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本发明公开了一种气体传感器件的制造、处理气氛确定方法及器件，其中气体传感器件的制造方法，包括：制造传感器件的气体敏感层，气体敏感层为过渡金属硫同族化合物；将气体敏感层进行预设的气氛处理，并采用气氛处理后的气体敏感层制造气体传感器件，可有效的...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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