一种半导体晶片加工用减薄机制造技术

本发明专利技术涉及半导体加工技术领域，且公开了一种半导体晶片加工用减薄机，包括定位座，所述定位座的中心活动连接有输液管，所述定位座内固定套接有弧形磁铁，所述定位座内活动套接有承载座，所述承载座上开设有均布的真空吸孔，所述真空吸孔上放置有晶片。本发明专利技术通过冷却液从环形分布的喷射孔向上喷出时，形成液幕，当承载座和磨削总成在进行交错转动减薄，晶片即将接触磨板时，液幕能先晶片一步与磨板发生碰撞，从而使磨板先一步形成冷却液液膜，同时当晶片处于磨板下方时，冷却液将冲击在磨板的底端而四散，使转动的磨板即将接触晶片的部位，在接触晶片之前就在底端形成冷却液的液膜，对晶片进行磨削时能进行全面的液冷，稳定高效。高效。高效。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体晶片加工用减薄机


[0001]本专利技术涉及半导体加工
，具体为一种半导体晶片加工用减薄机。

技术介绍

[0002]晶片在加工过程中，需要对其进行磨削抛光处理，使其厚度能达到设计标准，这就需要用到减薄机对其进行磨削处理。
[0003]现有的晶片减薄机主要是通过真空吸盘吸附晶片，通过智能程序控制磨削件（如磨石、砂轮等），先进行打磨修整后，再通过厚度检测工具对晶片位置进行校准，并对其厚度进行检测，接着再移动磨削件至晶片上方，二者进行交错转动，磨削件逐步下移，完成磨削，在此过程中，会向磨削部位进行冷却液喷射，避免过热导致的晶片损坏。
[0004]现有的这种加工方法，在磨削加工过程中，磨削件与晶片将产生硬性碰撞，而冷却液将斜向下冲击向晶片与磨削件的接触部位，二者冲击力都会作用于晶片，使得晶片有发生位移的趋势，从而使得晶片容易发生转动或进行位移，导致晶片与磨削件在磨削时出现相对位移的打滑，导致磨削精度不足或过磨削，获得的成品不合格，同时，冷却液在喷向磨削部位时，只能喷射在磨削件和晶片的外侧，无法直接到达二者的磨削部位，这使得冷却效果不理想，且在加工过程中，磨削下来的杂质会黏附在晶片和磨削件上，使得晶片转动过程中，不断的与磨削件进行接触磨削时，杂质将存在二者的磨削部位，使得磨削精度变差。

