半导体加工反应腔室及半导体加工设备制造技术

本实用新型专利技术涉及一种半导体加工反应腔室及半导体加工设备，包括腔室本体和中央进气部，中央进气部设于腔室本体的顶部中心处，在腔室本体的至少一个侧壁上设置有边缘进气部，中央进气部包括进气管道，以及与进气管道一端活动连接的进气喷嘴，进气喷嘴设置于腔室本体底面中心处的上方，进气管道远离进气喷嘴的一端与边缘进气部为可移动连接。本实用新型专利技术通过设置在腔室本体顶部中心处的中央进气部，可以有效改善晶圆上表面工艺气体氮浓度的同心性以及使得工艺气体在晶圆上方呈均匀性分布的问题。问题。问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体加工反应腔室及半导体加工设备


[0001]本技术涉及半导体加工
，具体涉及一种半导体加工反应腔室及半导体加工设备。

技术介绍

[0002]现阶段，在对晶圆进行工艺刻蚀前，需要将晶圆置于真空反应腔室内，并通过进气孔通入相应的氮气与其反应。其中，真空反应腔室多为长方体结构，传统的进气孔一般分布在腔室的侧壁上，呈长方形，而晶圆为圆形，置于真空反应腔室底部中心位置，因此导致每个进气孔距晶圆中心距离都不相同，从而导致工艺刻蚀后氮浓度的结果呈非同心圆分布，具体如图1所示。并且，由于传统的进气孔位于真空反应腔室的侧壁上，还导致工艺气体在晶圆上表面分布的均匀性欠佳。因此，如何改善晶圆上表面工艺气体氮浓度的同心性，以及如何使工艺气体在晶圆上方呈均匀性分布成为了人们亟待需要解决的技术问题。为此，本技术在不改变原有主体结构的情况下，设计和改善了用于工艺气体分布均匀性的进气装置，用于优化工艺后氮浓度的结果。

