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本申请涉及一种半导体器件的制备方法。所述制备方法包括：提供衬底；在所述衬底的非器件加工区形成监测孔，在所述衬底的器件加工区形成工艺孔；其中，所述监测孔至少包括两个深度不同的第一孔部和第二孔部；在所述工艺孔和所述监测孔内填充栅极材料以形成栅极...
该专利属于绍兴中芯集成电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过绍兴中芯集成电路制造股份有限公司授权不得商用。

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