【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示，具体涉及一种色转换结构的制备方法及发光结构的制备方法。
技术介绍
1、随着室内显示应用技术不断提高，目前使用的投影、dlp(digital lightprocessing，数字光处理)、lcd(liquid crystal display，液晶显示器)、pdp(plasmadisplay panel，等离子显示板)等显示应用产品己不能完全满足市场应用需求。在各方面还存在一些缺陷使其突破不了技术的发展。而led(light emitting diode，发光二极管)全彩显示屏克服了上述产品的众多缺陷，已成为户内外大屏幕显示，如指挥中心、户外广告屏、会议中心等场合的首选。
2、led芯片具有较好的节能效果和较高的亮度，而被用于生产、生活的各个行业。通常，led显示屏通过一定数量的小尺寸显示屏模组无缝拼接成大尺寸的显示屏。其中，小间距显示屏模组的常用制作方法之一为板上芯片(chip on board，简称cob)。在当前利用cob方法制作小间距led显示屏的过程中，所用芯片为倒装mini led芯片。为实现全彩显示，需要红色、绿色、蓝色这三种mini led芯片。然而，现有技术中led芯片通常由氮化镓基材料制成，使用基于氮化镓的芯片制作蓝光led和绿光led属于成熟工艺，其制作及使用简单，但是红光led为四元led，其衬底为不透明gaas，如果希望获得倒装红光led，需要将红光晶圆键合到蓝宝石衬底上之后去除gaas衬底，工艺复杂，尤其是在小间距或微间距led显示屏中，倒装红光芯片的成本占了较大的比例，且
3、因此，有必要提供一种适用于小间距或微间距led显示屏的可转换颜色的led芯片以替代现有led芯片。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种色转换结构的制备方法及发光结构的制备方法，以解决现有技术中倒装红光led良率低的问题。
2、为了实现上述目的，第一方面，提供一衬底，在所述衬底上生长外延层；在所述外延层上开设多个第一孔洞以及多个第二孔洞，所述第一孔洞用于填充第一色转换材料，所述第二孔洞用于填充第二色转换材料，所述第一孔洞的尺寸大于或等于所述第一色转换材料的尺寸，所述第二孔洞的尺寸小于第一色转换材料的尺寸且大于或等于第二色转换材料的尺寸；填充第一色转换材料，所述第一色转换材料被填充于所述第一孔洞内；第一孔洞填满后，填充第二色转换材料，所述第二色转换材料被填充于所述第二孔洞内以形成色转换结构。
3、优选地，所述外延层包括非故意掺杂的本征氮化镓层，所述在所述外延层上开设多个第一孔洞以及多个第二孔洞，包括：向所述外延层的第一孔洞区域和第二孔洞区域掺入第一掺杂剂，所述第一孔洞区域内的第一掺杂剂的掺杂量多于第二孔洞区域内的第一掺杂剂的掺杂量，且所述第一孔洞区域内的第一掺杂剂的掺杂量对应第一孔洞的尺寸设置，所述第二孔洞区域内的第一掺杂剂的掺杂量对应第二孔洞的尺寸设置；将掺入第一掺杂剂后的外延层放入腐蚀溶液中腐蚀以形成所述多个第一孔洞以及多个第二孔洞。
4、优选地，将第一剂量的所述第一掺杂剂进行离子化处理得到第一部分离子束，对所述第一部分离子束施加第一磁场，以控制所述第一部分离子束的方向对准所述第一孔洞区域，并对所述第一部分离子束施加第一电场，以加速所述第一部分离子束进入所述第一孔洞区域；将少于第一剂量的第二剂量的所述第一掺杂剂进行离子化处理得到第二部分离子束，对所述第二部分离子束施加第二磁场，以控制所述第二部分离子束的方向对准所述第二孔洞区域，并对所述第二部分离子束施加第二电场，以加速所述第二部分离子束进入所述第二孔洞区域。
5、优选地，所述外延层包括外延生长的掺杂有第二掺杂剂的氮化镓层，所述第二掺杂剂的掺杂量对应所述第二孔洞的尺寸设置，所述在所述外延层上开设多个第一孔洞以及多个第二孔洞，包括：在第一孔洞区域内进一步掺入第一掺杂剂，所述第一掺杂剂和第二掺杂剂的掺杂量之和对应第一孔洞的尺寸设置；将掺入第一掺杂剂后的外延层放入腐蚀溶液中腐蚀以形成所述多个第一孔洞以及多个第二孔洞。
6、优选地，所述在第一孔洞区域内进一步掺入第一掺杂剂，包括：将所述第一掺杂剂进行离子化处理得到第一掺杂剂离子束；对所述第一掺杂剂离子束施加第三电场，加速所述第一掺杂剂离子束，并对所述第一掺杂剂离子束施加第三磁场，控制所述第一掺杂剂离子束的方向对准所述第一孔洞区域，以控制所述加速后的第一掺杂剂离子束进入所述第一孔洞区域内。
7、优选地，所述外延层沿其表面方向设置有第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域、第二区域以及第三区域其中之一与其中另二均相邻设置，所述多个第一孔洞分布于第一区域，所述多个第二孔洞分布于第二区域，第三区域对应激励光线设置；当所述第一区域色转换后的颜色为红色、所述第二区域色转换后的颜色为绿色、所述激励光线为蓝色时，所述第一区域的面积、所述第二区域的面积以及所述第三区域的面积之比为3：6：1。
