密焊合，实现集成芯片6与基板1间的电气互连和集成芯片6与声学传感器4间的信息互通。
[0045]一种堆叠封装结构的麦克风制备方法，应用于上述任意一项实施例中的堆叠封装结构的麦克风，如图4所示，包括：
[0046]步骤S1，将声学传感器4以及一集成芯片6固定于基板1；
[0047]步骤S2，将基板1，侧墙2以及上盖3进行堆叠本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种堆叠封装结构的麦克风，其特征在于，包括：一基板；一侧墙，设置于所述基板上方，所述侧墙设置有一通槽；一上盖，设置于所述侧墙上方，于所述上盖对应所述通槽的位置设置有容纳槽，所述侧墙与所述上盖的连接处包括一锡膏层；所述基板、所述侧墙以及所述上盖堆叠后形成一容纳腔，所述容纳腔内包括一声学传感器，设置于所述基板上，所述声学传感器的水平面高度高于所述锡膏层的水平面高度。2.根据权利要求1所述的堆叠封装结构的麦克风，其特征在于，所述容纳腔内还包括集成芯片，设置于所述基板上。3.根据权利要求2所述的堆叠封装结构的麦克风，其特征在于，所述集成芯片通过键合线连接所述声学传感器。4.根据权利要求3所述的堆叠封装结构的麦克风，其特征在于，所述基板上还设置有多个焊盘。5.根据权利要求4所述的堆叠封装结构的麦克风，其特征在于，所述集成芯片通过...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶菁华，
申请(专利权)人：钰太科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：