一种腔体与电极结构的制作方法及扬声器技术

本发明专利技术公开一种腔体与电极结构的制作方法及扬声器，涉及半导体器件制造领域。方法包括：刻蚀半导体衬底，在半导体衬底的腔体区域中形成微柱结构；至少对微柱结构进行氧化处理，形成第一牺牲层；在第一牺牲层表面沉积第二牺牲层，其中，第二牺牲层至少封闭腔体区域上方；刻蚀腔体区域边缘外侧的第一牺牲层和第二牺牲层，形成环形沟槽；在第二牺牲层上以及环形沟槽中沉积电极结构层，并在腔体区域上方的电极结构层中形成孔洞结构；去除腔体区域中的第一牺牲层和第二牺牲层，释放腔体与电极结构，在腔体区域中形成微柱结构，由于内部有第一牺牲层和第二牺牲层填充，可以继续在其上制造电极结构等其他结构，提高了腔体与电极结构的一致性。的一致性。的一致性。

【技术实现步骤摘要】
一种腔体与电极结构的制作方法及扬声器


[0001]本专利技术涉及半导体器件制造领域，尤其涉及一种腔体与电极结构的制作方法及扬声器。

技术介绍

[0002]扬声器广泛应用于可穿戴电子产品，如手机、智能家电、耳机、电脑和人机界面。随着可穿戴电子设备的发展需求，扬声器的发展趋向于小型化、轻量化、低功耗、高声压级。
[0003]扬声器是一种常见的电声换能器件，目前一般通过机械加工的方法分别制造各个构件再进行组装与集成，作为扬声器中较为重要的腔体与电极结构也是通过机械加工的方法制备腔体和电极结构，再对腔体和电极结构进行组装集成，导致批量制备的腔体与电极结构一致性较差。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种腔体与电极结构的制作方法及扬声器，以解决现有批量制备的扬声器一致性较差的问题。
[0005]第一方面，本专利技术提供一种腔体与电极结构的制作方法，所述方法包括：
[0006]提供半导体衬底；
[0007]刻蚀所述半导体衬底，在所述半导体衬底的腔体区域中形成微柱结构；
[0008]至少对所述微柱结构进行氧化处理，形成第一牺牲层；
[0009]在所述第一牺牲层表面沉积第二牺牲层，其中，所述第二牺牲层至少封闭所述腔体区域上方；
[0010]刻蚀所述腔体区域边缘外侧的所述第一牺牲层和所述第二牺牲层，形成环形沟槽；
[0011]在所述第二牺牲层上以及所述环形沟槽中沉积电极结构层，并在所述腔体区域上方的所述电极结构层中形成孔洞结构；
[0012]去除所述腔体区域中的所述第一牺牲层和所述第二牺牲层，释放腔体与电极结构。
[0013]采用上述技术方案的情况下，本申请实施例提供的腔体与电极结构的制作方法，可以提供半导体衬底；刻蚀所述半导体衬底，在所述半导体衬底的腔体区域中形成微柱结构；至少对所述微柱结构进行氧化处理，形成第一牺牲层；在所述第一牺牲层表面沉积第二牺牲层，其中，所述第二牺牲层至少封闭所述腔体区域上方；刻蚀所述腔体区域边缘外侧的所述第一牺牲层和所述第二牺牲层，形成环形沟槽；在所述第二牺牲层上以及所述环形沟槽中沉积电极结构层，并在所述腔体区域上方的所述电极结构层中形成孔洞结构；去除所述腔体区域中的所述第一牺牲层和所述第二牺牲层，释放腔体与电极结构，仅使用单一半导体基底，无需通过晶圆键合等技术就可以得到较深的腔体区域，同时在腔体区域中形成微柱结构，由于内部有第一牺牲层和第二牺牲层填充，可以继续在其上制造电极结构等其
他结构，提高了腔体与电极结构的一致性。
[0014]在一种可能的实现方式中，所述刻蚀所述半导体衬底，在所述半导体衬底的腔体区域中形成微柱结构，包括：
[0015]在所述半导体衬底的腔体区域形成第一光刻胶图案；
[0016]基于所述第一光刻胶图案，在所述半导体衬底的腔体区域中形成所述微柱结构。
[0017]在一种可能的实现方式中，所述将所述微柱结构进行氧化处理，形成第一牺牲层，包括：
[0018]采用热氧化工艺将所述微柱结构完全氧化，形成所述第一牺牲层，所述腔体区域内由所述第一牺牲层和所述微柱结构氧化后形成的空隙组成。
[0019]在一种可能的实现方式中，所述刻蚀所述腔体区域边缘外侧的所述第一牺牲层和所述第二牺牲层，形成环形沟槽，包括：
[0020]在所述第二牺牲层上方形成第二光刻胶图案；
[0021]基于所述第二光刻胶图案，去除所述腔体区域边缘外侧的所述第一牺牲层和所述第二牺牲层，形成所述环形沟槽。
[0022]在一种可能的实现方式中，所述对所述腔体区域上方的所述电极结构层刻蚀孔洞结构，包括：
[0023]在所述腔体区域上方的所述电极结构层上形成第三光刻胶图案；
[0024]基于第三光刻胶图案，在所述腔体区域上方的所述电极结构层上形成所述孔洞结构。
[0025]在一种可能的实现方式中，所述去除所述第一牺牲层和所述第二牺牲层，释放腔体与电极结构，包括：
[0026]通过所述孔洞结构，利用所述第二牺牲层对应的刻蚀剂完全刻蚀所述腔体区域中的所述第二牺牲层；
