半导体存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种实现高集成化的半导体存储装置，具备：第1导电层，沿着第1方向延伸；第2导电层，在与第1方向交叉的第2方向上从第1导电层分离地配置，沿着第1方向延伸；多个半导体层，设置在第1导电层与第2导电层之间，具备在第1方向上排列的与第1导电层对置的第1区域、与第2导电层对置的第2区域、与第1区域的第1方向的一端及第2区域的第1方向的一端连接的第3区域、以及与第1区域的第1方向的另一端及第2区域的第1方向的另一端连接的第4区域；多个第1存储元件，分别设置在第1导电层与多个半导体层之间；以及多个第2存储元件，分别设置在第2导电层与多个半导体层之间。在第1方向上相邻的两个半导体层之间设置有空隙。的两个半导体层之间设置有空隙。的两个半导体层之间设置有空隙。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储装置
[0001]本申请享受以日本专利申请2021
‑
037430号(申请日：2021年3月9日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含该基础申请的全部内容。


[0002]以下所记载的实施方式涉及一种半导体存储装置。

技术介绍

[0003]已知有一种半导体存储装置，其具备基板、在与该基板的表面交叉的方向上层叠的多个栅极、与该多个栅极对置的半导体层、以及设置在栅极与半导体层之间的栅极绝缘层。栅极绝缘层例如具备氮化硅(SiN)等绝缘性的电荷蓄积部、浮动栅极等导电性的电荷蓄积部等能够存储数据的存储部。

技术实现思路

[0004]本专利技术要解决的课题在于，提供一种能够高集成化的半导体存储装置。
[0005]一个实施方式的半导体存储装置具备：第1导电层，沿着第1方向延伸；第2导电层，在与第1方向交叉的第2方向上从第1导电层分离地配置，并沿着第1方向延伸；多个半导体层，设置在第1导电层与第2导电层之间，具备在第1方向上排列的、与第1导电层对置的第1区域、与第2导电层对置的第2区域、与本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储装置，具备：第1导电层，沿着第1方向延伸；第2导电层，在与上述第1方向交叉的第2方向上从上述第1导电层分离地配置，沿着上述第1方向延伸；多个半导体层，设置在上述第1导电层与上述第2导电层之间，具备在上述第1方向上排列的、与上述第1导电层对置的第1区域、与上述第2导电层对置的第2区域、与上述第1区域的上述第1方向的一端及上述第2区域的上述第1方向的一端连接的第3区域、以及与上述第1区域的上述第1方向的另一端及上述第2区域的上述第1方向的另一端连接的第4区域；多个第1存储元件，分别设置在上述第1导电层与上述多个半导体层之间；以及多个第2存储元件，分别设置在上述第2导电层与上述多个半导体层之间，在上述第1方向上相邻的两个上述半导体层之间设置有空隙。2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，在与上述第1方向以及上述第2方向交叉的第3方向上，排列设置有多个上述第1导电层以及上述第2导电层。3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中，上述第1区域沿着上述第3方...

【专利技术属性】
技术研发人员：津田博隆，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：