半导体结构的制备方法及半导体结构技术

本公开提供了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，涉及半导体技术领域，该半导体结构的制备方法包括：提供衬底，衬底内形成有浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构于衬底内隔离出多个间隔排布的有源区；于衬底内形成接触孔，接触孔位于有源区内，并延伸至浅沟槽隔离结构内；接触孔的底部具有晶格损伤区及位于晶格损伤区上表面的氧化区；于接触孔的侧壁形成侧壁阻挡层；去除氧化区及晶格损伤区；于接触孔内形成位线接触材料层；刻蚀侧壁阻挡层及位线接触材料层，以形成位线接触结构。本公开用于保护接触孔的侧壁不被刻蚀，减少有源区的损伤，进而减少存储单元之间短路的风险。进而减少存储单元之间短路的风险。进而减少存储单元之间短路的风险。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制备方法及半导体结构


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。

技术介绍

[0002]通常动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)中包含有大量存储单元。一般而言，一个存储单元包括一个电容和一个晶体管，晶体管的漏极和源极中的一个电连接到电容的一端，另一个则电连接到位线，晶体管的栅极则电连接到字线。一个存储单元中的各个元件之间应当具有适当的电连接，以保证该存储单元信息的正常读取和擦除。
[0003]位线接触有源区的部分材料通常为多晶硅，位线与有源区之间的界面接触情况会直接影响位线接触结构的接触电阻。在传统的位线制程工艺中通常需要沉积两次多晶硅，每次沉积多晶硅材料之前都需要对包括有源区的衬底进行去膜处理，以去除硅基底表面上的晶格损伤区和自然氧化区。去膜处理指的是采用含氟的腐蚀性气体蚀刻硅基底表面，这一过程不仅会刻蚀硅基底表面的自然氧化区，还会刻蚀硅侧壁的氧化介质。由此，在最终刻蚀位线的过程中，还会导致位线接触与字线接触之间短路的风险。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供衬底，所述衬底内形成有浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构于所述衬底内隔离出多个间隔排布的有源区；于所述衬底内形成接触孔，所述接触孔位于所述有源区内，并延伸至所述浅沟槽隔离结构内；所述接触孔的底部具有晶格损伤区及位于所述晶格损伤区上表面的氧化区；于所述接触孔的侧壁形成侧壁阻挡层；去除所述氧化区及所述晶格损伤区；于所述接触孔内形成位线接触材料层；刻蚀所述侧壁阻挡层及所述位线接触材料层，以形成位线接触结构。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述衬底内形成接触孔之前，还包括：于所述衬底的上表面形成保护层；于所述保护层的上表面形成图形化掩膜层，所述图形化掩膜层内具有开口，所述开口定义出所述接触孔的形状及位置。3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述衬底的上表面形成保护层，包括：于所述衬底的上表面形成衬底介质层；于所述衬底介质层的上表面形成隔离层；于所述隔离层的上表面形成导电基层。4.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述接触孔的侧壁形成侧壁阻挡层，包括：于所述接触孔内形成侧壁保护材料，并刻蚀所述侧壁保护材料，在所述侧壁保护材料内形成暴露所述氧化区的通孔。5.根据权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述侧壁阻挡层的材料包括多晶硅。6.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述位线接触材料层还延伸覆盖至所述图形化掩膜层的上表面；所述于所述接触孔内形成位线接触材料层之后，刻蚀所述侧壁阻挡层及所述位线接触材料层，以形成所述位线接触结构之前还包括：去除位于所述保护层上表面以上的所述位线接触材料层；去除所述图形化掩膜层，以暴露出所述保护层。7.根据权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，去除所述图形化掩膜层之后，刻蚀所述侧壁阻挡层及所述位线接触材料层，以形成所述位线接触结构之前还包括：于所述保护层的上表面形成第一导电层；于所述第一导电层的上表面形成第二导电层；于所述第二导电层的上表面形成位线介质层；刻蚀所述位线介质层、所述第二导电层及所述第一导电层，以得到包括由下至上依次叠置的第一导电层、第二导电层及位线介质层的位线。8.根据权利要求7所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述位线接触结构的顶部高于所述衬底的上表面；所述位线接触结构与所述接触...

【专利技术属性】
技术研发人员：张俊，崔鹿鸣，钱利森，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：