一种红外探测器的制作方法及其盲元处理方法技术

本申请公开了一种红外探测器的制作方法及其盲元处理方法，设计探测器领域，用于盲元检测及成因分析。该方法包括获取红外探测器的芯片上每个预划分区域内局部像元阵列的第一性能参数集合；第一性能参数集合中的第一性能参数与局部像元阵列中的像元相对应，局部像元阵列小于预划分区域内的像元阵列；判断第一性能参数是否处于预设标准参数范围内，局部像元阵列中的像元为光敏元，其余像元为非光敏元；若第一性能参数不处于预设标准参数范围内，则确定与第一性能参数对应的像元为盲元；根据第一性能参数定位盲元在局部像元阵列中的位置。本申请中的处理方法可以快速精确的确定盲元的位置，解决超大规模红外探测器阵列盲元成因反向分析困难的问题。反向分析困难的问题。反向分析困难的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种红外探测器的制作方法及其盲元处理方法


[0001]本申请涉及探测器领域，特别是涉及一种红外探测器的制作方法及其盲元处理方法。

技术介绍

[0002]红外焦平面阵列是红外探测器的核心部件，用于探测目标物体的温度变化，输出红外图像。盲元是红外焦平面阵列中响应过高或者过低的像元，盲元率是红外探测器应用的重要指标，其直接影响整个红外系统性能的优劣。
[0003]目前在对盲元进行检测时，可以通过标准红外测试系统，基于国家标准测试方法对红外探测器阵列的像元做出判断，大致找出无响应盲元以及噪声盲元。在像元阵列规模较小的情况下，可以快速定位出盲元的位置，确定盲元后通过反向分析判断造成盲元的大致原因。但是伴随像元间距缩小以及像元阵列规模的不断增大，对盲元的定位越来越困难，也使得盲元成因反向分析变的困难。
[0004]因此，如何解决上述技术问题应是本领域技术人员重点关注的。

