形成微电子装置的方法及相关微电子装置、存储器装置及电子系统制造方法及图纸

一种形成微电子装置的方法包括形成微电子装置结构。所述微电子装置结构包括：堆叠结构，其包括绝缘结构及与所述绝缘结构垂直交替的额外绝缘结构；电介质结构，其部分地垂直延伸穿过所述堆叠结构；及电介质材料，其垂直上覆于所述堆叠结构及所述电介质结构且跨所述堆叠结构及所述电介质结构水平延伸。移除至少所述电介质材料及所述电介质结构的部分以形成垂直上覆于所述电介质结构的剩余部分且与所述剩余部分至少部分水平重叠的沟槽。用额外电介质材料基本上填充所述沟槽。还描述微电子装置、存储器装置及电子系统。存储器装置及电子系统。存储器装置及电子系统。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】形成微电子装置的方法及相关微电子装置、存储器装置及电子系统
[0001]优先权主张
[0002]本申请案主张2019年10月29日申请的“形成微电子装置的方法及相关微电子装置、存储器装置及电子系统(Methods of Forming Microelectronic Devices,and Related Microelectronic Devices,Memory Devices,and Electronic Systems)”的序列号为16/667,719的美国专利申请案的申请日的权益。


[0003]在各个实施例中，本公开大体上涉及微电子装置设计及制造领域。更明确来说，本公开涉及形成微电子装置的方法，且涉及相关微电子装置、存储器装置及电子系统。

技术介绍

[0004]微电子产业的持续目标是增大存储器装置(例如非易失性存储器装置(例如，NAND快闪存储器装置))的存储器密度(例如，每存储器裸片的存储器胞元的数目)。增大非易失性存储器装置中的存储器密度的一种方式是利用垂直存储器阵列(还称为“三维(3D)”存储器阵列)架构。常规垂本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种形成微电子装置的方法，其包括：形成微电子装置结构，所述微电子装置结构包括：堆叠结构，其包括绝缘结构及与所述绝缘结构垂直交替的额外绝缘结构；电介质结构，其部分地垂直延伸穿过所述堆叠结构；及电介质材料，其垂直上覆于所述堆叠结构及所述电介质结构且跨所述堆叠结构及所述电介质结构水平延伸；移除至少所述电介质材料及所述电介质结构的部分以形成垂直上覆于所述电介质结构的剩余部分且与所述剩余部分至少部分水平重叠的沟槽；及用额外电介质材料基本上填充所述沟槽。2.根据权利要求1的方法，其中移除所述电介质材料及所述电介质结构的部分以形成沟槽包括形成所述沟槽以将所述电介质材料划分成彼此不连续的两个区段。3.根据权利要求1所述的方法，其中移除所述电介质材料及所述电介质结构的部分以形成沟槽进一步包括移除水平相邻于所述电介质结构的所述堆叠结构的部分。4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：形成完全地垂直延伸穿过所述电介质材料及所述堆叠结构的接触开口；及在所述接触开口内形成接触结构。5.根据权利要求4所述的方法，其进一步包括在所述接触开口内形成所述接触结构之后用导电材料替换所述电介质材料及所述堆叠结构的所述额外绝缘结构。6.根据权利要求4及5中的一个权利要求所述的方法，其中用额外电介质材料基本上填充所述沟槽包括在形成所述接触开口之前用所述额外电介质材料填充所述沟槽。7.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括：使邻近所述接触开口的所述电介质材料及所述额外绝缘结构的部分相对于邻近所述接触开口的所述绝缘结构的部分水平凹入以形成具有非平坦水平边界的放大接触开口；在所述放大接触开口内形成电介质衬里结构；及用导电材料填充所述放大接触开口的剩余部分以形成所述接触结构，所述电介质衬里结构水平介入所述接触结构与所述堆叠结构之间。8.根据权利要求4及5中的一个权利要求所述的方法，其中用额外电介质材料基本上填充所述沟槽包括在形成所述接触开口之后用所述额外电介质材料填充沟槽。9.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括：在形成所述沟槽之后在所述电介质材料上方形成遮蔽结构，所述遮蔽结构覆盖所述沟槽而未基本上垂直延伸到所述沟槽中；使用所述遮蔽结构来形成所述接触开口；移除在形成所述接触开口之后剩余的所述遮蔽结构的部分以暴露所述沟槽；放大所述接触开口及所述沟槽的水平尺寸；在放大其所述水平尺寸之后在所述接触开口及所述沟槽内形成所述额外电介质材料，所述额外电介质材料部分填充所述接触开口且基本上填充所述沟槽；移除所述接触开口的底部处的所述额外电介质材料的部分以在所述接触开口内形成电介质衬里结构；及用导电材料填充所述接触开口的剩余部分以形成所述接触结构，所述电介质衬里结构
水平介入所述接触结构与所述堆叠结构之间。10.根据权利要求9所述的方法，其中放大所述接触开口及所述沟槽的水平尺寸包括使邻近所述接触开口及所述沟槽的所述电介质材料及所述额外绝缘结构的部分相对于邻近所述接触开口及所述沟槽的所述绝缘结构的部分水平凹入。11.根据权利要求4及5中的一个权利要求所述的方法，其进一步包括形成至少一些所述接触结构以个别地物理地接触垂直下伏于所述堆叠结构的离散导电结构。12.根据权利要求11所述的方法，其中形成至少一些所述接触结构以个别地物理地接触垂直下伏于所述堆叠结构的离散导电结构包括使所述至少一些所述接触结构的水平中心偏离与其物理接触的所述离散导电结构的水平中心。13.根据权利要求4及5中的一个权利要求所述的方法，其中在所述接触开口内形成接触结构包括形成至少一些所述接触结构以形成长方形水平截面形状。14.一种微电子装置，其包括：堆叠结构，其包括布置成层级的垂直交替导电结构及绝缘结构，所述层级中的每一者包括所述导电结构中的一者及所述绝缘结构中的一者；经填充沟槽，其部分地垂直延伸穿过所述堆叠结构且在第一方向上水平延伸，...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗双强，I，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：