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本发明涉及一种实现高集成化的半导体存储装置，具备：第1导电层，沿着第1方向延伸；第2导电层，在与第1方向交叉的第2方向上从第1导电层分离地配置，沿着第1方向延伸；多个半导体层，设置在第1导电层与第2导电层之间，具备在第1方向上排列的与第1导...
该专利属于铠侠股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过铠侠股份有限公司授权不得商用。

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