发光芯片制作方法及发光芯片技术

本发明专利技术公开了一种发光芯片制作方法，包括提供制备有晶粒的生长衬底，将所述生长衬底的厚度从所述生长衬底远离晶粒的第一面减薄至第一目标厚度；将厚度减薄至第一目标厚度的所述生长衬底的第一面与量子点色转换层键合，以使所述量子点色转换层与所述晶粒被减薄后的所述生长衬底间隔，所述晶粒发出的光可穿过减薄后的生长衬底进入所述量子点色转换层。同时，本发明专利技术还提供一种采用该制作方法制成的发光芯片。与现有技术相比，本发明专利技术工序简单，成品率高且可保证量子点的色转换效率。率高且可保证量子点的色转换效率。率高且可保证量子点的色转换效率。

【技术实现步骤摘要】
发光芯片制作方法及发光芯片


[0001]本专利技术涉及显示
，具体涉及一种发光芯片制作方法及发光芯片。

技术介绍

[0002]量子点(quantum dot，简称QD)材料由于其优异的光电特性，具有色纯度高、发光颜色可调和荧光量子产率高等特点，目前，量子点材料的显示应用主要是基于其色转换特性，通常，用紫外光或蓝光作为激发源，采用绿光、红光量子点将激发光线转换为所需的绿光或红光。量子点遇水分、遇热会导致荧光性能急剧下降，同时稳定性也会降低，量子点怕水怕热这一特性很大程度上制约了量子点发光芯片的工艺制程。
[0003]参考中国专利CN202111004407，公开了一种芯片制作方法，包括：在第一衬底上形成各个子像素的发光功能层，以制成外延片，通过健合胶将外延片转移到第二衬底上，剥离第一衬底，通过贴合胶将色转换层盖板的色转换层贴合在外延片的出光侧，解健合去除外延片的第二衬底，再切割形成独立的芯片结果。这种方案将第二衬底作为转移载板，可实现大规模的晶粒转移，但不可避免的需要对形成发光功能层的第一衬底(生长衬底)进行剥离，当前常用激光剥离(LLO，Laser lift off)，激光剥离会对发光功能层和第一衬底之间的界面造成一定损伤，即发光功能层的出光面质量会有所下降。再者，该方法制成的芯片结构中，发光功能层的出光侧通过永久键合的贴合胶直接临近色转换层，基于量子点遇热会导致荧光性能急剧下降的问题，这种方法制成的芯片耐热性差，发光效果差。
[0004]故，急需一种可解决上述问题的发光芯片制作方法及发光芯片。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种可以避免温度因素影响量子点且工艺工序少、成品率高的发光芯片制作方法及采用该制作方法制成的发光芯片。
[0006]为实现上述目的，本专利技术公开了一种发光芯片制作方法，包括：提供制备有晶粒的生长衬底，将所述生长衬底的厚度从所述生长衬底远离晶粒的第一面减薄至第一目标厚度；将厚度减薄至第一目标厚度的所述生长衬底的第一面与量子点色转换层键合，以使所述量子点色转换层与所述晶粒被减薄后的所述生长衬底间隔，所述晶粒发出的光可穿过减薄后的所述生长衬底进入所述量子点色转换层。
[0007]较佳地，所述量子点色转换层包括具有多孔洞结构的基板和填充于所述多孔洞结构中的量子点，所述量子点色转换层的两相对侧面分别为具有多孔洞结构的第一面和远离多孔洞结构的第二面。
[0008]具体地，所述生长衬底的第一面与所述量子点色转换层的第一面键合，或者所述生长衬底的第一面与所述量子点色转换层的第二面键合。
[0009]具体地，所述制作方法还包括制备所述量子点色转换层，具体包括：将具有多孔洞结构的基板的厚度减薄至第二目标厚度；在厚度减薄至所述第二目标厚度之后的所述基板的至少部分孔洞中填充量子点。该方案先将具有多孔洞结构的基板的厚度减薄至目标厚
度，然后再进行量子点填充和进行基板与具有多个晶粒的第二基板的键合，可以避免减薄基板的过程中，研磨、抛光时的高温条件、研磨液、抛光液等的影响导致量子点失效或性能下降，确保量子点的色转换效率。
[0010]更具体地，将具有多孔洞结构的基板的厚度减薄至第二目标厚度具体包括：提供一支撑结构，上蜡将所述基板的第一面与所述支撑结构固定；研磨、抛光所述基板的第二面，以将所述基板的厚度减薄至第二目标厚度；去除蜡，使所述基板的第一面与所述支撑结构分离。
[0011]具体地，所述生长衬底的第一面与所述量子点色转换层的第二面键合；在所述生长衬底与量子点色转换层键合前在所述基板的至少部分孔洞中填充量子点，或者在所述生长衬底与量子点色转换层键合后在所述基板的至少部分孔洞中填充量子点。
[0012]具体地，所述基板的翘曲值小于或等于35微米。
[0013]较佳地，所述生长衬底为蓝宝石衬底或碳化硅衬底。
