遮挡机构及具有遮挡机构的基板处理腔室制造技术

本发明专利技术提供一种遮挡机构及具有遮挡机构的基板处理腔室，主要包括一反应腔体、一承载盘、一收纳腔体及一遮挡机构，其中反应腔体连接收纳腔体，而承载盘位于反应腔体内。遮挡机构包括至少一驱动杆体、至少一底座及一遮挡部，其中驱动杆体由收纳腔体延伸至反应腔体。底座连接遮挡部及驱动杆体，其中驱动杆体通过底座带动遮挡部在收纳腔体及反应腔体之间位移。在进行沉积制程时，驱动杆体会带动遮挡部位移至收纳腔体内。在进行清洁制程时，驱动杆体会带动遮挡部位移至反应腔体内，以避免在清洁处理腔室的过程中污染承载盘。洁处理腔室的过程中污染承载盘。洁处理腔室的过程中污染承载盘。

【技术实现步骤摘要】
遮挡机构及具有遮挡机构的基板处理腔室


[0001]本专利技术有关于一种遮挡机构及具有遮挡机构的基板处理腔室，主要通过遮挡机构隔离处理腔室的反应空间及承载盘，以避免在清洁处理腔室的过程中污染承载盘。

技术介绍

[0002]化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)及原子层沉积(ALD)皆是常用的薄膜沉积设备，并普遍被使用在集成电路、发光二极管及显示器等制程中。
[0003]沉积设备主要包括一腔体及一晶圆承载盘，其中晶圆承载盘位于腔体内，并用以承载至少一晶圆。以物理气相沉积为例，腔体内需要设置一靶材，其中靶材面对晶圆承载盘上的晶圆。在进行物理气相沉积时，可将惰性气体及/或反应气体输送至腔体内，分别对靶材及晶圆承载盘施加偏压，并通过晶圆承载盘加热承载的晶圆。
[0004]腔体内的惰性气体因为高压电场的作用，形成离子化的惰性气体，离子化的惰性气体会受到靶材上的偏压吸引而轰击靶材。从靶材溅出的靶材原子或分子受到晶圆承载盘上的偏压吸引，并沉积在加热的晶圆的表面，以在晶圆的表面形成薄膜。
[0005]在经过一段时间的使用后，腔体的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理腔室，其特征在于，包括：一反应腔体，包括一容置空间；一承载盘，位于该容置空间内，并用以承载至少一基板；一收纳腔体，连接该反应腔体，其中该收纳腔体包括一收纳空间，流体连接该容置空间；及一遮挡机构，包括：至少一驱动杆体，由该收纳空间延伸该容置空间；至少一底座，连接该驱动杆体；及一遮挡部，连接该底座，其中该驱动杆体通过该底座带动该遮挡部在该收纳空间及该容置空间之间位移，且该遮挡部的位移方向与该驱动杆体平行。2.根据权利要求1所述的基板处理腔室，其特征在于，包括一驱动单元及一磁流体轴封，该驱动杆体则通过该磁流体轴封设置在该收纳腔体或该反应腔体，而该驱动单元连接该驱动杆体，并带动该驱动杆体转动，以驱动连接该驱动杆体的该底座沿着该驱动杆体位移，其中该驱动杆体为一螺杆，而该底座则包括一螺孔或一螺纹，该底座通过该螺孔或该螺纹连接该螺杆。3.根据权利要求1所述的基板处理腔室，其特征在于，包括至少一位置感测单元设置于该收纳腔体或该反应腔体，并用以感测该遮挡部的位置。4.根据权利要求1所述的基板处理腔室，其特征在于，包括一靶材设置在该反应空...

【专利技术属性】
技术研发人员：林俊成，郭大豪，郑啓鸿，沈祐德，
申请(专利权)人：鑫天虹厦门科技有限公司，
类型：发明
国别省市：