一种蚀刻液在蚀刻氧化铟系膜中的应用制造技术

本发明专利技术公开了一种蚀刻液在蚀刻氧化铟系膜中的应用，该蚀刻液含有(A)醋酸、(B)盐酸、(C)调控剂及(D)水；调控剂包含式(Ⅰ)所示的含有氨基苯基的化合物和/或聚苯胺，调控剂以无机酸盐形式存在，式中，R为H或以质量百分含量计，蚀刻液中，调控剂占0.1％

【技术实现步骤摘要】
一种蚀刻液在蚀刻氧化铟系膜中的应用
[0001]本专利技术是申请日为2021年8月13日、申请号为2021109286381、名称为“一种蚀刻液及其制备方法和应用”的中国专利技术专利申请的分案申请。


[0002]本专利技术属于氧化铟系膜的蚀刻
，具体涉及一种蚀刻液在蚀刻氧化铟系膜中的应用。

技术介绍

[0003]氧化铟系膜，例如氧化铟锡(ITO，也称掺锡氧化铟)膜，其具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和良好的化学稳定性，因此被广泛地应用于液晶显示器(LCD)、等离子显示器(PDP)、电致发光显示器(EL/OLED)、触摸屏(TouchPanel)、太阳能电池以及其他电子仪表的透明电极，也可作为基底膜用于导线尤其是铝布线在玻璃基板上的布线，具体是铝布线在参与制作产品时其作为基底膜设置在铝布线与玻璃基板之间，而铝布线上设置有可用于保护铝布线的掩膜，然而在制作过程中较易出现掩膜发生破损进而会裸露出部分铝布线的情况，当制作完成而需要刻蚀掉氧化铟系膜时，造成在蚀刻氧化铟系膜时蚀刻液腐蚀了铝布线。目前将氧化铟锡膜制成所需形状或图案的透明电极，或者作为基底膜而被去除时，常用的方法包括采用湿法蚀刻进行，行业内氧化铟系膜蚀刻液通常采用盐酸/硝酸混合水溶液、盐酸/三氯化铁水溶液、草酸体系、碘酸水溶液、磷酸水溶液等，但该些蚀刻液分别不同程度的存在：蚀刻速度太快不易控制，对除了氧化铟系膜以外的其它材料的腐蚀性太强，进而易造成器件的损坏；草酸体系蚀刻速率相对较慢，且易析出草酸或草酸与铟结合的盐颗粒，造成不必要的划伤；稳定性差，易游离出碘，价格贵等缺陷。
[0004]此外，在多晶氧化铟系膜的湿法蚀刻中也有人使用盐酸和醋酸构成的水溶液体系，但在蚀刻时仍然会产生铝布线等的腐蚀，蚀刻速度太快而难以控制蚀刻质量尤其是批次间产品的质量，而且由于蚀刻从氧化铟系膜的晶界选择性地进行，因而难以加工精度良好地进行图案化。同时在对形成基底膜(氮化硅(SiN)膜、有机膜等)的氧化铟系膜进行蚀刻的情怳下，容易产生蚀刻残渣。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是克服现有技术的不足，提供一种蚀刻液在蚀刻氧化铟系膜中的应用，该蚀刻液在蚀刻过程中，能够降低对铝布线的腐蚀，且提升对氧化铟的蚀刻容量，体系稳定性好。
[0006]为达到上述目的，本专利技术采用的技术方案是：
[0007]一种蚀刻液在蚀刻氧化铟系膜中的应用，所述蚀刻液含有(A)醋酸、(B)盐酸、(C)调控剂及(D)水；其中，所述调控剂包含式(Ⅰ)所示的含有氨基苯基的化合物和/或聚苯胺，所述调控剂以无机酸盐形式存在，
[0008]式中，R为H或
[0009]以质量百分含量计，所述蚀刻液中，调控剂占0.1％
‑
5.0％，醋酸占1％
‑
3％，盐酸所含有的氯化氢占2％
‑
5％。
[0010]在本专利技术的一些实施方式中，所述氧化铟系膜为氧化铟锡膜、氧化铟锌膜或氧化铟镓锌膜。
[0011]在本专利技术的一些实施方式中，在采用所述蚀刻液蚀刻氧化铟系膜时，所述蚀刻液与所述氧化铟系膜接触的方法为喷淋式或浸渍式。
[0012]根据本专利技术的一些优选方面，所述蚀刻在蚀刻温度为25
‑
45℃下进行。
[0013]在本专利技术的一些实施方式中，所述蚀刻的蚀刻时间为1min
‑
24h。
[0014]根据本专利技术的一些优选方面，所述无机酸盐形式为盐酸盐形式和/或硫酸盐形式。
[0015]根据本专利技术的一些优选且具体的方面，所述调控剂为选自苯胺盐酸盐、苯胺硫酸盐、聚苯胺盐酸盐、聚苯胺硫酸盐和盐酸副品红中的一种或多种的组合，以质量百分含量计，所述调控剂的添加量占所述蚀刻液的0.5％
‑
3.0％。
[0016]根据本专利技术的一个具体方面，以质量百分含量计，所述蚀刻液中，醋酸占1％
‑