[0014]较佳地，将厚度减薄至第一目标厚度的所述生长衬底的第一面与量子点色转换层键合时：以所述生长衬底支撑所述晶粒，以将生长衬底的第一面与量子点色转换层键合。该方案使得制作时，无需使用带有临时键合胶的临时键合基板协助晶粒的转换和移动，避免了后续需要剥离临时键合基板以及清洗临时键合胶的工序，工序简单。
[0015]具体地，所述生长衬底的第一目标厚度为50um～100um。
[0016]较佳地，在将厚度减薄至第一目标厚度的所述生长衬底的第一面与量子点色转换层键合前：将所述生长衬底制备有晶粒的第二面和一支撑基板键合，使得所述晶粒与所述支撑基板粘接，以所述支撑基板支撑所述晶粒和生长衬底。
[0017]具体地，在将所述生长衬底的第一面与量子点色转换层键合后，解除所述晶粒与所述支撑基板的粘接。
[0018]较佳地，所述生长衬底的第一目标厚度为35um～60um。
[0019]较佳地，一所述生长衬底上制备有多个晶粒，将厚度减薄至第一目标厚度的所述生长衬底的第一面与量子点色转换层键合之后，沿所述晶粒之间的间隙进行切割，获得包含有至少一个所述晶粒的发光芯片。
[0020]为实现上述目的，本专利技术还公开了一种发光芯片，所述发光芯片采用如上所述的制作方法制成。
[0021]与现有技术相比，本专利技术直接将制备有晶粒的生长衬底从远离所述晶粒的第一面减薄，然后将减薄后的生长衬底第一面与量子点色转换层键合，不但可以有效控制发光芯片的厚度，使得光可以穿过生长衬底进入量子点色转换层，还使得量子点色转换层与所述晶粒被减薄后的所述生长衬底间隔，防止晶粒发光时产生的热量影响量子点的性能，确保量子点的色转换效率。另一方面，本专利技术无需剥离晶粒和生长衬底，可防止激光剥离时对晶粒和生长衬底之间界面造成损伤，影响晶粒出光质量以及成品率，故本专利技术成品率高，出光质量好。
附图说明
[0022]图1为本专利技术发光芯片制作方法的流程图。
[0023]图2是本专利技术第一实施例中发光芯片制作方法的过程示意图。
[0024]图3是本专利技术第一实施例中发光芯片制作方法支撑的发光芯片结构图。
[0025]图4为本专利技术第二实施例发光芯片制作方法的过程示意图。
[0026]图5是本专利技术第二实施例中发光芯片制作方法支撑的发光芯片结构图。
[0027]图6为本专利技术第三实施例发光芯片制作方法的过程示意图。
[0028]图7为本专利技术第四实施例发光芯片制作方法的过程示意图。
具体实施方式
[0029]为详细说明本专利技术的内容、构造特征、所实现目的及效果，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0030]以下，结合附图对本专利技术实施例的技术方案进行详细说明：
[0031]参考图1，本专利技术一实施例提供的发光芯片制作方法，包括以下步骤：S1，提供制备有晶粒11本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光芯片制作方法，其特征在于，包括：提供制备有晶粒的生长衬底，将所述生长衬底的厚度从所述生长衬底远离晶粒的第一面减薄至第一目标厚度；将厚度减薄至第一目标厚度的所述生长衬底的第一面与量子点色转换层键合，以使所述量子点色转换层与所述晶粒被减薄后的所述生长衬底间隔，所述晶粒发出的光可穿过减薄后的所述生长衬底进入所述量子点色转换层。2.如权利要求1所述的发光芯片制作方法，其特征在于，所述量子点色转换层包括具有多孔洞结构的基板和填充于所述多孔洞结构中的量子点，所述量子点色转换层的两相对侧面分别为具有多孔洞结构的第一面和远离多孔洞结构的第二面。3.如权利要求2所述的发光芯片制作方法，其特征在于，所述生长衬底的第一面与所述量子点色转换层的第一面键合，或者所述生长衬底的第一面与所述量子点色转换层的第二面键合。4.如权利要求2所述的发光芯片制作方法，其特征在于：还包括制备所述量子点色转换层，具体包括：将具有多孔洞结构的基板的厚度减薄至第二目标厚度；在厚度减薄至所述第二目标厚度之后的所述基板的至少部分孔洞中填充量子点。5.如权利要求2所述的发光芯片制作方法，其特征在于：所述生长衬底的第一面与所述量子点色转换层的第二面键合；在所述生长衬底与量子点色转换层键合前在所述基板的至少部分孔洞中填充量子点，或者在所述生长衬底与量子点色转换层键合后在所述基板的至少部分孔洞中填充量子点。6.如权利要求4所述的发光芯片制作方法，其特征在于：将具有多孔洞结构的基板的厚度减薄至第二目标厚度具体包括：提供一支撑结构，上蜡将所述基板的第一面与所述支撑结构固定；研磨、抛光所述基板的第二面，以将所述基板...

【专利技术属性】
技术研发人员：付小朝，庄文荣，
申请(专利权)人：东莞市中麒光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：