半导体装置和包括半导体装置的电子系统制造方法及图纸

一种半导体存储器装置包括：基板，其具有第一区域、第二区域和第三区域；主分离区域，其在第一方向上延伸并且在第二方向上彼此间隔开；第一辅助分离区域，其在第一方向上延伸并且在第二方向上彼此间隔开；以及第二辅助分离区域，其在第一方向上延伸并且在第二方向上彼此间隔开。第一辅助分离区域在第二方向上按第一间距位于主分离区域之间，第二辅助分离区域在第二方向上按小于第一间距的第二间距设置在主分离区域之间，并且第一辅助分离区域和第二辅助分离区域在第二方向上相对于彼此偏移。二辅助分离区域在第二方向上相对于彼此偏移。二辅助分离区域在第二方向上相对于彼此偏移。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置和包括半导体装置的电子系统
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2020年9月22日提交于韩国知识产权局的韩国专利申请No.10
‑
2020
‑
0122365的优先权，其公开内容整体以引用方式并入本文中。


[0003]一些示例实施例涉及一种半导体装置和/或包括该半导体装置的电子系统。

技术介绍

[0004]在存储数据的电子系统中，期望能够存储大容量数据的半导体装置。因此，正在对增加半导体装置的数据存储容量的方法进行研究。例如，已提出了包括三维布置的存储器单元而非二维布置的存储器单元的半导体装置作为增加半导体装置的数据存储容量的方法。

技术实现思路

[0005]一些示例实施例提供了一种具有改进的可靠性的半导体装置。
[0006]可替换地或另外地，一些示例实施例提供了一种包括具有改进的可靠性的半导体装置的电子系统。
[0007]根据一些示例实施例，一种半导体装置包括：基板，其具有第一区域、第二区域和第三区域；第一层叠结构，其包括层叠以彼此本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：基板，其具有第一区域、第二区域和第三区域；第一层叠结构，其包括层叠以彼此间隔开的第一栅电极以及与所述第一栅电极交替地层叠的第一层间绝缘层；第二层叠结构，其在所述第一层叠结构上并且包括第二栅电极以及与所述第二栅电极交替地层叠的第二层间绝缘层，所述第二栅电极在所述第一区域中层叠以彼此间隔开并且在第一方向上按阶梯形状布置的同时在所述第一方向上延伸，所述阶梯形状在所述第二区域和所述第三区域中；在所述第一区域至所述第三区域中的主分离区域，所述主分离区域穿透所述第一层叠结构和所述第二层叠结构，所述主分离区域在所述第一方向上延伸并且在垂直于所述第一方向的第二方向上彼此间隔开；在所述第一区域和所述第二区域中的第一辅助分离区域，所述第一辅助分离区域穿透所述主分离区域之间的所述第一层叠结构和所述第二层叠结构，所述第一辅助区域在所述第一方向上延伸并且在所述第二方向上彼此间隔开；在所述第三区域中的第二辅助分离区域，所述第二辅助分离区域穿透所述主分离区域之间的所述第一层叠结构和所述第二层叠结构，所述第二辅助分离区域在所述第一方向上延伸并且在所述第二方向上彼此间隔开；第一沟道结构和第二沟道结构，所述第一沟道结构和所述第二沟道结构中的每一个包括沟道层并且具有第一宽度，所述第一沟道结构和所述第二沟道结构分别穿透所述第一层叠结构和所述第二层叠结构；以及虚设结构，其穿透所述第一层叠结构和所述第二层叠结构并且具有大于所述第一宽度的第二宽度，其中，所述第一辅助分离区域在所述第二方向上按第一间距布置在所述主分离区域之间，并且所述第二辅助分离区域在所述第二方向上按第二间距布置在所述主分离区域之间，所述第二间距小于所述第一间距。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一沟道结构和所述第二沟道结构在所述第一区域中的所述第一辅助分离区域之间，并且所述虚设结构在所述第二区域中的所述第一辅助分离区域之间以及所述第三区域中的所述第二辅助分离区域之间。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一沟道结构和所述第二沟道结构在所述第一辅助分离区域之间，并且所述虚设结构在所述第二辅助分离区域之间。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一沟道结构和所述第二沟道结构在所述第一区域中的所述第一辅助分离区域之间，并且所述虚设结构在所述第一区域的与所述第二区域相邻的部分和所述第二区域中的所述第一辅助分离区域之间，并且在所述第三区域中的所述第二辅助分离区域之间。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二沟道结构之间的距离小于所述虚设结构之间的距离。6.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
下分离区域，其在所述主分离区域之间并且穿透至少一个第一栅电极，所述至少一个第一栅电极包括所述第一栅电极当中的最下栅电极，所述下分离区域将所述第一辅助分离区域中的至少一个连接到所述第二辅助分离区域中的与所述第一辅助分离区域中的所述至少一个相邻的一个。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述下分离区域中的每一个包括在平行于所述第一辅助分离区域的方向上的第一部分以及在垂直于所述第二辅助分离区域的方向上的第二部分。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述虚设结构包括绝缘材料。9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一沟道结构和所述第二沟道结构中的每一个还包括在栅电极和所述沟道层之间的栅极介电层以及在所述沟道层中的沟道填充绝缘层。10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述虚设结构中的每一个的第二宽度是所述第一沟道结构和所述第二沟道结构中的每一个的第一宽度的两倍以上。11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体装置包括将所述第一沟道结构的上端与所述第二沟道结构的下端连接的弯曲部分，并且所述虚设结构中的每一个具有从所述第二层叠结构的上部到所述第一层叠结构的下部连续地减小的宽度。12.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：在所述第一区域和所述第二区域中的上分离区域，所述上分离区域穿透所述第二层叠结构的上部的一部分并且在所述第二方向上与所述第一辅助分离区域交替，其中，在所述第二方向上，从所述主分离区域的中心到所述第二辅助分离区域的中心的距离大于从所述主分离区域的中心到所述上分离区域的中心的距离。13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，当在平面图中看时，所述虚设结构中的每一个具有与所述第一沟道结构和所述第二沟道结构中的每一个的形状不同的形状。14.一种半导体装置，包括：基板，其具有第一区域、第二区域和第三区域；层叠结构，其包括多个栅电极，所述多个栅电极在所述第一区域上层叠并彼此间隔开并且在所述第二区域和所述第三区域上按阶梯形状布置的同时在第一方向上延伸；沟道结构，其各自穿透所述层叠结构并且包括沟道层；在所述第一区域至...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑周嬿，金宽容，李海旻，林周永，赵源锡，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：