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本公开的实施例涉及用于制造半导体器件的方法和半导体器件。一种用于制造半导体器件的方法，包括：提供硅基衬底；在衬底上沉积氧化层；在氧化层上沉积多晶硅层，并且同时在衬底上沉积结晶硅层；基于多晶硅层制造电子器件；将基于玻璃或硅的盖体安装在结晶硅层...
该专利属于英飞凌科技德累斯顿公司所有，仅供学习研究参考，未经过英飞凌科技德累斯顿公司授权不得商用。

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