8、优选地，所述外延层沿其表面方向设置有第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域、第二区域以及第三区域其中之一与其中另二均相邻设置，所述第一区域、第二区域以及第三区域中的相邻两个区域之间开设分隔部以分隔相邻的两个区域。
9、优选地，所述外延层上还开设有多个第三孔洞，所述第三孔洞中填充第三色转换材料或者填充透明材料或者不填充，所述第三孔洞的尺寸小于第二色转换材料的尺寸且大于等于第三色转换材料的尺寸。
10、优选地，所述第一色转换材料和第二色转换材料的材料相同。
11、第二方面，本专利技术还提供一种发光结构的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：提供具有至少一个发光芯片的基板；对应所述发光芯片的位置，采用上述第一方面的色转换结构的制备方法制备色转换结构；将色转换结构固定于所述发光芯片上并使得发光芯片对准第一孔洞和第二孔洞以形成所述发光结构。
12、与现有技术相比，本专利技术色转换结构的制备方法通过设置不同尺寸的第一孔洞以及第二孔洞以分别精确填充第一色转换材料和第二色转换材料以形成色转换结构，填充更方便且可以实现在色转换结构的基础上制造出红光led芯片，替代现有制作复杂、成本高昂的红光led芯片，节约成本，可靠性高。
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1.一种色转换结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的色转换结构的制备方法，其特征在于，所述外延层包括非故意掺杂的本征氮化镓层，所述在所述外延层上开设多个第一孔洞以及多个第二孔洞，包括：
3.如权利要求2所述的色转换结构的制备方法，其特征在于，所述向所述外延层的第一孔洞区域和第二孔洞区域掺入第一掺杂剂，所述第一孔洞区域内的第一掺杂剂的掺杂量多于第二孔洞区域内的第一掺杂剂的掺杂量，包括：
4.如权利要求1所述的色转换结构的制备方法，其特征在于，所述外延层包括外延生长的掺杂有第二掺杂剂的氮化镓层，所述第二掺杂剂的掺杂量对应所述第二孔洞的尺寸设置，所述在所述外延层上开设多个第一孔洞以及多个第二孔洞，包括：
5.如权利要求4所述的色转换结构的制备方法，其特征在于，所述在第一孔洞区域内进一步掺入第一掺杂剂，包括：
6.如权利要求1所述的色转换结构的制备方法，其特征在于，所述外延层沿其表面方向设置有第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域、第二区域以及第三区域其中之一与其中另二均相邻设置，所述多个第一孔洞
7.如权利要求1所述的色转换结构的制备方法，其特征在于，所述外延层沿其表面方向设置有第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域、第二区域以及第三区域其中之一与其中另二均相邻设置，所述第一区域、第二区域以及第三区域中的相邻两个区域之间开设分隔部以分隔相邻的两个区域。
8.如权利要求1所述的色转换结构的制备方法，其特征在于，所述外延层上还开设有多个第三孔洞，所述第三孔洞中填充第三色转换材料或者填充透明材料或者不填充，所述第三孔洞的尺寸小于第二色转换材料的尺寸且大于等于第三色转换材料的尺寸。
9.如权利要求1所述的色转换结构的制备方法，其特征在于，所述第一色转换材料和第二色转换材料的材料相同。
10.一种发光结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种色转换结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的色转换结构的制备方法，其特征在于，所述外延层包括非故意掺杂的本征氮化镓层，所述在所述外延层上开设多个第一孔洞以及多个第二孔洞，包括：
3.如权利要求2所述的色转换结构的制备方法，其特征在于，所述向所述外延层的第一孔洞区域和第二孔洞区域掺入第一掺杂剂，所述第一孔洞区域内的第一掺杂剂的掺杂量多于第二孔洞区域内的第一掺杂剂的掺杂量，包括：
4.如权利要求1所述的色转换结构的制备方法，其特征在于，所述外延层包括外延生长的掺杂有第二掺杂剂的氮化镓层，所述第二掺杂剂的掺杂量对应所述第二孔洞的尺寸设置，所述在所述外延层上开设多个第一孔洞以及多个第二孔洞，包括：
5.如权利要求4所述的色转换结构的制备方法，其特征在于，所述在第一孔洞区域内进一步掺入第一掺杂剂，包括：
6.如权利要求1所述的色转换结构的制备方法，其特征在于，所述外延层沿其表面方向设置有第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域、第二区域以及第三区域其中之一与其中另二均相邻设置...
【专利技术属性】
技术研发人员：卢敬权，殷淑仪，叶幸娟，叶国辉，邓广柱，庄文荣，
申请(专利权)人：东莞市中麒光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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