3％，盐酸所含有的氯化氢占2％
‑
5％，调控剂占0.1％
‑
5.0％，余量为水。
[0017]根据本专利技术，所述蚀刻液的pH值为0.1
‑
1.5。
[0018]在本专利技术的一些实施方式中，所述蚀刻液制备方法包括如下步骤：按配方量将各成分混合，分散，过滤，滤液为所述蚀刻液。
[0019]由于上述技术方案运用，本专利技术与现有技术相比具有下列优点：
[0020]本专利技术在盐酸和醋酸构成的水溶液蚀刻体系基础上创新地添加能够溶于水的包含式(Ⅰ)所示的含有氨基苯基的化合物和/或聚苯胺的调控剂，具体是以无机酸盐形式存在，在采用该蚀刻液进行蚀刻时，可抑制或阻止酸液对裸露出的铝布线的腐蚀作用，同时该调控剂还能够与酸液发挥协同作用，增加对氧化铟系膜中氧化铟的蚀刻容量，而且体系稳定性好，对有机膜、氮化硅及玻璃等的残渣除去优异。
具体实施方式
[0021]本专利技术提供了一种蚀刻液，所述蚀刻液含有(A)醋酸、(B)盐酸、(C)调控剂及(D)水；其中，调控剂包含式(Ⅰ)所示的含有氨基苯基的化合物(式中，R
为H、C1‑6的烷基或)和/或聚苯胺，且该调控剂以无机酸盐形式存在。盐酸是强酸，在蚀刻时发挥主要的蚀刻作用，但正是由于盐酸是强酸，其蚀刻速度比较快，会导致整个蚀刻过程的稳定且高质量蚀刻的控制难度变大，配合有机酸醋酸，一方面可以一定程度地降低蚀刻速度，另一方面，醋酸还能够络合金属离子。然而，盐酸和醋酸的结合构成的水溶液蚀刻体系仍然存在着例如会产生铝布线等的腐蚀、氧化铟的蚀刻容量不足等问题，本专利技术的包含式(Ⅰ)所示的含有氨基苯基的化合物和/或聚苯胺的调控剂解决了上述问题，其以能够溶于水的无机酸盐形式存在，具体是以苯胺、4
‑
甲基苯胺、聚苯胺等等的无机酸盐形式分散在水中，且在水中分散性能优异，而在蚀刻过程中，当采用蚀刻液蚀刻掉氧化铟系膜时，由于本专利技术的蚀刻液中含有的上述调控剂能够附着和/或集聚在铝布线表面，形成了一层能够抑制甚至完全阻止酸液对铝布线进行腐蚀的临时保护膜层，进而给铝布线提供了防腐蚀的保护作用，当蚀刻完成后，由于该调控剂能够溶于水，因此可采用水进行反复冲洗并使其脱离铝布线；同时该调控剂还能够与蚀刻酸液发挥协同作用，增加对氧化铟系膜中氧化铟的蚀刻容量，即能够蚀刻更多的氧化铟系膜。
[0022]对于调控剂，本专利技术优选使调控剂以盐酸盐形式和/或硫酸盐形式存在，具体可以为选自苯胺盐酸盐、苯胺硫酸盐、4
‑
甲基苯胺盐酸盐、聚苯胺盐酸盐、聚苯胺硫酸盐和盐酸副品红中的一种或多种的组合。
[0023]对于调控剂的添加量，以质量百分含量计，本专利技术优选控制调控剂的添加量占蚀刻液的0.1％
‑
5.0％，进一步优选为0.5％
‑
3.0％。实践研究发现，本专利技术的调控剂添加太多，可能会被空气氧化变色，进而会影响蚀刻液产品的颜色，而且对铝布线的防腐蚀作用并无明显增强。
[0024]对于采用的盐酸的质量分数并没有特别限定，可以采用现有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种蚀刻液在蚀刻氧化铟系膜中的应用，其特征在于，所述蚀刻液含有(A)醋酸、(B)盐酸、(C)调控剂及(D)水；其中，所述调控剂包含式(Ⅰ)所示的含有氨基苯基的化合物和/或聚苯胺，所述调控剂以无机酸盐形式存在，式中，R为H或以质量百分含量计，所述蚀刻液中，调控剂占0.1％
‑
5.0％，醋酸占1％
‑
3％，盐酸所含有的氯化氢占2％
‑
5％。2.根据权利要求1所述的蚀刻液在蚀刻氧化铟系膜中的应用，其特征在于，所述氧化铟系膜为氧化铟锡膜、氧化铟锌膜或氧化铟镓锌膜。3.根据权利要求1所述的蚀刻液在蚀刻氧化铟系膜中的应用，其特征在于，在采用所述蚀刻液蚀刻氧化铟系膜时，所述蚀刻液与所述氧化铟系膜接触的方法为喷淋式或浸渍式。4.根据权利要求1所述的蚀刻液在蚀刻氧化铟系膜中的应用，其特征在于，所述蚀刻在蚀刻温度为25
‑
45℃下进行。5.根据权利要求1所述的蚀刻液在蚀刻氧化铟系膜中的应用，其特征在于，所述蚀刻的蚀刻时间为1min
‑
...

【专利技术属性】
技术研发人员：高小云，金炳生，刘耀鹏，刘兵，
申请(专利权)人：晶瑞电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：