【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】存储器阵列及用于形成包括存储器单元的串的存储器阵列的方法
[0001]本文中公开的实施例涉及存储器阵列及用于形成包括存储器单元的串的存储器阵列的方法。
技术介绍
[0002]存储器是一种类型的集成电路系统，且在用于存储数据的计算机系统中使用。可在个别存储器单元的一或多个阵列中制造存储器。存储器单元可使用数字线(其也可称为位元线、数据线、或感测线)及存取线(其还可称为字线)写入或读取。感测线可沿着阵列的列使存储器单元导电地互连，且存取线可沿着阵列的行使存储器单元导电地互连。每一存储器单元可通过感测线与存取线的组合唯一地寻址。
[0003]存储器单元可为易失性、半易失性或非易失性。非易失性存储器单元可在不存在电力的情况下存储数据达延长时段。非易失性存储器常规地指定为具有至少约10年的留存时间的存储器。易失性存储器消散，且因此经刷新/重写以维持数据存储。易失性存储器可具有数毫秒或更短的留存时间。无论如何，存储器单元经配置以将存储器留存或存储于至少两种不同可选择状态中。在二进制系统中，所述状态被视为“0”或“1”。在其它系统...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于形成包括存储器单元的串的存储器阵列的方法，其包括：形成包括垂直交替的第一阶层及第二阶层的堆叠；将水平伸长的沟槽形成到所述堆叠中以形成横向间隔开的存储器块区域；在横向介于所述存储器块区域中的横向紧邻者之间的所述沟槽中的个别者中形成壁，所述壁的所述形成包括：用包括绝缘氮化物及元素形式硼中的至少一者的绝缘材料加衬里于沟槽的侧；及在所述沟槽中形成核心材料以在所述绝缘氮化物及所述元素形式硼中的所述至少一者之间横向跨越。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘材料包括绝缘氮化物。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘材料包括元素形式硼。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘材料包括绝缘氮化物及元素形式硼两者。5.根据权利要求1所述的方法，其包括形成所述个别沟槽以在垂直横截面中具有最上最小横向宽度，所述核心材料的各侧上的所述绝缘材料具有所述垂直横截面中的所述最上最小横向宽度的1％到20％的横向宽度。6.根据权利要求1所述的方法，其包括：在所述个别沟槽中形成所述壁之前，各向同性蚀除所述导电阶层中的牺牲材料且用个别导电线的导电材料替换所述牺牲材料；形成所述存储器单元串的个别存储器单元以包括：所述存储器块区域中的沟道材料串的沟道材料；栅极区域，其为所述导电阶层中的个别者中的所述个别导电线中的一者的部分；及存储器结构，其横向介于所述个别导电阶层中的所述栅极区域与所述沟道材料串的所述沟道材料之间，在形成所述个别导电线的所述导电材料之前形成所述沟道材料串；及在所述替换之后，在所述个别沟槽中形成所述壁。7.一种用于形成包括存储器单元的串的存储器阵列的方法，其包括：形成包括垂直交替的第一阶层及第二阶层的堆叠；将水平伸长的沟槽形成到所述堆叠中，以形成横向间隔开的存储器块区域；通过所述沟槽，各向同性蚀除所述导电阶层中的牺牲材料且用个别导电线的导电材料替换所述牺牲材料；形成所述存储器单元串的个别存储器单元以包括：所述存储器块区域中的沟道材料串的沟道材料；栅极区域，其为所述导电阶层中的个别者中的所述个别导电线中的一者的部分；及存储器结构，其横向介于所述个别导电阶层中的所述栅极区域与所述沟道材料串的所述沟道材料之间，在形成所述个别导电线的所述导电材料之前形成所述沟道材料串；在所述替换之后，在横向介于所述存储器块区域中的横向紧邻者之间的所述沟槽中的个别者中形成壁，所述壁的所述形成包括：用绝缘材料加衬里于沟槽的侧，所述绝缘材料包括直接抵靠所述个别导电线的所述导电材料的绝缘氮化物及元素形式硼中的至少一者；及在所述绝缘氮化物及所述元素形式硼中的所述至少一者之间横向跨越的所述沟槽中形成核心材料，所述核心材料的所述形成包括：形成直接抵靠绝缘氮化物及元素形式硼中的所述至少一者的横向外部二氧化硅；及形成直接抵靠所述横向外部二氧化硅且在所述横向外部二氧化硅之间横向跨越的多
晶硅。8.一种包括存储器单元的串的存储器阵列，其包括：垂直堆叠，其包括交替的绝缘阶层及导电阶层，所述导电阶层个别地包括导电线；所述堆叠中的存储器单元串，其包括延伸通过所述绝缘阶层及所述导电阶层的沟道材料；所述存储器单元中的个别者包括：所述沟道材料；栅极区域，其为所述导电阶层...
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