本实用新型专利技术提供一种晶圆电镀振荡装置，包括：本体、格栅及卡槽，其中，所述格栅设置在所述本体的环形区域内，所述格栅的截面为上窄下宽的形状；所述卡槽设置在所述本体侧面。通过将格栅设置成上窄下宽的形状，有效避免电镀过程中产生气泡，快速交换电镀离子，有效提高晶圆电镀的均匀性。同时简化了晶圆电镀设备的复杂程度，有效降低成本。有效降低成本。有效降低成本。
【技术实现步骤摘要】
一种晶圆电镀振荡装置
[0001]本技术涉及半导体晶圆加工
，特别是涉及一种晶圆电镀振荡装置。
技术介绍
[0002]众所周知，在半导体集成电路尤其是半导体晶圆的制造和封装过程中，电镀(也称为“电化学沉积”)设备被广泛应用于半导体晶圆表面导电金属材料。现有主流技术主要采用水平旋转式(含垂直喷流式)电镀技术，这种电镀技术的实施设备通常包括与晶圆相连的阴极端子、与需要沉积的金属相连的阳极端子、旋转驱动系统、电流控制系统等，并且具有两种类型，即，晶圆的待电镀(电路布图)的一面(以下称为“晶圆正面”)水平朝上式和水平朝下式。
[0003]在晶圆正面水平朝下的制造工艺中，晶圆被水平地放置在电镀液的正上方，而电极端子设置在晶圆的垂直正下方。这种制造工艺很好的解决了晶圆背面可能受电镀液污染的问题。同时，这种制造工艺所使用的振荡装置的格栅为平直形状，在电镀时振荡装置在腔体中的晃动过程中，产生的气泡易被上方的晶圆阻隔，导致电镀缺陷。例如，通电后向上朝向晶圆移动的金属离子由于受到重力的影响，比被浮力推动的气泡上升的速度慢，一旦气泡被晶圆阻隔后，很容易填充到晶圆表面沟槽(孔)的金属镀层中的空孔内。但倾斜晶圆会牺牲晶圆表面镀层的厚度均匀性，降低成品率。
[0004]在晶圆正面水平朝上的制造工艺中，电极端子被放置在晶圆的垂直正上方，电镀时电镀液的金属离子朝下移动，气泡向上逸出。但该制造工艺需要配置机械手臂和多个操作仓，使设备所需的空间增大，因结构复杂导致制造和维护成本增高。另一方面，增大了晶圆表面被氧化的风险(通常清洗后的晶圆需要在10秒内进行电镀，但机械手臂和多个操作仓的设置使该工艺的作业时间增长)。
技术实现思路
[0005]鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种晶圆电镀振荡装置，用于解决现有技术中晶圆电镀容易产生气泡、降低晶圆电镀的均匀性、降低成品率及晶圆振荡装置结构复杂的问题。
[0006]为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种晶圆电镀振荡装置，所述晶圆电镀振荡装置至少包括：
[0007]本体、格栅及卡槽，其中，所述格栅设置在所述本体的环形区域内，所述格栅的截面为上窄下宽的形状；所述卡槽设置在所述本体侧面。
[0008]可选地，所述本体的形状为圆形。
[0009]可选地，所述本体的外径为350毫米或200毫米或150毫米。
[0010]可选地，所述本体的厚度为10.5毫米。
[0011]可选地，相邻两个所述格栅中间的镂空结构包括矩形区域及位于所述矩形区域两端的半圆形区域，其中，所述半圆形区域的直径与所述矩形区域的宽相等。
[0012]可选地，所述格栅的截面包括竖直部和位于所述竖直部底端的水平部，其中，所述水平部与所述竖直部的连接部分为倒圆角设置。
[0013]可选地，所述水平部的宽度为9.5毫米，所述竖直部的宽度为5.1毫米。
[0014]可选地，所述倒圆角设置的弧度为90度。
[0015]可选地，相邻两个所述格栅的间距为10毫米。
[0016]如上所述，本技术的一种晶圆电镀振荡装置，具有以下有益效果：
[0017]1)本技术的晶圆电镀振荡装置通过将格栅设置成上窄下宽的形状，有效避免电镀过程中产生气泡，快速交换电镀离子，有效提高晶圆电镀的均匀性。
[0018]2)本技术的晶圆电镀振荡装置简化晶圆电镀设备的复杂程度，有效降低成本。
附图说明
[0019]图1显示为本技术提供的晶圆电镀装置结构示意图。
[0020]图2显示为本技术提供的格栅结构示意图。
[0021]元件标号说明
[0022]1本体
[0023]2格栅
[0024]21竖直部
[0025]22水平部
[0026]23倒圆角设置
[0027]3卡槽
