半导体器件的制备方法技术

本申请涉及一种半导体器件的制备方法。所述制备方法包括：提供衬底；在所述衬底的非器件加工区形成监测孔，在所述衬底的器件加工区形成工艺孔；其中，所述监测孔至少包括两个深度不同的第一孔部和第二孔部；在所述工艺孔和所述监测孔内填充栅极材料以形成栅极材料层；其中，所述栅极材料与所述衬底的材料不同；对所述栅极材料层位于所述工艺孔内的部分和位于所述监测孔内的部分同步进行刻蚀，以在所述工艺孔内形成凹槽；通过所述监测孔中栅极材料的残留情况确定所述凹槽的底部边缘的深度是否符合制备要求。本申请的半导体器件的制备方法能够在线直接监控栅极材料层刻蚀后形成的凹槽的底部边缘的深度，及时发现异常，避免后续造成诸多不良影响。续造成诸多不良影响。续造成诸多不良影响。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制备方法


[0001]本申请涉及集成电路制造领域，尤其涉及一种半导体器件的制备方法。

技术介绍

[0002]IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)是由BJT(Bipolar Junction Transistor，双极型三极管)和MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field
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Effect Transistor，绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降两方面的优点，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。
[0003]在IGBT半导体器件的制造工艺中，需要对多晶硅刻蚀形成凹槽，该凹槽大致形成为两边高、中心低的弧形，该凹槽的底部边缘的深度的控制是工艺中的重要环节，该凹槽的底部边缘太浅会存在残留物，太深会导致无法形成沟道。目前，无法在线直接量取该凹槽的底部边缘的深度，只能通过多晶硅刻蚀后的栅极氧化层的厚度侧面反应该凹槽的底部边本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供衬底；在所述衬底的非器件加工区形成监测孔，在所述衬底的器件加工区形成工艺孔；其中，所述监测孔至少包括两个深度不同的第一孔部和第二孔部；在所述工艺孔和所述监测孔内填充栅极材料以形成栅极材料层；其中，所述栅极材料与所述衬底的材料不同；对所述栅极材料层位于所述工艺孔内的部分和位于所述监测孔内的部分同步进行刻蚀，以在所述工艺孔内形成凹槽；通过所述监测孔中栅极材料的残留情况确定所述凹槽的底部边缘的深度是否符合制备要求。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一孔部的深度不小于可接受数值范围的最小值，所述第二孔部的深度不大于可接受数值范围的最大值，所述第二孔部的深度大于所述第一孔部的深度；其中，可接受数值范围指的是所述凹槽的底部边缘的深度符合制备要求时的数值范围。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述监测孔还包括第三孔部，所述第三孔部的深度大于所述第一孔部的深度，且小于所述第二孔部的深度。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述第一孔部、所述第二孔部和所述第三孔部相互连通地形成阶梯孔，或者所述第一孔部、所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨凌辉，
申请(专利权)人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：