一种半导体结构的制作方法及其结构技术

本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制作方法及其结构，其中，半导体结构的制作方法包括：提供基底，基底包括沿第一方向和第二方向阵列排布的半导体通道，且相邻的半导体通道之间露出部分基底；形成金属层，金属层位于半导体通道的侧壁，且还位于相邻的半导体通道之间露出的基底的表面；采用金属硅化物工艺将部分半导体通道及相邻的半导体通道之间露出的基底转换为位线，位线沿第一方向贯穿半导体通道，至少可以降低形成位线的难度。度。度。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构的制作方法及其结构


[0001]本公开实施例涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构的制作方法及其结构。

技术介绍

[0002]存储器是用来存储程序和各种数据信息的记忆部件。一般计算机系统使用的随机存取内存(Random Access Memory，RAM)可分为动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)与静态随机存取存储器(Static Random
‑
Access Memory，SRAM)两种，动态随机存取存储器是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。
[0003]存储单元通常包括电容器和晶体管，晶体管的漏极与位线相连、源极与电容器相连，电容器包括电容接触结构和电容，存储单元的字线能够控制晶体管的沟道区的打开或关闭，进而通过位线读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线将数据信息写入到电容器中进行存储。
[0004]然而目前存在难以形成连成线的位线的问题。

技术实现思路

[0005]本公开实施例提供一种半导体结构的制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括沿第一方向和第二方向阵列排布的半导体通道，且相邻的所述半导体通道之间露出部分所述基底；形成金属层，所述金属层位于所述半导体通道的侧壁，且还位于相邻的所述半导体通道之间露出的所述基底的表面，所述金属层的顶面与所述半导体通道的侧壁之间的夹角小于或等于90
°
；采用金属硅化物工艺将部分所述半导体通道及相邻的所述半导体通道之间露出的所述基底转换为位线，所述位线沿所述第一方向贯穿所述半导体通道。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成所述金属层的步骤包括：形成凹槽，所述凹槽位于相邻的所述半导体通道之间露出的所述基底的表面；形成所述金属层，所述金属层位于所述凹槽的侧壁及底面。3.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成所述凹槽的步骤包括：形成牺牲层，所述牺牲层位于沿所述第一方向间隔排布于相邻的所述半导体通道之间露出的所述基底的表面；形成侧墙层，所述侧墙层位于所述半导体通道的侧壁及部分所述牺牲层的顶面；刻蚀所述牺牲层，以形成所述凹槽。4.根据权利要求3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成所述牺牲层的方法包括：采用反向选择性沉积的方式在相邻的所述半导体通道之间露出的所述基底的表面形成所述牺牲层。5.根据权利要求3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成所述侧墙层的方法包括：热氧化所述半导体通道侧壁或者采用原子层沉积的方式在所述半导体通道的侧壁形成沿所述第一方向间隔的所述侧墙层。6.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成所述金属层的步骤包括：形成初始金属层，所述初始金属层覆盖所述半导体通道的整个侧壁，且还覆盖相邻的所述半导体通道之间露出的所述基底的表面；回刻所述初始金属层，去除部分所述半导体通道侧壁的所述初始金属层，剩余所述初始金属层作为所述金属层。7.根据权利要求6所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成所述金属层后还包括：形成侧墙层，所述侧墙层覆盖所述金属层露出的所述半导体通道的侧壁。8.根据权利要求7所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘佑铭，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：