具体实施方式
[0028]以下通过特定的具体实例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点与功效。本技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本技术的精神下进行各种修饰或改变。
[0029]请参阅图1至图2。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本技术的基本构想，遂图式中仅显示与本技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
[0030]如图1及图2所示，本实施例提供一种晶圆电镀振荡装置，所述晶圆电镀振荡装置包括：本体1、格栅2及卡槽3，其中，所述格栅2设置在所述本体1的环形区域内，所述格栅2的截面为上窄下宽的形状；所述卡槽3设置在所述本体1侧面。
[0031]具体地，作为示例，如图1所示，所述本体1的形状为圆形。更具体地，所述本体1的外径为350毫米或200毫米或150毫米。需要说明的是，本体1的形状需要根据晶圆形状进行设置，因为晶圆多为圆形，则本体1通常为圆形，而本体1的外径包括但不限于350毫米或200毫米或150毫米，应考虑晶圆的尺寸(晶圆的直径)进行相应设置，不以本实施例为限。在实际使用中，所述本体1可根据实际工艺需求设置为任意环形结构，在此不一一赘述。
[0032]具体地，作为示例，如图1所示，所述本体1的厚度为10.5毫米。需要说明，在本实施例中，本体1的厚度的尺寸设置在于电镀液进行碰撞的过程中，差生了足够的压差，并能够迅速将气泡排出，避免了气泡在电镀液与本体1的接触部位的积聚，充分保证了电镀液体中离子化学反应的速率，降低晶圆表面被氧化的风险，在实际的工艺中，本体1的厚度设置只要能满足迅速将气泡排出，任何尺寸均适用，不以本实施例为限。
[0033]具体地，作为示例，如图1所示，相邻两个所述格栅2中间的镂空结构包括矩形区域及位于所述矩形区域两端的半圆形区域，其中，所述半圆形区域的直径与所述矩形区域的宽相等。需要说明的是，所述格栅2中间的镂空结构设置是为了给振动中的电镀液增加缓冲空间，避免电镀液剧烈拍打格栅，降低气泡产生的几率，同时又能增强电镀液离子跟电极的接触面积，提高电解效率，降低晶圆表面被氧化的风险。在实际的工艺中，镂空结构的设置只要能最大限度地降低气泡产生的几率，任何镂空结构的形式均适用，不以本实施例为限。
[0034]具体地，作为示例，如图1及图2所示，相邻两个所述格栅2的间距为10毫米，所述格栅2的截面包括竖直部21和位于所述竖直部底端的水平部22，其中，所述水平部22与所述竖直部21的连接部分为倒圆角设置23。更具体地，如图2所示，所述水平部22的宽度为9.5毫米，所述竖直部21的宽度为5.1毫米，所述倒圆角23设置的弧度为90度。需要说明的是，格栅2的截面形状为上宽下窄，电镀液在拍打格栅时不会形成剧烈反射，倒圆角设置增大了电镀液缓冲，避免电镀液进行剧烈本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆电镀振荡装置，其特征在于，所述晶圆电镀振荡装置至少包括：本体、格栅及卡槽，其中，所述格栅设置在所述本体的环形区域内，所述格栅的截面为上窄下宽的形状；所述卡槽设置在所述本体侧面。2.根据权利要求1所述的晶圆电镀振荡装置，其特征在于：所述本体的形状为圆形。3.根据权利要求2所述的晶圆电镀振荡装置，其特征在于：所述本体的外径为350毫米或200毫米或150毫米。4.根据权利要求1
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3任意一项所述的晶圆电镀振荡装置，其特征在于：所述本体的厚度为10.5毫米。5.根据权利要求1所述的晶圆电镀振荡装置，其特征在于：相邻两个所述格栅中间...
【专利技术属性】
技术研发人员：郁海洋，彭明明，
申请(专利权)人：盛合晶微半导体江阴有限公司，
类型：新型
国别省市：
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