[0027]通过所述孔洞结构，利用所述第一牺牲层对应的刻蚀剂完全刻蚀所述腔体区域中的所述第一牺牲层，释放所述腔体与电极结构。
[0028]在一种可能的实现方式中，所述微柱结构包括多个按照预设间隔等间距设置的微柱。
[0029]在一种可能的实现方式中，所述微柱的个数大于或者等于7。
[0030]在一种可能的实现方式中，所述第二牺牲层的厚度范围为大于或者等于2微米，且小于或者等于4微米。
[0031]第二方面，本专利技术还提供一种扬声器，其特征在于，包括第一方面任一所述的腔体与电极结构的制作方法所制作的所述腔体与电极结构。
[0032]第二方面提供的扬声器的有益效果与第一方面或第一方面任一可能的实现方式描述的腔体与电极结构的制作方法的有益效果相同，此处不做赘述。
附图说明
[0033]此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本专利技术的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：
[0034]图1示出了本申请实施例提供的一种腔体与电极结构的制作方法的流程示意图；
[0035]图2示出了本申请实施例提供的另一种腔体与电极结构的制作方法的流程示意图；
[0036]图3示出了本申请实施例提供的一种半导体基底刻蚀形成微柱结构后的结构示意图；
[0037]图4示出了本申请实施例提供的一种形成第一牺牲层后的腔体与电极结构的示意图；
[0038]图5示出了本申请实施例提供的一种沉积第二牺牲层后的腔体与电极结构的结构示意图；
[0039]图6示出了本申请实施例提供的一种刻蚀孔洞结构后的腔体与电极结构的结构示意图；
[0040]图7示出了本申请实施例提供的一种去除第一牺牲层和第二牺牲层后的腔体与电极结构的结构示意图；
[0041]图8为本专利技术实施例提供的一种电子设备的硬件结构示意图；
[0042]图9为本专利技术实施例提供的芯片的结构示意图。
具体实施方式
[0043]为了便于清楚描述本专利技术实施例的技术方案，在本专利技术的实施例中，采用了“第一”、“第二”等字样对功能和作用基本相同的相同项或相似项进行区分。例如，第一阈值和第二阈值仅仅是为了区分不同的阈值，并不对其先后顺序进行限定。本领域技术人员可以理解“第一”、“第二”等字样并不对数量和执行次序进行限定，并且“第一”、“第二”等字样也并不限定一定不同。
[0044]需要说明的是，本专利技术中，“示例性的”或者“例如”等词用于表示作例子、例证或说明。本专利技术中被描述为“示例性的”或者“例如”的任何实施例或设计方案不应被解释为比其他实施例或设计方案更优选或更具优势。确切而言，使用“示例性的”或者“例如”等词旨在以具体方式呈现相关概念。
[0045]本专利技术中，“至少一个”是指一个本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种腔体与电极结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底；刻蚀所述半导体衬底，在所述半导体衬底的腔体区域中形成微柱结构；至少对所述微柱结构进行氧化处理，形成第一牺牲层；在所述第一牺牲层表面沉积第二牺牲层，其中，所述第二牺牲层至少封闭所述腔体区域上方；刻蚀所述腔体区域边缘外侧的所述第一牺牲层和所述第二牺牲层，形成环形沟槽；在所述第二牺牲层上以及所述环形沟槽中沉积电极结构层，并在所述腔体区域上方的所述电极结构层中形成孔洞结构；去除所述腔体区域中的所述第一牺牲层和所述第二牺牲层，释放腔体与电极结构。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述刻蚀所述半导体衬底，在所述半导体衬底的腔体区域中形成微柱结构，包括：在所述半导体衬底的腔体区域形成第一光刻胶图案；基于所述第一光刻胶图案，在所述半导体衬底的腔体区域中形成所述微柱结构。3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述将所述微柱结构进行氧化处理，形成第一牺牲层，包括：采用热氧化工艺将所述微柱结构完全氧化，形成所述第一牺牲层，所述腔体区域内由所述第一牺牲层和所述微柱结构氧化后形成的空隙组成。4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述刻蚀所述腔体区域边缘外侧的所述第一牺牲层和所述第二牺牲层，形成环形沟槽，包括：在所述第二牺牲层上方形成第二光刻胶图案；基于所述第二光...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘长华，毕学冬，
申请(专利权)人：地球山苏州微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：