技术实现思路

[0005]针对
技术介绍
中提出的现有减薄机在使用过程中存在的不足，本专利技术提供了一种半导体晶片加工用减薄机，具备冷却液直射磨板底端先一步形成液膜、冷却液撞击磨板和激射球而四散、冷却液裹挟晶片和磨板上的杂质，在离心力下使其脱离、冷却剂流经胶管使其膨胀而挤压贴合晶片的底部、胶管挤压晶片限制其移动和转动、弧形磁铁吸引活塞打开关闭连通通道进行冷却液的输送与关闭的优点，解决了上述
技术介绍
中提出晶片受力位移与转动、冷却液无法直接作用于磨削部位、加工时的杂质无法及时处理的技术问题。
[0006]本专利技术提供如下技术方案：一种半导体晶片加工用减薄机，包括定位座，所述定位座的中心活动连接有输液管，所述定位座内固定套接有弧形磁铁，所述定位座内活动套接有承载座，所述承载座上开设有均布的真空吸孔，所述真空吸孔上放置有晶片，所述承载座的顶端开设有均布的环形槽，所述环形槽内固定连接有胶管，所述承载座内开设有均布的送液腔，所述承载座上开设有均布的喷射孔，所述喷射孔的底端开口与送液腔连通，所述承载座内开设有均布的进液孔，所述胶管的底部开设有与进液孔接通的孔洞，所述承载座内开设有均布的连通孔，所述输液管的顶部开设有与连通孔接通的孔洞，所述连通孔的一端与进液孔接通，所述承载座内开设有均布的出液孔，所述胶管的底部开设有与出液孔接通的孔洞，所述承载座内开设有连通出液孔和送液腔的连通通道。
[0007]优选的，所述定位座内开设有布气腔，所述真空吸孔的底端开口与布气腔连通，所述定位座的底端固定连接有真空总成。
[0008]优选的，所述输液管固定套接在承载座的中心，所述输液管的内腔顶端固定连接有电机输出轴。
[0009]优选的，所述胶管的一半体积裸露在外，所述胶管的环形角度值大于三百度，所述晶片的圆心与胶管的圆心重合，所述胶管位于晶片的底部。
[0010]优选的，所述送液腔呈环形，所述送液腔的环形角度值为一百八十度，所述送液腔的圆心与晶片的圆心重合，以同心的晶片为基准，所述送液腔位于承载座转动方向的一侧。
[0011]优选的，所述承载座内开设有均布的收纳腔，所述收纳腔内活动套接有活塞，所述活塞的一端插入出液孔和送液腔的连通通道内，所述活塞位于收纳腔内的一端固定连接有弹簧。
[0012]优选的，所述活塞位于收纳腔内的一端设有磁铁，所述活塞与弧形磁铁处于同一平面内，所述活塞上的磁铁与弧形磁铁相互吸引，所述弧形磁铁靠近磨板。
[0013]优选的，所述定位座的一侧安装有磨削总成，所述磨削总成的底端固定连接有磨板，所述磨板的中部外侧固定套接有凸出环，所述凸出环的底端固定连接有均布的激射球，所述激射球呈半球状，所述激射球的位置高于磨板的底端，所述弧形磁铁靠近磨板。
[0014]本专利技术具备以下有益效果：1、本专利技术通过冷却液从环形分布的喷射孔向上喷出时，形成液幕，当承载座和磨削总成在进行交错转动减薄，晶片即将接触磨板时，液幕能先晶片一步与磨板发生碰撞，从而使磨板先一步形成冷却液液膜，同时当晶片处于磨板下方时，冷却液将冲击在磨板的底端而四散，使转动的磨板即将接触晶片的部位，在接触晶片之前就在底端形成冷却液的液膜，使磨板在对晶片进行磨削时能进行全面的液冷。
[0015]2、本专利技术通过承载座和磨削总成在进行交错转动减薄时，液幕能先晶片一步与磨板发生碰撞，从而使冷却液在碰撞下散落，使冷却液大面积的散落在靠近的晶片表面，同时，当晶片开始与磨板接触或开始与磨板分离时，与激射球处于同一竖直平面内的喷射孔喷出的冷却液，将撞击在激射球上而向斜下方散落，使冷却液进一步的大面积的散落在靠近的晶片表面，从而使晶片上磨削下来的杂质在冷却液的裹挟，承载座的转动下，通过离心力快速脱离晶片，且磨板磨削晶片的部位在转动下离开晶片时，部分冷却液也会冲击在此处，从而使冷却液裹挟磨削下的杂质在离心力在去除，完成对磨板在加工时的清洁，避免杂质影响磨削精度的问题。
[0016]3、本专利技术通过冷却液喷射向磨板底端进行冷却的动作，避免了冷却液冲击在晶片上导致晶片受力而存在脱离原位的趋势，同时通过冷却液在流经胶管，胶管的膨胀将使其表面贴合在晶片的底部外侧，从而使环形的胶管对晶片进行扣合挤压限位，使晶片在于磨板发生磨削时，晶片受到的较大的冲击力不会使其脱离原位，避免了晶片位置改变而导致加工精度不准确的问题。
[0017]4、本专利技术通过承载座上的晶片在转动靠近磨板时，将先一步与弧形磁铁发生反应，使弧形磁铁吸引活塞上的磁铁，从而吸引活塞位移打开出液孔和送液腔的连通通道，使冷却液能从出液孔中通入送液腔，使冷却液能从喷射孔喷出进行后续的冷却，当晶片在离开磨板后，也将离开弧形磁铁的范围，使活塞失去吸引而再次堵塞出液孔与送液腔的连通通道，避免了冷却液持续喷射而导致的浪费。
附图说明
[0018]图1为本专利技术立体结构示意图；图2为本专利技术磨削总成结构示意图；图3为本专利技术晶片分布示意图；图4为本专利技术胶管分布示意图；图5为本专利技术送液腔结构示意图；图6为本专利技术连通孔结构示意图；图7为本专利技术定位座结构示意图；图8为本专利技术图5中A处结构局部放大示意图。
[0019]图中：1、定位座；2、布气腔；3、真空总成；4、输液管；5、电机输出轴；6、承载座；7、真空吸孔；8、晶片；9、送液腔；10、喷射孔；11、环形槽；111、胶管；12、进液孔；121、连通孔；13、出液孔；14、收纳腔；15、弹簧；16、活塞；17、弧形磁铁；18、磨削总成；19、磨板；20、凸出环；21、激射球。
具体实施方式
[0020]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体晶片加工用减薄机，包括定位座（1），其特征在于：所述定位座（1）的中心活动连接有输液管（4），所述定位座（1）内固定套接有弧形磁铁（17），所述定位座（1）内活动套接有承载座（6），所述承载座（6）上开设有均布的真空吸孔（7），所述真空吸孔（7）上放置有晶片（8），所述承载座（6）的顶端开设有均布的环形槽（11），所述环形槽（11）内固定连接有胶管（111），所述承载座（6）内开设有均布的送液腔（9），所述承载座（6）上开设有均布的喷射孔（10），所述喷射孔（10）的底端开口与送液腔（9）连通，所述承载座（6）内开设有均布的进液孔（12），所述承载座（6）内开设有均布的连通孔（121），所述输液管（4）的顶部开设有与连通孔（121）接通的孔洞，所述连通孔（121）的一端与进液孔（12）接通，所述承载座（6）内开设有均布的出液孔（13），所述胶管（111）的两端底部分别连接进液孔（12）和出液孔（13），所述承载座（6）内开设有连通出液孔（13）和送液腔（9）的连通通道。2.根据权利要求1所述的一种半导体晶片加工用减薄机，其特征在于：所述定位座（1）内开设有布气腔（2），所述真空吸孔（7）的底端开口与布气腔（2）连通，所述定位座（1）的底端固定连接有真空总成（3）。3.根据权利要求1所述的一种半导体晶片加工用减薄机，其特征在于：所述输液管（4）固定套接在承载座（6）的中心，所述输液管（4）的内腔顶端固定连接有电机输出轴（5），且电机输出轴（5）贯穿输液管（4）。4.根据权利要求1所述的一种半导体晶片加工用...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴龙军，廖广兰，鲍秉国，
申请(专利权)人：徐州盛科半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：