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本公开提供了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，涉及半导体技术领域，该半导体结构的制备方法包括：提供衬底，衬底内形成有浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构于衬底内隔离出多个间隔排布的有源区；于衬底内形成接触孔，接触孔位于有源区内，并延伸至浅沟槽...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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