一种气体传感器件的制造、处理气氛确定方法及器件技术

本发明专利技术公开了一种气体传感器件的制造、处理气氛确定方法及器件，其中气体传感器件的制造方法，包括：制造传感器件的气体敏感层，气体敏感层为过渡金属硫同族化合物；将气体敏感层进行预设的气氛处理，并采用气氛处理后的气体敏感层制造气体传感器件，可有效的改善过渡金属硫同族化合物作为气体敏感层的气敏性。属硫同族化合物作为气体敏感层的气敏性。属硫同族化合物作为气体敏感层的气敏性。

【技术实现步骤摘要】
一种气体传感器件的制造、处理气氛确定方法及器件


[0001]本专利技术涉及传感器
，尤其涉及一种气体传感器件的制造、处理气氛确定方法及器件。

技术介绍

[0002]作为信息技术三大基础之一的传感器技术，被誉为进入21世纪优先发展的十大顶尖技术之一，受到了世界各发达国家的广泛重示。随着人们生活水平的提高及社会发展的需要，对气体传感器的要求不断提高，而需要检测的气体种类也越来越多。自从1962年半导体金属氧化物陶瓷气体传感器问世以来，半导体气体传感器由于具有灵敏度高、响应时间短等优点，发展非常迅速，目前已成为世界上产量最大、应用最广的传感器之一。
[0003]近年来，层状二硫化钼(MoS2)由于具有原子层级的厚度、良好柔韧性和具有可调的带隙、大的比表面积以及各种活性位点等，成为了一种有巨大潜能的气敏材料而被广泛研究。目前，已有多种制备多层MoS2气体传感器的方法，但结果并不理想。虽然多层MoS2气体传感器的气敏性能可以通过构筑异质结或提高工作温度的方法得到改善，但仍存在很多缺点。例如，构筑异质结是一个复杂的过程且重复性较差，较高的工作本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种气体传感器件的制造方法，其特征在于，包括：制造传感器件的气体敏感层，所述气体敏感层为过渡金属硫同族化合物；将所述气体敏感层进行预设的气氛处理，并采用所述气氛处理后的所述气体敏感层制造气体传感器件。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述过渡金属硫同族化合物包括：MoSe2，MoTe2，WS2，WSe2，WTe2。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述过渡金属硫同族化合物为MoS2。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述将所述气体敏感层进行预设的气氛处理包括：制造对NO2敏感的所述气体传感器件时，将所述气体敏感层进行气氛环境为CO2和/或N2的气氛处理；制造对NO敏感的所述气体传感器件时，将所述气体敏感层进行气氛环境为H2O的气氛处理。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的方法，其特征在于，所述气氛处理包括：提供密闭环境；将所述密闭环境抽真空至真空度为1.0
×
10
‑5Pa以上；向所述密闭环境通入所述气氛处理对应的气体，形成所述气氛环境；将所述气体敏感层置于所述气氛环境中，并达到预设时长。6.一种气体传感器件，其特征在于，包括：衬底；介质层，形成在所述衬底上；气体敏感层，经过形成在所述介质层上，所述气体敏感层为过渡金属硫同族化合物，且经过预设的气氛处理；第一电极和第二电极，形成在所述介质层上，并位于所述气体敏感...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢年端，姜文峰，李泠，耿玓，刘明，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：