技术实现思路

[0005]本申请的目的是提供一种红外探测器的制作方法及其盲元处理方法，以实现盲元快速精确定位，解决超大规模红外探测器阵列盲元成因反向分析困难的问题。
[0006]为解决上述技术问题，本申请提供一种红外探测器盲元处理方法，包括：
[0007]获取红外探测器的芯片上每个预划分区域内局部像元阵列的第一性能参数集合；所述第一性能参数集合中的第一性能参数与所述局部像元阵列中的像元相对应，所述局部像元阵列小于所述预划分区域内的像元阵列，所述局部像元阵列中的像元为光敏元，其余像元为非光敏元；
[0008]判断所述第一性能参数是否处于预设标准参数范围内；
[0009]若所述第一性能参数不处于所述预设标准参数范围内，则确定与所述第一性能参数对应的所述像元为盲元；
[0010]根据所述第一性能参数定位所述盲元在所述局部像元阵列中的位置。
[0011]可选的，所述根据所述第一性能参数定位所述盲元在所述局部像元阵列中的位置之后，还包括：
[0012]分离所述芯片与所述红外探测器的读出电路；
[0013]分析所述盲元和其他所述像元的表面及剖面细节差异，得到所述盲元的成因。
[0014]可选的，所述根据所述第一性能参数定位所述盲元在所述局部像元阵列中的位置之后，还包括：
[0015]去除所述芯片的衬底；
[0016]在去除衬底后芯片的背面对应所述盲元的位置进行标记，所述背面为与所述盲元所在表面相背的表面；
[0017]分别切割所述盲元及有效像元，并分析自芯片背面至电路表面的剖面信息差异，得到所述盲元的成因。
[0018]可选的，所述去除所述芯片的衬底之后，所述在去除衬底后芯片的背面对应所述盲元的位置进行标记之前，还包括：
[0019]获取所述局部像元阵列的第二性能参数集合；所述第二性能参数集合中的第二性能参数与所述局部像元阵列中的像元相对应；
[0020]判断所述第二性能参数是否处于所述预设标准参数范围内；
[0021]若所述第二性能参数不处于所述预设标准参数范围内，则确定与所述第二性能参数对应的所述像元为盲元。
[0022]可选的，所述分析所述盲元和其他所述像元的表面及剖面细节差异包括：
[0023]利用扫描电镜观察所述盲元和有效像元的表面及剖面细节差异。
[0024]可选的，所述分离所述芯片与所述红外探测器的读出电路包括：
[0025]利用超声波分离方式分离所述芯片与所述红外探测器的读出电路。
[0026]本申请还提供一种用于实现上述任一种所述的红外探测器盲元处理方法的红外探测器的制作方法，包括：
[0027]在芯片上制作像元，并将所述芯片划分为多个预划分区域；每个预划分区域内包括一个像元阵列；
[0028]对每个所述预划分区域内局部像元阵列中的像元进行注入，形成光敏元，其他像元为非光敏元；所述局部像元阵列小于所述预划分区域内的像元阵列；
[0029]在所述预划分区域内所述局部像元阵列所在的区域刻蚀接触孔，除所述局部像元阵列所在的区域为绝缘状态；
[0030]在所述芯片进行注入的表面生长电极金属；
[0031]将读出电路与所述芯片互连，得到红外探测器。
[0032]可选的，在所述芯片进行注入的表面生长电极金属包括：
[0033]采用离子束沉积方式在所述芯片进行注入的表面生长电极金属。
[0034]可选的，所述在芯片上制作像元之前，还包括：
[0035]在所述芯片进行注入的表面生长钝化层。
[0036]可选的，所述钝化层为碲化镉层和硫化锌叠层。
[0037]本申请所提供的一种红外探测器盲元处理方法，包括：获取红外探测器的芯片上每个预划分区域内局部像元阵列的第一性能参数集合；所述第一性能参数集合中的第一性能参数与所述局部像元阵列中的像元相对应，所述局部像元阵列小于所述预划分区域内的像元阵列；判断所述第一性能参数是否处于预设标准参数范围内，所述局部像元阵列中的像元为光敏元，其余像元为非光敏元；若所述第一性能参数不处于所述预设标准参数范围内，则确定与所述第一性能参数对应的所述像元为盲元；根据所述第一性能参数定位所述盲元在所述局部像元阵列中的位置。
[0038]可见，本申请中在对盲元进行处理时，芯片被划分为多个预划分区域，每个预划分区域内局部像元阵列的像元为光敏元，获取局部像元阵列中像元的第一性能参数，第一性能参数与局部像元阵列中的像元一一对应，然后判断第一性能参数是否在预设标准参数范围，若不在则判定与该第一性能参数对应的像元为盲元，从而确定盲元在局部像元阵列中
的位置，实现盲元的精确定位，由于对芯片进行划分，即将像元划分成多个像元阵列，可以实现对大规模阵列的像元的定位检测，从而便于进行盲元成因反向分析。
[0039]此外，本申请还提供一种红外探测器的制作方法。
附图说明
[0040]为了更清楚的说明本申请实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0041]图1为本申请实施例所提供的一种红外探测器盲元处理方法的流程图；
[0042]图2为本申请实施例所提供的一种红外探测器的制作方法的流程图；
[0043]图3为本申请实施例的所提供一种芯片上预划分区域内局部像元阵列的示意图。
具体实施方式
[0044]为了使本
的人员更好地理解本申请方案，下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0045]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是本专利技术还本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种红外探测器盲元处理方法，其特征在于，包括：获取红外探测器的芯片上每个预划分区域内局部像元阵列的第一性能参数集合；所述第一性能参数集合中的第一性能参数与所述局部像元阵列中的像元相对应，所述局部像元阵列小于所述预划分区域内的像元阵列，所述局部像元阵列中的像元为光敏元，其余像元为非光敏元；判断所述第一性能参数是否处于预设标准参数范围内；若所述第一性能参数不处于所述预设标准参数范围内，则确定与所述第一性能参数对应的所述像元为盲元；根据所述第一性能参数定位所述盲元在所述局部像元阵列中的位置。2.如权利要求1所述的红外探测器盲元处理方法，其特征在于，所述根据所述第一性能参数定位所述盲元在所述局部像元阵列中的位置之后，还包括：分离所述芯片与所述红外探测器的读出电路；分析所述盲元和其他所述像元的表面及剖面细节差异，得到所述盲元的成因。3.如权利要求1所述的红外探测器盲元处理方法，其特征在于，所述根据所述第一性能参数定位所述盲元在所述局部像元阵列中的位置之后，还包括：去除所述芯片的衬底；在去除衬底后芯片的背面对应所述盲元的位置进行标记，所述背面为与所述盲元所在表面相背的表面；分别切割所述盲元及有效像元，并分析自芯片背面至电路表面的剖面信息差异，得到所述盲元的成因。4.如权利要求3所述的红外探测器盲元处理方法，其特征在于，所述去除所述芯片的衬底之后，所述在去除衬底后芯片的背面对应所述盲元的位置进行标记之前，还包括：获取所述局部像元阵列的第二性能参数集合；所述第二性能参数集合中的第二性能参数与所述局部像元阵列中的像元相对应；判断所述第二性能参数是否处...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：北京智创芯源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：