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本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制作方法及其结构，其中，半导体结构的制作方法包括：提供基底，基底包括沿第一方向和第二方向阵列排布的半导体通道，且相邻的半导体通道之间露出部分基底；形成金属层，金属层位于半导体通道的侧壁，且还位...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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