技术实现思路

[0003]本技术目的在于提供一种半导体加工反应腔室及半导体加工设备，用于改善晶圆上表面工艺气体氮浓度的同心性，以及使工艺气体在晶圆上方均匀分布的技术问题。
[0004]本申请的实施例是这样实现的：
[0005]第一方面，本申请的实施例提供一种半导体加工反应腔室，所述半导体加工反应腔室包括：腔室本体，以及在所述腔室本体的至少一个侧壁上设置的边缘进气部；
[0006]中央进气部，所述中央进气部包括：进气管道，以及与所述进气管道一端活动连接的进气喷嘴，所述进气喷嘴设置于所述腔室本体底面中心处的上方；所述进气管道远离所述进气喷嘴的一端与所述边缘进气部可移动连接。
[0007]在一些实施方式中，所述进气喷嘴与所述腔室本体底端上表面的距离可调节。
[0008]在一些实施方式中，所述进气喷嘴包括多个，多个所述进气喷嘴与所述腔室本体底端上表面呈角度分布；其中，角度范围控制在10
‑
80度之间。
[0009]在一些实施方式中，所述进气喷嘴的个数范围在1
‑
10个之间。
[0010]在一些实施方式中，所述进气管道被构造为可伸缩结构，其中，所述可伸缩结构与所述边缘进气部垂直。
[0011]在一些实施方式中，所述中央进气部还包括：分气箱，所述分气箱包裹所述进气喷嘴，与所述进气喷嘴为可拆卸连接。
[0012]在一些实施方式中，所述分气箱与所述腔室本体底端上表面的距离可调节。
[0013]在一些实施方式中，所述分气箱上设置有多个分气孔，多个所述分气孔呈分散性设置。
[0014]在一些实施方式中，所述分气孔的个数范围在5
‑
50个之间。
[0015]第二方面，本申请的实施例还提供一种半导体加工设备，包括上述实施例中任意一项所述的半导体加工反应腔室。
[0016]与现有技术相比，本申请实施例的有益效果是：
[0017]本技术提供一种半导体加工反应腔室及半导体加工设备，半导体加工反应腔室包括腔室本体，和中央进气部，在一个实施例中，所述中央进气部设置于所述腔室本体的顶部中心处，在所述腔室本体的至少一个侧壁上设置有边缘进气部，其中，所述中央进气部包括进气管道，以及与所述进气管道一端活动连接的进气喷嘴，所述进气喷嘴设置于腔室本体底面中心处的上方，所述进气管道远离所述进气喷嘴的一端与所述边缘进气部为移动连接。本技术通过在不改变当前设备的主体结构的同时，只改变进气结构，此方案简单操作。具体为通过在腔室本体的上表面设置中央进气部来实现，其中，中央进气部包括与至少一个边缘进气部为可活动连接的进气管道，以及在远离所述边缘进气部的一端还设有与进气管道为可转动连接的多个直喷嘴和斜喷嘴，多个所述直喷嘴和斜喷嘴处于腔室本体和晶圆表面的上方，通过直喷嘴、斜喷嘴以及腔室本体侧壁的边缘进气部的相互配合，有效解决晶圆上表面的工艺氮浓度呈同心性分布的技术问题。
[0018]为了能更清楚了解本技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为让本技术的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例,并配合附图，详细说明如下。本技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本技术而得以体现。本技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1为现有技术的半导体加工反应腔室的氮浓度的结果示意图；
[0021]图2为现有技术的半导体加工反应腔室的结构示意图；
[0022]图3为根据本技术的一种实施方式的半导体加工反应腔室的结构示意图；
[0023]图4为根据本技术的一种实施方式的图3中的半导体加工反应腔室沿A
‑
A方向的截面图；
[0024]图5为根据本技术的一种实施方式的图4中的半导体加工反应腔室的中央进气部的结构示意图；
[0025]图6为根据本技术的一种实施方式的图5中的半导体加工反应腔室的中央进气部中的进气喷嘴的结构放大示意图；
[0026]图7为根据本技术的一种实施方式的图5中的半导体加工反应腔室的中央进气部中的分气箱的结构放大示意图；
[0027]图8为根据本技术的一种实施方式的半导体加工反应腔室改善后的氮浓度的结果示意图；
[0028]附图标记说明：
[0029]1‑
腔室本体；11
‑
晶圆盘；12
‑
晶圆；13
‑
第一边缘进气部；14
‑
第二边缘进气部； 15
‑
第三边缘进气部；16
‑
第四边缘进气部；17
‑
抽气通道；2
‑
中央进气部；21
‑
进气管道；22
‑
进气喷嘴；23
‑
分气箱；231
‑
分气孔。
具体实施方式
[0030]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0031]因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体加工反应腔室，其特征在于，所述半导体加工反应腔室包括：腔室本体(1)，以及在所述腔室本体(1)的至少一个侧壁上设置的边缘进气部；中央进气部(2)，所述中央进气部(2)包括：进气管道(21)，以及与所述进气管道(21)一端活动连接的进气喷嘴(22)，所述进气喷嘴(22)设置于所述腔室本体(1)底面中心处的上方；所述进气管道(21)远离所述进气喷嘴(22)的一端与所述边缘进气部可移动连接。2.根据权利要求1所述的半导体加工反应腔室，其特征在于，所述进气喷嘴(22)与所述腔室本体(1)底端上表面的距离可调节。3.根据权利要求1或2中任意一项所述的半导体加工反应腔室，其特征在于，所述进气喷嘴(22)包括多个，多个所述进气喷嘴(22)与所述腔室本体(1)底端上表面呈角度分布；其中，角度范围控制在10
‑
80度之间。4.根据权利要求3所述的半导体加工反应腔室，其特征在于，所述进气喷嘴(22)的个数范围在1
‑
...

【专利技术属性】
技术研发人员：田才忠，李士昌，贾海立，
申请(专利权)人：盛吉盛宁波半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：