一种小尺寸的薄型集成封装结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种小尺寸的薄型集成封装结构，包含基板以及通过绝缘树脂封装在基板上的元器件、控制器、垫片、闪存芯片和内存芯片；所述元器件通过锡膏设置在基板上，控制器通过底部填充胶设置在基板上，控制器的周围设置有垫片，垫片的顶面高于控制器的顶面，闪存芯片通过DAF膜设置在垫片上，内存芯片通过DAF膜设置在闪存芯片上；所述闪存芯片通过键合金线与基板电连接，内存芯片通过键合金线与闪存芯片电连接；本方案将闪存和内存叠加在一起置于控制器上方，更好的节省了空间；控制芯片利用倒装技术，区别于传统的焊线工艺，且控制器是置于闪存和内存的堆叠结构下方，能够实现更小更薄的尺寸，比原先的结构更能满足时代发展的需求。的需求。的需求。

【技术实现步骤摘要】
一种小尺寸的薄型集成封装结构


[0001]本技术涉及一种小尺寸的薄型集成封装结构，属于半导体封装


技术介绍

[0002]现有技术中，多为闪存和控制器集成在一起的结构，内存是分开设置在线路板上的，导致线路板整体尺寸偏大，集成度低。

技术实现思路

[0003]本技术目的是为了克服现有技术的不足而提供一种小尺寸的薄型集成封装结构。
[0004]为达到上述目的，本技术采用的技术方案是：一种小尺寸的薄型集成封装结构，包含基板以及通过绝缘树脂封装在基板上的元器件、控制器、垫片、闪存芯片和内存芯片；所述元器件通过锡膏设置在基板上，控制器通过底部填充胶设置在基板上，控制器的周围设置有垫片，垫片的顶面高于控制器的顶面，闪存芯片通过DAF膜设置在垫片上，内存芯片通过DAF膜设置在闪存芯片上；所述闪存芯片通过键合金线与基板电连接，内存芯片通过键合金线与闪存芯片电连接。
[0005]优选的，所述控制器的底部设置有凸块，凸块间隔地设置在底部填充胶中。
[0006]优选的，所述闪存芯片为多层梯形堆叠结构，内存芯片通过DAF膜设置在最顶层的闪存芯片上。
[0007]优选的，所述垫片通过DAF膜设置在基板上。
[0008]优选的，所述基板的底面设置有多个锡球。
[0009]由于上述技术方案的运用，本技术与现有技术相比具有下列优点：
[0010]本技术方案的小尺寸的薄型集成封装结构，是一种嵌入式多制程封装芯片，将内存、闪存和控制器封装在一起，闪存和内存叠加在一起置于控制器上方，更好的节省了空间；控制芯片利用倒装技术，区别于传统的焊线工艺，且控制器是置于闪存和内存的堆叠结构下方，能够实现更小更薄的尺寸，比原先的结构更能满足时代发展的需求。
附图说明
[0011]下面结合附图对本技术技术方案作进一步说明：
[0012]附图1为本技术所述的小尺寸的薄型集成封装结构的示意图。
具体实施方式
[0013]下面结合附图及具体实施例对本技术作进一步的详细说明。
[0014]如图1所示，本技术所述的一种小尺寸的薄型集成封装结构，包含基板1以及通过绝缘树脂19封装在基板1上的元器件3、控制器、垫片7、闪存芯片9和内存芯片17。
[0015]所述元器件3通过锡膏2设置在基板1上，控制器采用倒装芯片的方式，通过凸块4
和底部填充胶5设置在基板1上，控制器的两侧均设置有垫片7，垫片7通过DAF膜6设置在基板1上，并且垫片7的顶面高于控制器的顶面。
[0016]所述闪存芯片9为多层梯形堆叠结构，多层闪存芯片9依次通过DAF膜6堆叠在垫片7上，内存芯片17通过DAF膜6设置在最顶层的闪存芯片9上；所述闪存芯片9通过键合金线18与基板1电连接，内存芯片17通过键合金线18与闪存芯片9电连接，基板1的底面设置有多个锡球20。
[0017]本方案的封装大概过程如下：
[0018]步骤1，基板选择。
[0019]步骤2，贴元器件；在基板表面刷上锡膏，贴上元器件。
[0020]步骤3，贴控制器；在基板表面倒装贴上控制器，过完reflow后，点underfiller胶保护。
[0021]步骤4，贴spacer；在控制器的两边贴spacer，高度是需要高于控制器。
[0022]步骤5，贴Nand；在spacer上贴Nand1~4。
[0023]步骤6，贴LPDDR；在最上层贴LPDDR。
[0024]步骤7，打线；在Nand和LPDDR芯片上打线。
[0025]步骤8，塑封；利用EMC将集成产品进行塑封。
[0026]步骤9，植球；选择合适的锡球，进行植球作业。
[0027]步骤10，切单；将Strip利用切割刀切成单颗。
[0028]以上仅是本技术的具体应用范例，对本技术的保护范围不构成任何限制。凡采用等同变换或者等效替换而形成的技术方案，均落在本技术权利保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种小尺寸的薄型集成封装结构，其特征在于：包含基板（1）以及通过绝缘树脂（19）封装在基板（1）上的元器件（3）、控制器、垫片（7）、闪存芯片（9）和内存芯片（17）；所述元器件（3）通过锡膏（2）设置在基板（1）上，控制器通过底部填充胶（5）设置在基板（1）上，控制器的周围设置有垫片（7），垫片（7）的顶面高于控制器的顶面，闪存芯片（9）通过DAF膜（6）设置在垫片（7）上，内存芯片（17）通过DAF膜（6）设置在闪存芯片（9）上；所述闪存芯片（9）通过键合金线（18）与基板（1）电连接，内存芯片（17）通过键合金线（18）与闪存芯片（...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁婷，
申请(专利权)人：太极半导体苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：