氢氧化钠溶液作为还原剂在晶片抛光过程中的应用及晶片的抛光方法技术

本发明专利技术属于晶片加工技术领域，提供了氢氧化钠溶液作为还原剂在晶片抛光过程中的应用及晶片的抛光方法。本发明专利技术将吸附垫中心位置施加氢氧化钠溶液后再放入晶片进行抛光。本发明专利技术提供的抛光方法能够提高抛光合格率，降低重复返修所产生的成本，降低晶片报废风险，释放因重复返工占用的产能。重复返工占用的产能。重复返工占用的产能。

【技术实现步骤摘要】
氢氧化钠溶液作为还原剂在晶片抛光过程中的应用及晶片的抛光方法


[0001]本专利技术涉及晶片加工
，尤其涉及氢氧化钠溶液作为还原剂在晶片抛光过程中的应用及晶片的抛光方法。

技术介绍

[0002]砷化镓晶片(GaAs)具有高的电子迁移率和禁带宽度，是微波、毫米波器件的理想材料，在国防及卫星通讯领域有极其重要的作用，是仅次于硅晶片的重要的半导体材料。
[0003]8寸砷化镓晶片直径为200mm，因尺寸较大，目前精抛抛光在吸附垫中添加的还原剂，在晶片抛光后晶片边缘残留水印，影响抛光合格率，反复加工造成成本增加，晶片报废几率升高。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供氢氧化钠溶液作为还原剂在晶片抛光过程中的应用及晶片的抛光方法，以解决现有技术中的问题。
[0005]为了实现上述专利技术目的，本专利技术提供以下技术方案：
[0006]本专利技术提供了氢氧化钠溶液作为还原剂在晶片抛光过程中的应用。
[0007]优选的，所述氢氧化钠溶液的质量浓度为15～25％。
[0008]优选的，所述氢氧化钠溶液的质量浓度为20～21％。
[0009]优选的，所述晶片为砷化镓晶片。
[0010]优选的，所述晶片为8寸砷化镓晶片。
[0011]本专利技术还提供了一种晶片的抛光方法，包含如下步骤：
[0012]将吸附垫中心位置施加氢氧化钠溶液后再放入晶片进行抛光。
[0013]优选的，所述氢氧化钠溶液的质量浓度为15～25％。
>[0014]优选的，所述氢氧化钠溶液的质量浓度为20～21％。
[0015]优选的，所述晶片为砷化镓晶片。
[0016]优选的，所述晶片为8寸砷化镓晶片。
[0017]本专利技术提供的抛光方法能够提高抛光合格率，降低重复返修所产生的成本，降低晶片报废风险，释放因重复返工占用的产能。
附图说明
[0018]图1为对比例中晶片表面水印缺陷；
[0019]图2为实施例中晶片表面洁净；
[0020]图3为本专利技术抛光过程的示意图。
具体实施方式
[0021]下面结合实施例对本专利技术提供的技术方案进行详细的说明，但是不能把它们理解为对本专利技术保护范围的限定。
[0022]表1本申请实施例和对比例抛光效果对比
[0023][0024]在本专利技术中，用尖嘴壶挤入2圈还原剂后进行抛光，对比例和实施例中还原剂的用量相同。
[0025]由以上实施例和对比例可知，本专利技术方法的抛光效果远远好于现有技术，抛光合格率非常高。
[0026]以上所述仅是本专利技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本专利技术的保护范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.氢氧化钠溶液作为还原剂在晶片抛光过程中的应用。2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述氢氧化钠溶液的质量浓度为15～25％。3.根据权利要求2所述的应用，其特征在于，所述氢氧化钠溶液的质量浓度为20～21％。4.根据权利要求1～3任意一项所述的应用，其特征在于，所述晶片为砷化镓晶片。5.根据权利要求4所述的应用，其特征在于，所述晶片为8寸砷化镓晶片。6.一种晶片的抛光方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓亮，古新远，周涛，焦恩见，任殿胜，赵波，高伟，
申请(专利权)人：保定通美晶体制造有限责任公司，
类型：发明
国别省市：